一种模拟晶圆背面缺陷的方法及装置制造方法及图纸

本发明专利技术提供一种模拟晶圆背面缺陷的方法及装置。所述方法包括：根据晶圆背面的全景图像或局部图像，解析出所述晶圆的晶边和圆心，并检测获取所述晶圆背面的缺陷区域；计算所述缺陷区域与所述晶圆的特定点的像素距离，所述特定点为所述晶圆的圆心或其他位置点；将所述缺陷区域与所述晶圆的实际尺寸相关联，根据所述像素距离将所述晶圆背面的全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像。本发明专利技术根据晶圆背面的全景图像或局部图像检测获取所述晶圆背面的缺陷区域，并根据晶圆的实际尺寸与缺陷区域的尺寸关系，将全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像，有效地解决了昂贵的机台采购费用以及人工检验主观性强等问题。

A method and device for simulating defects on the back of a wafer

The invention provides a method and device for simulating the defect on the back of the wafer. The method includes: analyzing the edge of the wafer and the center of the wafer according to the panoramic image or the local image on the back of the wafer, and detecting the defect area on the back of the wafer, calculating the distance between the defect region and the pixel of the particular point of the wafer, the special point as the center of the wafer or other position points; The defect region is associated with the actual size of the wafer, and the panoramic image or local image on the back of the wafer is converted into a defect recognition image according to the pixel distance. According to the panoramic image or local image of the back of the wafer, the defect area on the back of the wafer is obtained. According to the relation between the actual size of the wafer and the size of the defect area, the whole image or the local image is converted into a defect recognition image, which effectively solves the expensive machine purchase cost and the subjective inspection subjective. Problems such as strong sex and so on.

