基板处理方法及其装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种基板处理方法，在热处理空间内对基板进行热处理，所述方法包括：搬入步骤，使基板载置于支撑销上；排气步骤，排出所述热处理空间内的气体；非活性气体供给步骤，对所述热处理空间供给非活性气体；基板下空间气体排出步骤，排出所述基板与所述热处理板的上表面之间的基板下空间内的气体；以及热处理步骤，使所述支撑销退到所述热处理板内，对在所述热处理空间内载置于所述热处理板的上表面上的基板进行热处理。

【技术实现步骤摘要】
基板处理方法及其装置
本专利技术涉及对半导体晶片、液晶显示器用基板、有机EL(Electroluminescence：电致发光)显示装置等的FPD(FlatPanelDisplay：平板显示器)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、太阳能电池用基板(以下简称基板)进行热处理的基板处理方法及其装置。
技术介绍
在最近的工艺技术中，作为浸液光刻、极紫外线光刻(EUV：ExtremeUltravioletLithography)的代替技术，例如，DSA工艺正引起关注。为了进一步提高基板上的细微化，DSA工艺利用定向自组装(DSA:DirectedSelfAssembly)技术，该技术利用了嵌段共聚物的微相分离。这样的DSA工艺中的传统基板处理方法在对基板涂敷BCP(BlockCo-Polymer：嵌段共聚物)形成处理膜后，在热处理腔室的热处理空间中进行对基板的处理膜加热的热处理，使处理膜中的两种聚合物彼此(相)分离。然后，通过对(相)分离后的一种聚合物进行蚀刻来形成细微的图案(例如，参照日本特开2014－22570号公报)。然而，在具有这样的结构的以往例中存在如下的问题。即，以往的方法中，存在因在热处理空间中形成的处理环境气体有时不能使处理膜中的聚合物适当地分离的问题。此外，DSA工艺以外的工艺中，例如在对基板涂敷了SOG(SpinOnGlass：旋涂玻璃)溶液后，如进行热处理来生成膜的工艺等方式在热处理腔室内对基板进行热处理的工艺中，也可能因在热处理空间中形成的处理环境气体导致所形成的膜的特性和/或性能出现问题。
技术实现思路
本专利技术是鉴于这样的情况而提出的，其目的在于提供一种基板处理方法及其装置，在热处理工艺中，通过形成适合的热处理空间的处理环境气体，能够适当地成膜。作为用于解决上述问题的深入研究的结果，本专利技术的专利技术人得到了如下的知识。在热处理腔室内以热处理空间内的各种处理环境气体进行了热处理后，从热处理空间的各种参数与聚合物的分离状态之间的关系着眼于热处理空间内的氧气产生的影响。由此发现，在热处理空间内的氧气浓度未充分降低的热处理的情况下，出现了聚合物的(相)分离未适当进行的现象。另外，推测在氧气浓度未充分降低的情况下，聚合物相分离时受到不利影响，正常的相分离受到阻碍。此外，即使在DSA工艺以外的热处理工艺中，由氧气引起的氧化对成膜特性也产生不利影响。另外，专利技术人发现，在进行了用于降低热处理空间内的氧气浓度的处理后，将基板载置于热处理板上并开始对基板进行热处理时，热处理空间内的氧气浓度暂时升高。基于这样的知识，本专利技术构成如下。为了达成这样的目的，本专利技术采用如下的结构。本专利技术是一种基板处理方法，在热处理腔室内的热处理空间内对形成有处理膜的基板进行热处理，所述方法包括：搬入步骤，使基板载置于从热处理板的上表面突出的支撑销；排气步骤，排出所述热处理空间内的气体；非活性气体供给步骤，对所述热处理空间供给非活性气体；基板下空间气体排出步骤，排出所述基板与所述热处理板的上表面之间的基板下空间内的气体；以及热处理步骤，使所述支撑销退到所述热处理板内，对在所述热处理空间内载置在所述热处理板的上表面上的基板进行热处理。根据本专利技术，虽然在搬入步骤之后进行排气步骤及非活性气体供给步骤，但由于基板下空间是由基板下表面与热处理板的上表面所夹着的狭窄空间，因此基板下空间的氧气难以被置换。因此，通过基板下空间气体排出步骤，在排出基板下空间的气体后，实施热处理步骤。因此，由于在基板下空间内滞留的氧气也被非活性气体置换，因此能够使热处理空间内的氧气浓度极低。结果，能够使热处理步骤中的热处理空间的处理环境气体适合于热处理工艺，从而能够正确地进行成膜。此外，本专利技术中优选，在所述基板下空间气体排出步骤中，对所述基板下空间供给非活性气体。通过供给非活性气体，能够排出在基板下空间内滞留的氧气。此外，本专利技术中优选，在所述基板下空间气体排出步骤中，从所述热处理板的上表面排出所述基板下空间内的气体。通过排出基板下空间内的气体，能够排出在基板下空间内滞留的氧气。此外，本专利技术中优选，在所述热处理步骤中将所述基板载置于所述热处理板的上表面上之前，使所述基板下空间气体排出步骤停止。由于在将基板载置于热处理板之前使基板下空间气体排出步骤停止，因此能够将基板稳定地载置于热处理板上。此外，本专利技术中优选，所述处理膜由定向自组装材料构成。能够使热处理空间的处理环境气体适合于DSA工艺，由此能够使聚合物正确地进行(相)分离。此外，本专利技术是一种基板处理装置，在热处理空间内对形成有处理膜的基板进行热处理，所述基板处理装置具有：热处理板，借由罩部与周围的环境气体隔离，在所述罩部内形成热处理空间；支撑销，在从所述热处理板的上表面突出的基板的交接位置与退出位置之间移动，所述退出位置为，为了将所支撑的基板载置于所述热处理板的上表面上而退到所述热处理板内的位置；非活性气体供给机构，对所述罩部内供给非活性气体；排气机构，排出所述罩部内的气体；以及基板下空间气体排出机构，将由所述支撑销支撑的基板与所述热处理板的上表面之间的基板下空间内的气体排出，在交接位置使所述支撑销支撑基板，由所述排气机构排出热处理空间内的气体，并且由所述非活性气体供给机构供给非活性气体，由所述基板下空间气体排出机构排出基板下空间内的气体，使所述支撑销移动到退出位置而将基板载置于所述热处理板的上表面上，对基板进行热处理。根据本专利技术，虽然在由支撑销在交接位置支撑基板后进行排气及非活性气体的供给，但由于基板下空间是由基板下表面与热处理板的上表面所夹着的狭窄空间，因此基板下空间内的氧气难以被置换。因此，利用基板下空间气体排出机构，在排除了基板下空间的气体后，实施热处理。因此，由于在基板下空间滞留的氧气也被非活性气体置换，因此能够使热处理空间内的氧气浓度极低。结果，能够使热处理中的热处理空间的处理环境气体适合于热处理工艺，从而能够正确地进行成膜。此外，本专利技术中优选，所述基板下空间气体排出机构从在所述热处理板的上表面开口形成的板上表面开口对基板下空间供给非活性气体。通过从板上表面开口供给非活性气体，能够排出在基板下空间滞留的氧气。此外，本专利技术中优选，所述基板下空间气体排出机构从在所述热处理板的上表面开口形成的板上表面开口排出基板下空间的气体。通过从板上表面开口排出基板下空间内的气体，能够排出在基板下空间滞留的氧气。此外，本专利技术中优选，在使所述支撑销移动到退出位置之前，所述基板下空间气体排出机构停止动作。由于在将基板载置于热处理板的上表面上之前基板下空间气体排出机构停止动作，因此能够将基板稳定地载置于热处理板上。附图说明应当理解的是，虽然图示了目前优选的几种方式来说明本专利技术，但本专利技术并不限于如图所示的结构及方法。图1是示出实施例的基板处理装置的整体结构的概略结构图。图2是示出实施例的基板的处理例的时序图。图3是示出排气及供给非活性气体时的气体的气流的示意图。图4是示出排气及供给非活性气体且排除基板下空间气体时的气体的气流的示意图。图5是示出变形例的基板处理装置的整体结构的概略结构图。具体实施方式以下，参照附图说明本专利技术的一个实施例。图1是示出实施例的基板处理装置的整体结构的概略结构图。基板处理装置用本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种基板处理方法，在热处理腔室内的热处理空间内对形成有处理膜的基板进行热处理，其中，所述基板处理方法包括：搬入步骤，使基板载置于从热处理板的上表面突出的支撑销；排气步骤，排出所述热处理空间内的气体；非活性气体供给步骤，对所述热处理空间供给非活性气体；基板下空间气体排出步骤，排出所述基板与所述热处理板的上表面之间的基板下空间内的气体；以及热处理步骤，使所述支撑销退到所述热处理板内，对在所述热处理空间内载置在所述热处理板的上表面上的基板进行热处理。

