半导体器件加工方法技术

本发明专利技术提供了一种半导体器件加工方法，提供一晶圆，所述晶圆具有缺口，所述晶圆上形成有若干芯片，所述芯片中存在残留物；将所述晶圆的所述缺口固定在一清洗台的8点钟方向至10点钟方向之间，对所述晶圆进行清洗，所述晶圆清洗时竖直放置；以及所述晶圆在清洗完成后，保持所述缺口方向不变，将所述晶圆沿竖直方向取出。通过改变在晶圆清洗前，所述缺口的固定方向，并在所述晶圆清洗完成后，保持所述缺口的方向不变，将所述晶圆取出，在所述晶圆取出过程中，位于芯片器件区的残留物将由于重力的作用进入芯片的外围区，从而改善了90纳米嵌入式闪存工艺平台中生产出来的芯片的数据保持能力。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件加工方法
本专利技术涉及半导体制造领域，尤其是涉及一种半导体器件加工方法。
技术介绍
EF90(90纳米嵌入式闪存工艺平台)是国内最先进的200mm晶圆嵌入式存储器技术，可与标准逻辑工艺完全兼容；在确保高性能和高可靠性(即10万次擦写及25年数据保持能力)的基础上，提供了极小面积的低功耗FlashIP；具有极高集成度的基本单元库，基于该平台制造的芯片具有尺寸小、功耗低、性能高的特点。但在90纳米嵌入式闪存工艺平台中生产出来的芯片有时也会存在数据保持失败的情况发生。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种半导体器件加工方法，以解决现有90纳米嵌入式闪存工艺平台中生产出来的芯片会存在数据保持能力降低的问题。为了达到上述目的，本专利技术提供了一种半导体器件加工方法，包括以下步骤：提供一晶圆，所述晶圆具有缺口，所述晶圆上形成有若干芯片，所述芯片中存在残留物；将所述晶圆的所述缺口固定在一清洗台的8点钟方向至10点钟方向之间，对所述晶圆进行清洗，所述晶圆清洗时竖直放置；以及所述晶圆在清洗完成后，保持所述缺口方向不变，将所述晶圆沿竖直方向取出。可选的，所述芯片包括器件区和外围区，所述器件本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种半导体器件加工方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆具有缺口，所述晶圆上形成有若干芯片，所述芯片中存在残留物；将所述晶圆的所述缺口固定在一清洗台的8点钟方向至10点钟方向之间，对所述晶圆进行清洗，所述晶圆清洗时竖直放置；以及所述晶圆在清洗完成后，保持所述缺口方向不变，将所述晶圆沿竖直方向取出。

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件加工方法，其特征在于，包括：提供一晶圆，所述晶圆具有缺口，所述晶圆上形成有若干芯片，所述芯片中存在残留物；将所述晶圆的所述缺口固定在一清洗台的8点钟方向至10点钟方向之间，对所述晶圆进行清洗，所述晶圆清洗时竖直放置；以及所述晶圆在清洗完成后，保持所述缺口方向不变，将所述晶圆沿竖直方向取出。2.如权利要求1所述的半导体器件加工方法，其特征在于，所述芯片包括器件区和外围区，所述器件区存在所述残留物。3.如权利要求2所述的半导体器件加工方法，其特征在于，在将所述晶圆取出的过程中，所述残留物由所述器件区进入所述外围区。4.如权利要求2所述的半导体器件加工方法，其特征在于，所述残留物位于所述器件区靠近所述外围区一侧。5.如权利要求2所述的半导体器件加工方法，其特征在于，所述残留物为易移动的残留物。6.如权利要求2所述的半导体器件加工方法，其特征在于，所述器件区包括闪存单元阵列，所述闪存单元阵列包括闪存单元，所述闪存单元包括衬底，位于所述衬底上的字线，位于所述衬底上分列于所述字线两侧的浮栅，位于所述浮栅上的控制栅，位于所述控制栅上的字线侧墙。7.如权利要求6所述的半导体器件加工方法，其特征在于，所述晶圆上形成有若干芯片，所述芯片中存在残留物的步骤包括：提供一前端结构，所述前端结构具有暴露出的衬底；形成第一掩膜层覆盖在所述前端结构上；形成多晶硅层覆盖在所述第一掩膜层上和暴露出的所述衬...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈宏，王哲献，曹子贵，王卉，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31