【技术实现步骤摘要】
一种模拟晶圆背面缺陷的方法及装置
本专利技术涉及半导体集成电路
，更具体地，涉及一种模拟晶圆背面缺陷的方法及装置。
技术介绍
晶圆是指半导体集成电路制作所用的硅晶片，其形状为圆形，故称为晶圆。通过硅晶片可加工制作成各种电路元件结构，而成为有特定电性功能的IC产品。在晶圆的制造过程中难免会有一些缺陷，晶圆背面的缺陷对集成电路的制作工艺生产的影响越来越大。现代的集成电路的制造工艺一般包含几百个工序，任何微小错误都可能导致整个芯片的失败。因此对晶圆缺陷的检测非常重要，同时检测正确率也会影响芯片的成败。传统的对晶圆背面缺陷的检测一般通过人工进行检测，人工检测具有一定的主观性，标准不统一，会造成检测正确率低。或者通过采购昂贵的机台来进行机械检测，但这种方式成本太高。
技术实现思路
本专利技术提供一种克服上述问题或者至少部分地解决上述问题的模拟晶圆背面缺陷的方法及装置。根据本专利技术的一个方面，提供一种模拟晶圆背面缺陷的方法，包括：根据晶圆背面的全景图像或局部图像，解析出所述晶圆的晶边和圆心，并检测获取所述晶圆背面的缺陷区域；计算所述缺陷区域与所述晶圆的特定点的像素距离，所述特定点为所述晶圆的圆心或其他位置点；将所述缺陷区域与所述晶圆的实际尺寸相关联，根据所述像素距离将所述晶圆背面的全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像。进一步，所述根据晶圆背面的全景图像或局部图像，解析出所述晶圆的晶边和圆心，并检测获取所述晶圆背面的缺陷区域，具体包括：将所述全景图像或局部图像的每个像素转换为灰阶值，按照所述灰阶值的大小生成新图像；在所述新图像的边缘提取边缘像素，其中每两个相邻的边缘像素的灰阶值的差值不超过预设差值，并获取所有的边缘像素作为所述晶圆的晶边，并根据晶边的尺寸获取圆心；判断所述新图像上像素的灰阶值是否大于预设阈值，将所有灰阶值大于预设阈值的像素作为所述晶圆背面的缺陷区域。进一步，所述计算所述缺陷区域与所述晶圆的特定点的像素距离，具体包括：以所述晶圆的圆心为基准，计算所述缺陷区域的每一像素与所述圆心的像素距离；或者选取所述全景图像或局部图像的一个特定位置点，计算所述缺陷区域的每一像素与所述特定位置点的像素距离；所述像素距离为两个像素点之间包含的像素点数目。进一步，所述将所述缺陷区域与所述晶圆的实际尺寸相关联，根据所述像素距离将所述晶圆背面的全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像，具体包括：根据所述晶边和圆心的位置，获取所述晶圆直径内包含的像素点数目；根据所述晶圆的直径的实际尺寸和所述晶圆直径内包含的像素点数目，计算每个像素点的直径的实际尺寸；根据所述缺陷区域的每一像素与所述特定点的像素距离，计算所述缺陷区域的每一像素与所述特定点的实际距离；根据所述晶圆的直径的实际尺寸绘制正圆，获取所述特定点对应的正圆的特定位置；以所述正圆的圆心或特定位置为基准，根据所述缺陷区域的每一像素与所述圆心或所述特定点的实际距离，将所述缺陷区域转换为所述正圆上的特定区域，从而将所述晶圆背面的全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像。具体的，所述缺陷区域的每一像素p在所述缺陷识别图像上相对于所述圆心或所述特定点的实际位置Lp通过下式计算：Lp＝Dp*Cr；其中，Dp为像素p与所述圆心或所述特定点的像素距离，Cr为单个像素的实际尺寸。具体的，所述根据所述晶圆的直径的实际尺寸和所述晶圆直径内包含的像素点数目，计算每个像素点的实际尺寸，具体的计算公式为：Cr＝Dia/Num；其中，Cr为单个像素的实际尺寸，Dia为所述晶圆的直径的实际尺寸，Num为所述晶圆直径内包含的像素点。根据本专利技术的另一个方面，还提供一种模拟晶圆背面缺陷的装置，包括：缺陷检测模块，用于根据晶圆背面的全景图像或局部图像，解析出所述晶圆的晶边和圆心，并检测获取所述晶圆背面的缺陷区域；像素距离模块，用于计算所述缺陷区域与所述晶圆的特定点的像素距离，所述特定点为所述晶圆的圆心或其他位置点；以及图像转换模块，用于将所述缺陷区域与所述晶圆的实际尺寸相关联，根据所述像素距离将所述晶圆背面的全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像。本专利技术提出一种模拟晶圆背面缺陷的方法，根据晶圆背面的全景图像或局部图像检测获取所述晶圆背面的缺陷区域，并根据晶圆的实际尺寸与缺陷区域的尺寸关系，将全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像，有效地解决了昂贵的机台采购费用以及人工检验主观性造成不标准等问题。附图说明图1为本专利技术实施例一种模拟晶圆背面缺陷的方法流程示意图；图2为本专利技术实施例晶圆全景图像示意图；图3为本专利技术实施例根据所述晶圆全景图像转换的缺陷识别图像示意图；图4为本专利技术实施例通过固定的图像采集器采集所述晶圆背面的全景图像或局部图像的示意图。具体实施方式下面结合附图和实施例，对本专利技术的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本专利技术，但不用来限制本专利技术的范围。图1为本专利技术实施例一种模拟晶圆背面缺陷的方法流程示意图，如图1所示的模拟晶圆背面缺陷的方法，包括：S100，根据晶圆背面的全景图像或局部图像，解析出所述晶圆的晶边和圆心，并检测获取所述晶圆背面的缺陷区域；所述缺陷区域可能是连续的一片区域，所述一片区域中包含若干像素点；也可能是分离的区域，也可能是分离的区域与分离的像素点。本专利技术实施例所述缺陷区域是包括了晶圆背面所有的所有缺陷像素点的总称。S200，计算所述缺陷区域与所述晶圆的特定点的像素距离，所述特定点为所述晶圆的圆心或其他位置点；所述像素距离为两个像素点之间包含的像素点数目。所述圆心和和其他位置点均为像素点。可以计算缺陷区域相对于圆心的像素距离，也可以计算缺陷区域相对于特定点的像素距离。步骤S200中以哪一点为基准进行计算，则步骤S300中以同样的点为基准进行图像转换。S300，将所述缺陷区域与所述晶圆的实际尺寸相关联，根据所述像素距离将所述晶圆背面的全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像。所述缺陷识别图像是指相对于采集的全景图像或局部图像而言、明显的指示的缺陷区域和位置的图像，可以方便的进行缺陷识别。图2为本专利技术实施例晶圆全景图像示意图，图3为本专利技术实施例根据所述晶圆全景图像转换的缺陷识别图像示意图，图2为采集的全景图像，图3为转换后的图像，可以看到，图3的圆形的最下方有一个三角形的缺陷。本专利技术实施例提出一种模拟晶圆背面缺陷的方法，根据晶圆背面的全景图像或局部图像检测获取所述晶圆背面的缺陷区域，并根据晶圆的实际尺寸与缺陷区域的尺寸关系，将全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像，有效地解决了昂贵的机台采购费用以及人工检验主观性造成不标准等问题。在一个可选的实施例中，步骤S100，所述根据晶圆背面的全景图像或局部图像，解析出所述晶圆的晶边和圆心，并检测获取所述晶圆背面的缺陷区域，具体包括：将所述全景图像或局部图像的每个像素转换为灰阶值，按照所述灰阶值的大小生成新图像；在所述新图像的边缘提取边缘像素，其中每两个相邻的边缘像素的灰阶值的差值不超过预设差值，并获取所有的边缘像素作为所述晶圆的晶边，并根据晶边的尺寸获取圆心；判断所述新图像上像素的灰阶值是否大于预设阈值，将所有灰阶值大于预设阈值的像素作为所述晶圆背面的缺陷区域。本专利技术实施例首先进行像素的灰阶转换，根据灰阶转换后的新图像提取晶边和圆心，并检测缺陷区域。在提取晶边时本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种模拟晶圆背面缺陷的方法，其特征在于，包括：根据晶圆背面的全景图像或局部图像，解析出所述晶圆的晶边和圆心，并检测获取所述晶圆背面的缺陷区域；计算所述缺陷区域与所述晶圆的特定点的像素距离，所述特定点为所述晶圆的圆心或其他位置点；将所述缺陷区域与所述晶圆的实际尺寸相关联，根据所述像素距离将所述晶圆背面的全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像。

