基板处理方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理方法，在热处理空间内对基板进行热处理，所述方法包括：搬入步骤，使基板载置于支撑销上；排气步骤，排出所述热处理空间内的气体；非活性气体供给步骤，对所述热处理空间供给非活性气体；基板下空间气体排出步骤，排出所述基板与所述热处理板的上表面之间的基板下空间内的气体；以及热处理步骤，使所述支撑销退到所述热处理板内，对在所述热处理空间内载置于所述热处理板的上表面上的基板进行热处理。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法及其装置
本专利技术涉及对半导体晶片、液晶显示器用基板、有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示装置等的FPD(FlatPanelDisplay：平板显示器)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、太阳能电池用基板(以下简称基板)进行热处理的基板处理方法及其装置。
技术介绍
在最近的工艺技术中，作为浸液光刻、极紫外线光刻(EUV：ExtremeUltravioletLithography)的代替技术，例如，DSA工艺正引起关注。为了进一步提高基板上的细微化，DSA工艺利用定向自组装(DSA:DirectedSelfAssembly)技术，该技术利用了嵌段共聚物的微相分离。这样的DSA工艺中的传统基板处理方法在对基板涂敷BCP(BlockCo-Polymer：嵌段共聚物)形成处理膜后，在热处理腔室的热处理空间中进行对基板的处理膜加热的热处理，使处理膜中的两种聚合物彼此(相)分离。然后，通过对(相)分离后的一种聚合物进行蚀刻来形成细微的图案(例如，参照日本特开2014－22570号公报)。然而，在具有这样的结构的以往例中存在如下本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，在热处理腔室内的热处理空间内对形成有处理膜的基板进行热处理，其中，所述基板处理方法包括：搬入步骤，使基板载置于从热处理板的上表面突出的支撑销；排气步骤，排出所述热处理空间内的气体；非活性气体供给步骤，对所述热处理空间供给非活性气体；基板下空间气体排出步骤，排出所述基板与所述热处理板的上表面之间的基板下空间内的气体；以及热处理步骤，使所述支撑销退到所述热处理板内，对在所述热处理空间内载置在所述热处理板的上表面上的基板进行热处理。

【技术特征摘要】
2017.02.14 JP 2017-0252261.一种基板处理方法，在热处理腔室内的热处理空间内对形成有处理膜的基板进行热处理，其中，所述基板处理方法包括：搬入步骤，使基板载置于从热处理板的上表面突出的支撑销；排气步骤，排出所述热处理空间内的气体；非活性气体供给步骤，对所述热处理空间供给非活性气体；基板下空间气体排出步骤，排出所述基板与所述热处理板的上表面之间的基板下空间内的气体；以及热处理步骤，使所述支撑销退到所述热处理板内，对在所述热处理空间内载置在所述热处理板的上表面上的基板进行热处理。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述基板下空间气体排出步骤中，对所述基板下空间供给非活性气体。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述基板下空间气体排出步骤中，从所述热处理板的上表面排出所述基板下空间内的气体。4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述热处理步骤中将所述基板载置于所述热处理板的上表面上之前，使所述基板下空间气体排出步骤停止。5.根据权利要求1～4中任一项所述所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理膜由定向自组装材料构成。6.一种基板处理装置，在热处理空间内对形成有处理膜的基板进行热处理，其中，所述基板处理装置具有：热处理板，借...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中裕二，中山知佐世，春本将彦，浅井正也，福本靖博，松尾友宏，石井丈晴，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP