一种阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示装置制造方法及图纸

为缩小像素电极间距，提升显示效果，本发明专利技术提供一种阵列基板，包括：绝缘基板；多个薄膜晶体管，位于绝缘基板上；多个像素电极，与多个薄膜晶体管分别电连接；以及公共电极，围绕多个像素电极，并且与多个像素电极彼此隔开，像素电极与公共电极位于同一层，公共电极与公共电极层相连。本发明专利技术还提供了该阵列基板的制作方法及具有该阵列基板的显示装置。阵列基板中的公共电极与像素电极位于同一层，且公共电极围绕于像素电极周围，使得电场有所加强，响应时间提升且有利于节省功耗，同时围绕于像素电极周围的公共电极还可起到屏蔽作用，这使得相邻像素电极之间的间距可以适度缩小，提高显示效果。公共电极具有两层走线，降低了相应阻抗。

【技术实现步骤摘要】
一种阵列基板、阵列基板的制作方法及液晶显示装置
本专利技术涉及显示
，具体涉及一种阵列基板、阵列基板的制造方法及液晶显示装置。
技术介绍
目前，液晶显示装置的显示屏幕越来越大，在大尺寸的显示屏幕中，其公共电极线随其尺寸变长，阻抗变大，影响显示效果；每英寸所拥有的像素数目数值越高，即代表显示屏幕能够以越高的密度显示图像，图像的细节就会越丰富。然而，现有的高像素的液晶显示装置的相邻像素电极的间距有最小值规定，否则会影响相邻像素单元的正常工作。现将参考图1与图2描述具有该现有技术的液晶显示装置。图1示出了一种现有技术的液晶显示装置的平面图。图2是沿图1的线Ⅱa-Ⅱa与Ⅱb-Ⅱb切割的、示意性地示出现有技术的液晶显示装置的阵列基板的截面图。如图1与图2所示，根据现有技术的液晶显示装置的阵列基板10可包括：在透明绝缘基板11上沿一个方向延伸且互相平行地隔开的多条栅极线14；与栅极线14交叉以便用交叉点界定像素区域的多条数据线23；和在栅极线14与数据线23之间的每个交叉点上设置的薄膜晶体管T，且该薄膜晶体管包括栅极13、有源层17、源极23a和漏极23b。在绝缘基板11的每一个像素区域的整个表面上可设置大透明像素电极29，并与栅极线14和数据线23隔开一定空间。在像素电极29上可设置呈条状的多个透明公共电极35，在像素电极29和公共电极35之间夹有平整膜31。像素电极29可电连接至漏极23b。此外，栅极焊盘13a与数据焊盘13b可分别从栅极线14与数据线23的末端伸出。栅极焊盘13a与数据焊盘13b可分别连接至栅极焊盘连接图案35a与数据焊盘连接图案35b。通过这种配置，当经由薄膜晶体管T向像素电极29施加数据信号时，在像素电极29与被施加公共电压的公共电极35之间会形成边缘场。因此，水平排列在绝缘基板11与结合至绝缘基板11的滤色器基板之间的液晶分子可由于介电各向异性而旋转。液晶分子的旋转角可改变透过像素区域的光透射率。这样就可实现渐变。该现有技术的液晶显示装置中存在公共电极线随其尺寸变长，阻抗变大，像素电极间距大，浪费功耗，最终影响显示效果问题，急需解决。
技术实现思路
有鉴于此，本专利技术实施例提供一种阵列基板及其制造方法以及液晶显示装置，以降低公共极阻抗，节省功耗，缩小像素电极间距，提升显示效果。根据本专利技术的一方面，提供一种阵列基板，包括：绝缘基板；多个薄膜晶体管，位于绝缘基板上；多条栅极线，分别连接至多个薄膜晶体管中的相应薄膜晶体管的栅极；以及多条数据线，分别连接至多个薄膜晶体管中的相应薄膜晶体管的源极；多个像素电极，与多个薄膜晶体管的漏极分别电连接，从而在多个薄膜晶体管导通时获得灰阶电压；以及公共电极，围绕多个像素电极，并且与多个像素电极彼此隔开；其中，公共电极和多个像素电极由同一导电层形成。