MEMS水听器芯片的扇出型封装结构制造技术

本实用新型专利技术提供MEMS水听器芯片的扇出型封装结构，以解决现有技术中MEMS水听器芯片封装工艺封装尺寸过大，可靠性不够好以及工艺复杂，成本高的问题，包括：RDL布线层，MEMS水听器芯片，所述MEMS水听器芯片倒装在所述RDL布线层的上表面上；功能芯片、无源器件以及有源器件，所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件分别倒装在所述RDL布线层的上表面上；封装层，所述封装层布置在所述RDL布线层的上表面上，且将所述MEMS水听器芯片、所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件包围在所述封装层中。

【技术实现步骤摘要】
MEMS水听器芯片的扇出型封装结构
本技术涉及水听器
，具体为MEMS水听器芯片的扇出型封装结构。
技术介绍
水听器，又称水下传声器，其能够将水下的压力变化而产生声信号转换为电信号，从而能够可靠的得到水下的压力，常被用于声场的测绘、声传感器的检测标定以及超声设备的检测校准和性能评估等声学领域的研究。随着科学技术的不断发展和进步，水听器的应用技术也逐渐发展成熟。现有的压电MEMS水听器芯片与各个功能模块器件是分别独立的连接在PCB板上然后再用塑料盒包装起来的，此种封装方式最大的不足之处在于封装尺寸过大，可靠性不够好以及工艺复杂，成本高。
技术实现思路
针对以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供MEMS水听器芯片的扇出型封装结构，以解决现有技术中MEMS水听器芯片封装工艺封装尺寸过大，可靠性不够好以及工艺复杂，成本高的问题。其技术方案是这样的：MEMS水听器芯片的扇出型封装结构，其特征在于，包括：RDL布线层，所述RDL布线层包括上表面和与所述上表面相对的下表面；MEMS水听器芯片，所述MEMS水听器芯片倒装在所述RDL布线层的上表面上；功能芯片、无源器件以及有源器件，所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件分别倒装在所述RDL布线层的上表面上；封装层，所述封装层布置在所述RDL布线层的上表面上，且将所述MEMS水听器芯片、所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件包围在所述封装层中。进一步的，所述RDL布线层包括第一RDL布线层和堆叠在所述第一RDL布线层之上第二RDL布线层，所述第一RDL布线层的上表面上设有铜柱，所述封装层的顶面与所述铜柱的顶面持平，所述第一RDL布线层和所述第二RDL布线层之间通过铜柱、焊锡连接，所述MEMS水听器芯片贴装在所述第二RDL布线层，所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件分别倒装在所述第一RDL布线层上。进一步的，所述第二RDL布线层的下表面下设置有焊球下金属和焊球；进一步的，所述RDL布线层包括金属线路和设置在所述金属线路之间的绝缘介质层，所述MEMS水听器芯片、所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件的引脚分别连接所述金属线路，所述铜柱、所述焊球下金属和所述焊球分别连接所述金属线路。进一步的，所述无源器件包括电阻、电容、电感、滤波器、天线，所述功能芯片包括DSP芯片，所述有源器件包括升压电路，降压电路，驱动电路。本技术实现MEMS水听器芯片的晶圆级封装，将芯片与功能芯片整体塑封，封装尺寸大大减小，且可靠性好；利用环氧树脂材料对芯片全面包封，可靠性好，封装结构采用RDL布线层，结构简单，正反面两边有凸点，不需要打线工艺，也不需要高成本的硅穿孔工艺(TSV)，而能实现MEMS水听器芯片的封装，减少了工艺制程，降低工艺难点，成本减小；同时本技术实现了MEMS水听器的扇出型封装，由于扇出型封装技术本身具有的细间距、布线密度高的优势，使得采用这种形式封装的MEMS水听器具有尺寸小等优势，同时采用扇出型封装的MEMS水听器RDL布线层可以直接连接到芯片的引脚，因此电气性能好，信号传导时幅值小，信号时延也会变短；本技术中布置多层RDL布线层，可以满足器件较多、引脚数量较多的情况下对于引脚数量的需求；另外多层RDL布线层还可以为信号传输提供回流路径，提供电磁屏蔽层等，信号传输性能更好。附图说明图1为本技术的MEMS水听器芯片的扇出型封装结构的第一种封装方法的步骤a至步骤d的流程示意图；图2为本技术的MEMS水听器芯片的扇出型封装结构的第一种封装方法的步骤e至步骤i的流程示意图；图3为本技术的MEMS水听器芯片的扇出型封装结构的第一种封装方法的步骤j至步骤l的流程示意图；图4为本技术的MEMS水听器芯片的扇出型封装结构的第二种封装方法的步骤a至步骤d的流程示意图；图5为本技术的MEMS水听器芯片的扇出型封装结构的第二种封装方法的步骤e至步骤h的流程示意图；图6为本技术的MEMS水听器芯片的扇出型封装结构的第二种封装方法的步骤i至步骤k的流程示意图；图7为本技术的MEMS水听器芯片的扇出型封装结构的第二种封装方法的步骤i至步骤k的流程示意图；图8为本技术的MEMS水听器芯片的扇出型封装结构示意图。