冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备制造方法及图纸

本实用新型专利技术提供一种冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备。冷阱装置可以用于对从反应腔室排出的尾气进行预处理。冷阱装置包括罐体及位于罐体上的冷却管路，罐体包括罐体上部的冷却区，其冷却区顶部设置有进气口且进气口与反应腔室相连接；罐体还包括位于罐体下部的沉淀区，沉淀区侧壁设置有排气口和排气口。采用本实用新型专利技术的冷阱装置能避免粉尘沉积在抽气装置上造成抽气装置停机，减少抽气装置和尾气处理装置的废气处理量且延长设备清洗保养周期以降低生产成本；尾气处理系统能快速高效地处理各种废气以降低对环境的危害，且结构简单，成本低廉；采用本实用新型专利技术的半导体生产设备，能减少保养频率，有效降低生产成本。

Cold trap device, tail gas treatment system and semiconductor production equipment

The utility model provides a cold trap device, tail gas treatment system and semiconductor production equipment. The cold trap device can be used for pretreating exhaust gas discharged from the reaction chamber. The cold well device includes the tank body and the cooling line on the tank body. The tank body includes the cooling zone on the upper part of the tank. The top of the cooling zone is set with a intake port and the intake port is connected with the reaction chamber; the tank body also includes a precipitation area in the lower part of the tank, and the side wall of the precipitation area is provided with a vent and vent. The cold well device of the utility model can avoid the dust deposition on the pumping unit to stop the pumping unit, reduce the waste gas treatment of the pumping unit and the tail gas treatment device and prolong the cleaning and maintenance period of the equipment in order to reduce the production cost, and the tail gas treatment system can quickly and efficiently place various waste gases to reduce the harm to the environment. The utility model has the advantages of simple structure and low cost, and the adoption of the semiconductor production equipment of the utility model can reduce the maintenance frequency and effectively reduce the production cost.