优选地，公共电极为包括多个网孔的网格形状，多个像素电极分别位于多个网孔中。优选地，阵列基板还包括公共电极层，公共电极层位于公共电极下方，与公共电极电连接。优选地，公共电极层与公共电极通过基板显示区域内过孔、基板显示区域边缘过孔、基板边缘银胶连接中的任一方式电连接。优选地，薄膜晶体管还包括：位于绝缘基板上的栅极导体；位于栅极导体上的栅极介质层；位于栅极介质层上的非晶硅层；在非晶硅层中形成的源区和漏区；以及分别与源区和漏区接触的源极电极和漏极电极，其中，栅极线与栅极导体连接，数据线与源极电极相连接，像素电极与漏极相连接。优选地，阵列基板还包括：第一绝缘层、第二绝缘层、平整层和第三绝缘层，其中，公共电极层位于平整层和第三绝缘层之间，公共电极位于第三绝缘层上方，公共电极形成网络形状，并且公共电极层和公共电极经由第三绝缘层彼此连接。优选地，多个像素电极位于第三绝缘层上方，并且经由导电通道连接至薄膜晶体管的漏极，导电通道穿过第三绝缘层、公共电极层、平整层以及第二绝缘层到达薄膜晶体管的漏极。根据本专利技术的另一方面，提供一种阵列基板的制作方法，包括：提供绝缘基板，在絶縁基板上形成第一金属层；形成第一绝缘保护层，并覆盖第一金属层，在第一绝缘保护层形成半导体层，该半导体层位于第一金属层上方；在第一绝缘保护层形成第二金属层，该第二金属层包括第一源漏极和第二源漏极以及数据线，第一源漏极和第二源漏极彼此分隔并分别与该半导体层接触，使部分半导体层从第一源漏极和第二源漏极间露出；形成第二绝缘保护层，覆盖第二金属层，包括第一源漏极、第二源漏极、数据线以及第一源漏极与第二源漏极间露出的部分半导体层；在第二绝缘保护层上形成平整层；在平整层上形成公共电极层；在公共电极层上形成第三绝缘保护层；在第三保护层上形成第一通孔，第一通孔穿过第三绝缘保护层、公共电极层、平整层以及第二绝缘保护层，以露出部分第一源漏极；在第三保护层上形成第二通孔以露出部分公共电极层；在第三保护层上形成电极层；电极层包括彼此分隔的像素电极和公共电极，其中，像素电极通过第一通孔与第一漏极连接，公共电极通过第二通孔与公共电极层连接。优选地，第二通孔位于阵列基板的显示区域外围。再一方面，本专利技术还提供了信号更稳定，像素电极间距更小，显示效果更好的液晶显示装置。为达此目的，本专利技术采用以下技术方案：一种液晶显示装置，包括彩色滤光基板以及液晶层，该液晶显示装置还包括如上所述的阵列基板，液晶层夹置在阵列基板和彩色滤光基板之间。本专利技术的有益效果是：本专利技术提供的阵列基板中，解决了大尺寸液晶显示装置中公共电极线随其尺寸变长，阻抗变大，影响显示效果的问题；像素电极与公共电极位于同一层，公共电极与公共电极层相连，一方面使公共电极具有两层走线，降低了相应阻抗，另一方面公共电极与像素电极位于同一层，且公共电极环绕于像素电极周围，使得电场有所加强，响应时间提升且有利于节省功耗，同时环绕于像素电极周围的公共电极还可起到屏蔽作用，这使得相邻像素电极之间的间距可以适度缩小，提高显示效果。本专利技术提供的阵列基板的制作方法制成的阵列基板具有功耗低、响应时间快，信号稳定的优点。本专利技术提供的液晶显示装置由于采用了如上的阵列基板达到功耗低、响应时间快，信号稳定的，提高了液晶显示装置的性能和显示效果。附图说明通过以下参照附图对本专利技术实施例的描述，本专利技术的上述以及其它目的、特征和优点将更为清楚，在附图中：图1所示为根据现有技术的用于液晶显示装置的阵列基板的平面图。图2是沿图1的剖面线IIa-IIa与IIb-IIb切割的现有技术所制作的液晶显示装置的阵列基板的截面图。图3是本专利技术实施例的阵列基板的单个像素区域的局部结构示意图。图4是本专利技术实施例的阵列基板单个像素区域的局部俯视图。