【技术特征摘要】
1.一种模拟晶圆背面缺陷的方法，其特征在于，包括：根据晶圆背面的全景图像或局部图像，解析出所述晶圆的晶边和圆心，并检测获取所述晶圆背面的缺陷区域；计算所述缺陷区域与所述晶圆的特定点的像素距离，所述特定点为所述晶圆的圆心或其他位置点；将所述缺陷区域与所述晶圆的实际尺寸相关联，根据所述像素距离将所述晶圆背面的全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述根据晶圆背面的全景图像或局部图像，解析出所述晶圆的晶边和圆心，并检测获取所述晶圆背面的缺陷区域，具体包括：将所述全景图像或局部图像的每个像素转换为灰阶值，按照所述灰阶值的大小生成新图像；在所述新图像的边缘提取边缘像素，其中每两个相邻的边缘像素的灰阶值的差值不超过预设差值，并获取所有的边缘像素作为所述晶圆的晶边，并根据晶边的尺寸获取圆心；判断所述新图像上像素的灰阶值是否大于预设阈值，将所有灰阶值大于预设阈值的像素作为所述晶圆背面的缺陷区域。3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述计算所述缺陷区域与所述晶圆的特定点的像素距离，具体包括：以所述晶圆的圆心为基准，计算所述缺陷区域的每一像素与所述圆心的像素距离；或者选取所述全景图像或局部图像的一个特定位置点，计算所述缺陷区域的每一像素与所述特定位置点的像素距离；所述像素距离为两个像素点之间包含的像素点数目。4.根据权利要求3所述的方法，其特征在于，所述将所述缺陷区域与所述晶圆的实际尺寸相关联，根据所述像素距离将所述晶圆背面的全景图像或局部图像转换为缺陷识别图像，具体包括：根据所述晶边和圆心的位置，获取所述晶圆直径内包含的像素点数目；根据所述晶圆的直径的实际尺寸和所述晶圆直径内包含的像素点数目，计算每个像素点的直径的实际尺寸；根据所述缺陷区域的每一像素与所述特定点的像素距离，计算所述缺陷区域的每一像素与所述特定点的实际...

【专利技术属性】
技术研发人员：李剑，
申请(专利权)人：武汉新芯集成电路制造有限公司，
类型：发明
国别省市：湖北,42