二硅烷基胺和聚硅烷基胺的合成制造技术

本发明专利技术提供用于制备硅烷基胺，诸如二硅烷基胺和聚硅烷基胺，以及包含所述硅烷基胺的组合物的方法。在一个实施方案中，本发明专利技术提供用于制备硅烷基胺化合物的方法，所述方法包括使通式RR1N‑(SixH2x+1)的起始化合物与通式R2R3NH的胺化合物反应以制备通式R2mR3n‑N(SixH2x+1)3‑m‑n的硅烷基胺化合物。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】二硅烷基胺和聚硅烷基胺的合成前体化合物和材料一般用于沉积应用。沉积应用包括化学或物理气相沉积。前体化合物可经由化学气相沉积进行沉积以在多种类型的基底，诸如硅片和其它电子元件上制备膜。多种因素影响膜的特性，包括基底的性质、沉积的方法和条件、以及前体化合物的特性。沉积应用中存在缺陷。例如，特定前体具有处理和使用中的问题。特定前体的使用形成可含有来自产生副产物的副反应的特定杂质的膜。副产物可包括危险的组分，例如氢和氯化合物。二硅烷基胺可用于含硅膜的沉积。此类膜包括具有非晶硅、结晶硅、氮化硅、氧化硅、碳掺杂氧化硅、硅碳氮化物和硅氧氮化物的膜。二硅烷基胺为用于沉积含硅薄膜的有前景的化学气相沉积(CVD)和原子层沉积(ALD)前体。例如，二硅烷基胺可用于在各种基底，诸如3DNAND装置上沉积Si、SiO、SiO2、SiON或SiN膜。仅制成有限数的二硅烷基胺，并且需要更具有商业价值和技术上可用的方法以制备多种二硅烷基胺和聚硅烷基胺材料。需要新型二硅烷基胺和聚硅烷基胺，其可提供优异的应用性能和优异的膜特性。
技术实现思路
本专利技术提供用于制备硅烷基胺，诸如二硅烷基胺和聚硅烷基胺的方法。本专利技术还提供本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种用于制备硅烷基胺化合物的方法，所述方法包括使通式RR1N‑(SixH2x+1)    (I)的起始化合物与通式R2R3NH    (II)的胺化合物反应以产生通式R2mR3n‑N(SixH2x+1)3‑m‑n    (III)的硅烷基胺化合物，其中R和R1独立地为氢、具有6至10个碳原子的取代或未取代的芳基基团、具有1至10个碳原子的取代或未取代的烷基基团、或具有5至10个碳原子的取代或未取代的环烷基基团；R2和R3独立地为氢、具有6至10个碳原子的取代或未取代的芳基基团、具有1至10个碳原子的取代或未取代的烷基基团、具有5至10个碳原子的取代或未取代的环烷基基团、或式‑SixH2x+...

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.12.18 US 62/2692861.一种用于制备硅烷基胺化合物的方法，所述方法包括使通式RR1N-(SixH2x+1)(I)的起始化合物与通式R2R3NH(II)的胺化合物反应以产生通式R2mR3n-N(SixH2x+1)3-m-n(III)的硅烷基胺化合物，其中R和R1独立地为氢、具有6至10个碳原子的取代或未取代的芳基基团、具有1至10个碳原子的取代或未取代的烷基基团、或具有5至10个碳原子的取代或未取代的环烷基基团；R2和R3独立地为氢、具有6至10个碳原子的取代或未取代的芳基基团、具有1至10个碳原子的取代或未取代的烷基基团、具有5至10个碳原子的取代或未取代的环烷基基团、或式-SixH2x+1的硅烷；x为2至10的整数；并且m或n独立地为0、1或2，并且m+n为2以下。2.根据权利要求1所述的方法，其中式(I)的所述起始化合物包含二烷基二硅烷基胺。3.根据权利要求1所述的方法，其中式(I)的所述起始化合物的R和R1包含具有1至4个碳原子的取代或未取代的烷基基团并且x为2至4的整数。4.根据权利要求1或2所述的方法，其中式(I)的所述起始化合物的R和R1包含具有1至3个碳原子的取代或未取代的烷基基团并且x为2至3的整数。5.根据权利要求1、2、3或4所述的方法，其中式(I)的所述起始化合物包含二异丙基二硅烷基胺。6.根据权利要求1所述的方法，其中式(II)的所述胺化合物的R2和R3包含氢、具有1至3个碳原子的取代或未取代的烷基基团、或式-SixH2x+1的硅烷，其中x为2至3的整数。7.根据权利要求1所述的方法，其中R2包含氢，并且R3包含具有1至5个碳原子的取代或未取代的烷基基团、具有6至8个碳原子的取代或未取代的芳基基团。8.根据权利要求1所述的方法，其中式(II)的胺包含选自下列的化合物：二乙胺、甲胺、乙胺、丙胺、丁胺、2-氨...

【专利技术属性】
技术研发人员：X·周，
申请(专利权)人：美国陶氏有机硅公司，
类型：发明
国别省市：美国,US