【技术实现步骤摘要】
冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备
本技术涉及半导体设备
，特别是涉及一种冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备。
技术介绍
化学气相沉积工艺是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质，在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。由于其具有能在大大低于成膜材质的熔点或分解温度的沉积温度下制造耐熔金属和各种碳化物、氮化物、硼化物、硅化物和氧化物薄膜且制备的薄膜均匀等优点，化学气相沉积工艺越来越广泛地用于半导体芯片制造、液晶面板制造以及太阳能电池制造等行业中，但化学气相沉积工艺中用到的反应源以及反应后的余气可能存在易燃、易爆和/或有毒的危害性，且反应生成的副产物如果处理不当也容易造成粉尘污染，因此对化学气相沉积工艺中产生的废气进行无害化处理以防止环境污染非常重要。现有的化学气相沉积工艺中，普遍用干泵等抽气装置直接将废气从反应腔室抽出后送入尾气处理装置(GASSCRUBER)中做燃烧和清洗处理。但这种方式存在诸多问题，比如，由于沉积工艺中用到的气体量很大，绝大部分气体未经反应即被排出，因此抽气装置的工作量非常大，而且排出的废气以及其中含有的反应副产物中很大一部分只在高温下为气态，往往在冷却到室温后会变为固态或液态，这些副产物抽入抽气装置后很可能沉积在抽气装置内造成抽气装置的堵塞或腐蚀，甚至导致抽气装置的报废，更严重的后果是，如果因堵塞造成抽气装置停机，废气可能倒流回反应腔室，造成产品和反应腔室污染乃至造成巨大的经济损失。此外，经抽气装置抽出的大量废气送到尾气处理装置中，也对尾气处理装置的处理能力提出极大挑战。因此，在半导体芯片制造厂和液晶面板工厂里，对抽气装置和尾气处理装置必须经常进行清洗和保养，由于这些设备及其配件昂贵，导致生产成本居高不下。因此，找到更经济有效的尾气处理方法以延长抽气装置和尾气处理装置的清洗和保养周期，降低设备的损耗以降低生产成本显得极为重要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本技术的目的在于提供一种冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备，用于解决现有技术中因废气排放量太大且废气中含有的粉尘导致抽气装置堵塞以及导致抽气装置和尾气处理装置的清洗、保养成本上升等问题。为实现上述目的及其他相关目的，本技术提供一种冷阱装置，所述冷阱装置包括罐体及位于所述罐体上的冷却管路，所述罐体具有内壁及外壁且所述罐体包括：冷却区，位于所述罐体的上部，所述冷却区顶部设置有进气口；沉淀区，位于所述罐体的下部，与所述冷却区相连通，所述沉淀区侧壁设置有排气口。优选地，所述冷阱装置的材质包括不锈钢、铝合金、汞合金、铜合金、钼合金、锰合金、铌合金及钛合金。优选地，所述冷却管路位于所述内壁和所述外壁之间，且所述外壁上设有与所述冷却管路相连通的进口及出口。优选地，所述冷却区还包括冷却板，所述冷却板设置于所述冷却区的内壁上，且所述冷却板的表面与所述罐体的底面相平行。在另一优选方案中，所述冷却区还包括冷却板，所述冷却板以1°～89°的角度向下倾斜设置于所述罐体的所述冷却区的内壁上。优选地，所述冷却板包括相对的固定端及自由端，所述冷却板的固定端与所述冷却区的内壁相连接。在另一优选方案中，所述冷却板包括第一冷却板及第二冷却板，所述第一冷却板与所述第二冷却板交替间隔排布；所述第二冷却板内形成有通孔，所述第一冷却板在第二冷却板上的正投影覆盖所述第二冷却板的通孔。优选地，所述罐体的沉淀区上设有可视窗口，且所述可视窗口与所述罐体可拆卸密封连接。优选地，所述排气口位于所述沉淀区上，且所述排气口的高度高于所述可视窗口的高度。本技术还提供一种尾气处理系统，用于对从反应腔室排出的尾气进行处理，所述尾气处理系统包括：如上述任一方案中所述的冷阱装置；抽气装置，包含进气口和排气口，所述抽气装置的进气口与所述冷阱装置的沉淀区的所述排气口相连接；尾气处理装置，包含进气口和排气口，所述尾气处理装置的进气口与所述抽气装置的排气口相连接；排气管路，连接于所述反应腔室与所述冷阱装置之间、所述冷阱装置与所述抽气装置之间及所述抽气装置与所述尾气处理装置之间，及，至少一个阀门，所述阀门设置于连接所述反应腔室与所述冷阱装置之间的所述排气管路上。本技术还提供一种半导体生产设备，所述半导体生产设备包括：反应腔室；如上述方案中所述的尾气处理系统，所述尾气处理系统中连接于所述反应腔室与所述冷阱装置之间的排气管路的一端与所述反应腔室的内部相连通。如上所述，本技术的冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备，具有以下有益效果：本技术提供的冷阱装置包括罐体及位于所述罐体上的冷却管路，所述冷阱装置可以连接于反应腔室和抽气装置之间，用于对从反应腔室排出的尾气进行预处理。从反应腔室排出的废气经冷阱装置的冷却，原废气中含有的粉尘以及废气中含有的在常温下为固态或液态的气体都将沉淀到冷阱装置的罐体底部，从而避免粉尘沉积在抽气装置上造成抽气装置停机，同时减少抽气装置和尾气处理装置的废气处理量以及延长设备清洗和保养的周期以降低生产成本；本技术的尾气处理系统能快速高效地处理各种废气以降低对环境的危害，并且结构简单，成本低廉；采用本技术的半导体生产设备，能有效减少设备维修和保养频率，降低生产成本。附图说明图1及图2显示为本技术的实施例一中的冷阱装置的剖面结构示意图。图3及图4显示为本技术的实施例二中的冷阱装置的剖面结构示意图。图5显示为本技术的实施例三中的冷阱装置的局部剖面结构示意图。图6显示为本技术的实施例四中的尾气处理系统的结构示意图。图7显示为本技术的实施例五中的半导体生产设备的结构示意图。元件标号说明1冷阱装置10罐体11冷却区101内壁102外壁111冷却管路112进口113出口114冷却板114a第一冷却板114b第二冷却板115进气口12沉淀区122可视窗口123排气口2抽气装置3尾气处理装置31排气口4排气管路5阀门6反应腔室61进气口具体实施方式以下由特定的具体实施例说明本技术的实施方式，熟悉此技术的人士可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本技术的其他优点及功效。请参阅图1至图7。须知，本说明书所附图式所绘示的结构、比例、大小等，均仅用以配合说明书所揭示的内容，以供熟悉此技术的人士了解与阅读，并非用以限定本技术可实施的限定条件，故不具技术上的实质意义，任何结构的修饰、比例关系的改变或大小的调整，在不影响本技术所能产生的功效及所能达成的目的下，均应仍落在本技术所揭示的
技术实现思路
所能涵盖的范围内。同时，本说明书中所引用的如“上”、“下”、“左”、“右”、“中间”及“一”等的用语，亦仅为便于叙述的明了，而非用以限定本技术可实施的范围，其相对关系的改变或调整，在无实质变更
技术实现思路
下，当亦视为本技术可实施的范畴。实施例一请参阅图1至图7。请参考图1及图2。本技术提供一种上下一体型的冷阱装置1，所述冷阱装置1包括罐体10及位于所述罐体10上的冷却管路111，所述罐体10具有内壁101及外壁102且所述罐体10包括：冷却区11，位于所述罐体10的上部，所述冷却区11顶部设置有进气口115；沉淀区12，位于所述罐体10的下部，与所述冷却区11相连通，所述沉淀区12侧壁设置有排气口122。所述冷本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种冷阱装置，其特征在于，所述冷阱装置包括罐体及位于所述罐体上的冷却管路，所述罐体具有内壁及外壁且所述罐体包括：冷却区，位于所述罐体的上部，所述冷却区顶部设置有进气口；沉淀区，位于所述罐体的下部，与所述冷却区相连通，所述沉淀区上设置有排气口。

