The utility model provides a cold trap device, tail gas treatment system and semiconductor production equipment. The cooling trap includes the cooling tank and the precipitation tank. The cooling tank includes the cooling tank and the cooling line on the cooling tank. The cooling tank is equipped with the intake and exhaust port. The air intake is located at the top of the cooling tank and the exhaust port is located at the bottom of the cooling tank. The precipitator includes the precipitate tank, which is located below the cooling tank and precipitates the tank body. An air inlet and an exhaust port are arranged on the upper part of the sedimentation tank, and the air inlet is connected with the exhaust port of the cooling tank. The cold well device of the utility model can be used to pretreat the exhaust gas discharged from the reaction chamber, avoid the dust deposition on the pumping unit to cause the pumping unit to stop, and reduce the waste gas treatment amount of the pumping unit and the tail gas treatment device, and prolong the cleaning and maintenance cycle of the equipment to reduce the production cost; the utility model is used to reduce the production cost; the utility model is used to reduce the production cost. The new structure is simple and the cost is low.
【技术实现步骤摘要】
冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备
本技术涉及半导体设备
,特别是涉及一种冷阱装置、尾气处理系统及半导体生产设备。
技术介绍
化学气相沉积工艺是利用含有薄膜元素的一种或几种气相化合物或单质,在衬底表面上进行化学反应生成薄膜的方法。由于其具有能在大大低于成膜材质的熔点或分解温度的沉积温度下制造耐熔金属和各种碳化物、氮化物、硼化物、硅化物和氧化物薄膜且制备的薄膜均匀等优点,化学气相沉积工艺越来越广泛地用于半导体芯片制造、液晶面板制造以及太阳能电池制造等行业中,但化学气相沉积工艺中用到的反应源以及反应后的余气可能存在易燃、易爆和/或有毒的危害性,且反应生成的副产物如果处理不当也容易造成粉尘污染,因此对化学气相沉积工艺中产生的废气进行无害化处理以防止环境污染非常重要。现有的化学气相沉积工艺中,普遍用干泵等抽气装置直接将废气从反应腔室抽出后送入尾气处理装置(GASSCRUBER)中做燃烧和清洗处理。但这种方式存在诸多问题,比如,由于沉积工艺中用到的气体量很大,绝大部分气体未经反应即被排出,因此抽气装置的工作量非常大,而且排出的废气以及其中含有的反应副产物中很大一部分只在高温下为气态,往往在冷却到室温后会变为固态或液态,这些副产物抽入抽气装置后很可能沉积在抽气装置内造成抽气装置的堵塞或腐蚀,甚至导致抽气装置的报废,更严重的后果是,如果因堵塞造成抽气装置停机,废气可能倒流回反应腔室,造成产品和反应腔室污染乃至造成巨大的经济损失。此外,经抽气装置抽出的大量废气送到尾气处理装置中,也对尾气处理装置的处理能力提出极大挑战。因此,在半导体芯片制造厂和液晶面板工厂里,对 ...
【技术保护点】
1.一种冷阱装置,其特征在于,所述冷阱装置包括:冷却罐,包括冷却罐体及位于所述冷却罐体上的冷却管路,所述冷却罐体包括内壁及外壁且所述冷却罐体上设有进气口及排气口,所述冷却罐的进气口位于所述冷却罐的顶部,所述冷却罐的排气口位于所述冷却罐的底部;沉淀罐,包括沉淀罐体,位于所述冷却罐的下方,所述沉淀罐体上设有进气口和排气口,所述沉淀罐的进气口位于所述沉淀罐的顶部,且与所述冷却罐的排气口相连接。
【技术特征摘要】
1.一种冷阱装置,其特征在于,所述冷阱装置包括:冷却罐,包括冷却罐体及位于所述冷却罐体上的冷却管路,所述冷却罐体包括内壁及外壁且所述冷却罐体上设有进气口及排气口,所述冷却罐的进气口位于所述冷却罐的顶部,所述冷却罐的排气口位于所述冷却罐的底部;沉淀罐,包括沉淀罐体,位于所述冷却罐的下方,所述沉淀罐体上设有进气口和排气口,所述沉淀罐的进气口位于所述沉淀罐的顶部,且与所述冷却罐的排气口相连接。2.根据权利要求1所述的冷阱装置,其特征在于:所述冷却罐的材质包括不锈钢、铝合金、汞合金、铜合金、钼合金、锰合金、铌合金及钛合金。3.根据权利要求1所述的冷阱装置,其特征在于:所述冷却管路位于所述冷却罐体的所述内壁和所述外壁之间,且所述外壁上设有与所述冷却管路相连通的进口及出口。4.根据权利要求1所述的冷阱装置,其特征在于:所述冷却罐还包括冷却板,所述冷却板设置于所述冷却罐体的所述内壁上,且所述冷却板的表面与所述冷却罐体的底面相平行或所述冷却板以1°~89°的角度向下倾斜设置于所述冷却罐体的所述内壁上。5.根据权利要求4所述的冷阱装置,其特征在于:所述冷却板包括相对的固定端及自由端,所述冷却板的固定端与所述冷却罐的内壁相连接。6.根据权利要求4所述的冷阱装置,其特征在于:所述冷却板包括第一冷却板及第...
【专利技术属性】
技术研发人员:特洛伊·乔纳森·贝克,武泽成,王颖慧,
申请(专利权)人:镓特半导体科技上海有限公司,
类型:新型
国别省市:上海,31
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