具体实施方式见图8，本技术的MEMS水听器芯片的扇出型封装结构，包括：RDL布线层，RDL布线层包括第一RDL布线层1和堆叠在第一RDL布线层1之上第二RDL布线层2，第一RDL布线层1的上表面上设有铜柱3，第一RDL布线层1和第二RDL布线层2之间通过铜柱3、焊锡连接，MEMS水听器芯片4贴装在第二RDL布线层2，功能芯片5、无源器件6以及有源器件7分别倒装在第一RDL布线层1上，第一RDL布线层1和第二RDL布线层2上分别设有封装层8，封装层8的顶面与铜柱3的顶面持平，且将MEMS水听器芯片4、功能芯片5、无源器件6以及有源器件7包围在封装层8中，第二RDL布线层2的下表面下设置有焊球下金属9和焊球10；第一RDL布线层1和第二RDL布线层2分别包括金属线路11和设置在金属线路11之间的绝缘介质层12，MEMS水听器芯片4、功能芯片5、无源器件6以及有源器件7的引脚分别连接金属线路11，铜柱3、焊球下金属9和焊球10分别连接金属线路11。无源器件6包括电阻、电容、电感、滤波器、天线，功能芯片5包括DSP芯片，有源器件7包括升压电路，降压电路，驱动电路。见图1至图3，本技术的第一种MEMS水听器芯片的封装方法，包括以下步骤：步骤a：准备第一封装临时载板131和第二封装临时载板132，第一封装临时载板131和第二封装临时载板132分别为玻璃基板；步骤b：分别在第一封装临时载板131和第二封装临时载板132上附着胶带层14；步骤c：分别在第一封装临时载板131和第二封装临时载板132的胶带层14上制备第一RDL布线层1、第二RDL布线层2；步骤d：在第一RDL布线层1上沉积种子层15；步骤e：在第一封装临时载板131的种子层15上制备铜柱3；步骤f：对种子层15进行干法刻蚀使得第一RDL布线层1露出；步骤g：准备MEMS水听器芯片4、功能器件5、无源器件6以及有源器件7，将MEMS水听器芯片4倒装至第二RDL布线层2上，将功能器件5、无源器件6以及有源器件7倒装至第一RDL布线层1上；步骤h：采用环氧树脂材料进行封装，分别将铜柱3、MEMS水听器芯片4和功能器件5、无源器件6、有源器件7包围在封装层8中；步骤i：基于胶带层14分离第二封装临时载板132与第二RDL布线层2，使得第二RDL布线层2的下表面露出；步骤j：通过植焊球连接第一RDL布线层1上的铜柱3和第二RDL布线层2下表面的金属线路以实现第一RDL布线层1与第二RDL布线层2的连接；步骤k：基于胶带层14分离第一封装临时载板131与第一RDL布线层1，使得第一RDL布线层1的下表面露出；步骤l：在第一RDL布线层1的下表面下制备焊球下金属9和焊球10。见图4至图7，本技术的第二种MEMS水听器芯片的封装方法，包括以下步骤：步骤a：准备封装临时载板131，封装临时载板131为玻璃基板；步骤b：在封装临时载板131上附着胶带层14；步骤c：在本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.MEMS水听器芯片的扇出型封装结构，其特征在于，其包括：RDL布线层，所述RDL布线层包括上表面和与所述上表面相对的下表面；MEMS水听器芯片，所述MEMS水听器芯片倒装在所述RDL布线层的上表面上；功能芯片、无源器件以及有源器件，所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件分别倒装在所述RDL布线层的上表面上；封装层，所述封装层布置在所述RDL布线层的上表面上，且将所述MEMS水听器芯片、所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件包围在所述封装层中。

【技术特征摘要】
1.MEMS水听器芯片的扇出型封装结构，其特征在于，其包括：RDL布线层，所述RDL布线层包括上表面和与所述上表面相对的下表面；MEMS水听器芯片，所述MEMS水听器芯片倒装在所述RDL布线层的上表面上；功能芯片、无源器件以及有源器件，所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件分别倒装在所述RDL布线层的上表面上；封装层，所述封装层布置在所述RDL布线层的上表面上，且将所述MEMS水听器芯片、所述功能芯片、所述无源器件以及所述有源器件包围在所述封装层中。2.根据权利要求1所述的MEMS水听器芯片的扇出型封装结构，其特征在于：所述RDL布线层包括第一RDL布线层和堆叠在所述第一RDL布线层之上第二RDL布线层，所述第一RDL布线层的上表面上设有铜柱，所述封装层的顶面与所述铜柱的顶面持平，所述第一RDL布线层和所述第二RDL布线层之间通过铜柱、焊锡连接，所述MEMS水听器芯片贴装在所述第二RDL布线层，所述功能...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙跃，林挺宇，徐庆泉，林海斌，赵晓宏，
申请(专利权)人：纽威仕微电子无锡有限公司，
类型：新型
国别省市：江苏,32