【技术特征摘要】
1.一种冷阱装置，其特征在于，所述冷阱装置包括罐体及位于所述罐体上的冷却管路，所述罐体具有内壁及外壁且所述罐体包括：冷却区，位于所述罐体的上部，所述冷却区顶部设置有进气口；沉淀区，位于所述罐体的下部，与所述冷却区相连通，所述沉淀区上设置有排气口。2.根据权利要求1所述的冷阱装置，其特征在于：所述冷阱装置的材质包括不锈钢、铝合金、汞合金、铜合金、钼合金、锰合金、铌合金及钛合金。3.根据权利要求1所述的冷阱装置，其特征在于：所述冷却管路位于所述内壁和所述外壁之间，且所述外壁上设有与所述冷却管路相连通的进口及出口。4.根据权利要求1所述的冷阱装置，其特征在于：所述冷却区还包括冷却板，所述冷却板设置于所述冷却区的内壁上，且所述冷却板的表面与所述罐体的底面相平行或所述冷却板以1°～89°的角度向下倾斜设置于所述冷却区的所述内壁上。5.根据权利要求4所述的冷阱装置，其特征在于：所述冷却板包括相对的固定端及自由端，所述冷却板的固定端与所述冷却区的内壁相连接。6.据权利要求4所述的冷阱装置，其特征在于：所述冷却板包括第一冷却板及第二冷却板，所述第一冷却板与所述第二冷却板交替间隔排布；所述第二冷却板内形成有通孔，所...

【专利技术属性】
技术研发人员：特洛伊·乔纳森·贝克，武泽成，王颖慧，
申请(专利权)人：镓特半导体科技上海有限公司，
类型：新型
国别省市：上海,31