图5是本专利技术实施例的阵列基板局部俯视图。图6是本专利技术实施例的阵列基板沿图5中的A-A线的剖面示意图。图7是本专利技术实施例的阵列基板沿图5中的B-B线的剖面示意图。图8本专利技术具体实施例提供的阵列基板的制作流程图。图9是本专利技术实施例的阵列基板工作时，一个像素电极区域产生的电场情况。图10是本专利技术实施例的阵列基板与原技术阵列基板的响应时间对比。具体实施方式以下基于实施例对本专利技术进行描述，但是本专利技术并不仅仅限于这些实施例。在下文对本专利技术的细节描述中，详尽描述了一些特定的细节部分。对本领域技术人员来说没有这些细节部分的描述也可以完全理解本专利技术。为了避免混淆本专利技术的实质本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种阵列基板，包括绝缘基板、薄膜晶体管、像素电极和公共电极、栅极线、数据线，其特征在于，多个所述薄膜晶体管，位于所述绝缘基板上；多条所述栅极线，分别连接至所述多个所述薄膜晶体管中的相应薄膜晶体管的栅极；以及多条所述数据线，分别连接至所述多个所述薄膜晶体管中的相应薄膜晶体管的源极；多个所述像素电极，与所述多个所述薄膜晶体管的漏极分别电连接，从而在所述多个所述薄膜晶体管导通时获得灰阶电压；以及所述公共电极，围绕多个所述像素电极，并且与所述多个像素电极彼此隔开；其中，所述公共电极和多个所述像素电极由同一导电层形成。

【技术特征摘要】
1.一种阵列基板，包括绝缘基板、薄膜晶体管、像素电极和公共电极、栅极线、数据线，其特征在于，多个所述薄膜晶体管，位于所述绝缘基板上；多条所述栅极线，分别连接至所述多个所述薄膜晶体管中的相应薄膜晶体管的栅极；以及多条所述数据线，分别连接至所述多个所述薄膜晶体管中的相应薄膜晶体管的源极；多个所述像素电极，与所述多个所述薄膜晶体管的漏极分别电连接，从而在所述多个所述薄膜晶体管导通时获得灰阶电压；以及所述公共电极，围绕多个所述像素电极，并且与所述多个像素电极彼此隔开；其中，所述公共电极和多个所述像素电极由同一导电层形成。2.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极为包括多个网孔的网格形状，所述多个像素电极分别位于所述多个网孔中。3.根据权利要求2所述的阵列基板，其特征在于，所述阵列基板还包括公共电极层，所述公共电极层位于所述公共电极下方，与所述公共电极电连接。4.根据权利要求3所述的阵列基板，其特征在于，所述公共电极层与所述公共电极通过基板显示区域内过孔、基板显示区域边缘过孔、基板边缘银胶连接中的任一方式电连接。5.根据权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述薄膜晶体管包括：位于所述绝缘基板上的栅极导体；位于所述栅极导体上的栅极介质层；位于所述栅极介质层上的非晶硅层；在非晶硅层中形成的源区和漏区；以及分别与所述源区和漏极接触的源极电极和漏极电极，所述栅极线与所述栅极导体连接，所述数据线与所述源极电极相连接，所述像素电极与所述漏极相连接。6.根据权利要求5所述的阵列基板，其特征在于，还包括：堆叠在所述薄膜晶体管上的第一绝缘层、第二绝缘层、平整层和第三绝缘层，其中，所述公共电极层位于所述平整层和所述第三绝缘层之间，所述公共电极位于所述第三绝缘层上方，所述公共电极形成所述网络形状，并且所述公共电极层和所述公共电极经由所述第三绝缘层彼此...

【专利技术属性】
技术研发人员：王新刚，楚方方，
申请(专利权)人：昆山龙腾光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32