【技术特征摘要】
2017.02.14 JP 2017-0252261.一种基板处理方法，在热处理腔室内的热处理空间内对形成有处理膜的基板进行热处理，其中，所述基板处理方法包括：搬入步骤，使基板载置于从热处理板的上表面突出的支撑销；排气步骤，排出所述热处理空间内的气体；非活性气体供给步骤，对所述热处理空间供给非活性气体；基板下空间气体排出步骤，排出所述基板与所述热处理板的上表面之间的基板下空间内的气体；以及热处理步骤，使所述支撑销退到所述热处理板内，对在所述热处理空间内载置在所述热处理板的上表面上的基板进行热处理。2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述基板下空间气体排出步骤中，对所述基板下空间供给非活性气体。3.根据权利要求1所述的基板处理方法，其特征在于，在所述基板下空间气体排出步骤中，从所述热处理板的上表面排出所述基板下空间内的气体。4.根据权利要求1～3中任一项所述的基板处理方法，其特征在于，在所述热处理步骤中将所述基板载置于所述热处理板的上表面上之前，使所述基板下空间气体排出步骤停止。5.根据权利要求1～4中任一项所述所述的基板处理方法，其特征在于，所述处理膜由定向自组装材料构成。6.一种基板处理装置，在热处理空间内对形成有处理膜的基板进行热处理，其中，所述基板处理装置具有：热处理板，借...

【专利技术属性】
技术研发人员：田中裕二，中山知佐世，春本将彦，浅井正也，福本靖博，松尾友宏，石井丈晴，
申请(专利权)人：株式会社斯库林集团，
类型：发明
国别省市：日本,JP