一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
Magnetic recording medium and magnetic storage device
A magnetic recording medium, in turn, comprises a substrate, a bottom layer, and a magnetic layer of an alloy with a (001) oriented L10 crystal structure. The bottom layer starts from the substrate side and sequentially comprises first bottom layers and second bottom layers. The first bottom layer is a crystalline layer mainly composed of Mo. The bottom layer of the second layer is a crystalline layer containing a material and an oxide mainly composed of Mo and the content of the oxide is in the range of 2 mol%-30 mol%. The oxides are oxides of more than one element selected from groups consisting of Cr, Mo, Nb, Ta, V, and W.
【技术实现步骤摘要】
磁记录介质和磁存储装置
本专利技术涉及磁记录介质及磁存储装置。
技术介绍
近年，对硬盘装置大容量化的要求日益提高。然而，使用现有记录方式难以提高硬盘装置的记录密度。热辅助磁记录方式作为下一代记录方式已经被进行了广泛的研究，并且也是备受瞩目的技术之一。热辅助磁记录方式是一种通过从磁头向磁记录介质照射近场光(near-fieldlight)，对磁记录介质的表面进行局部加热，以使磁记录介质的矫顽力(coerciveforce)降低，进而进行写入(write)操作的记录方式。在热辅助磁记录方式中，作为构成磁性层的材料，使用了诸如具有L10型结晶结构(晶体结构)的FePt(Ku～7×107erg/cm3)、具有L10型结晶结构的CoPt(Ku～5×107erg/cm3)那样的高Ku的材料。如果作为构成磁性层的材料使用高Ku的材料，则KuV/kT变大。这里，Ku是磁性颗粒的磁各向异性常数，V是磁性颗粒的体积，k是Boltzmann(玻尔兹曼)常数，T是温度。为此，可不使热起伏(thermalfluctuation)恶化地减小磁性颗粒的体积。此时，通过对磁性颗粒进行微细化，在热辅助磁记录方式中可减小迁移(过渡)宽度，所以可降低噪音，并可改善信噪比(SNR)。另外，为了获得垂直磁各向异性较高的热辅助磁记录介质，需要使作为构成磁性层的材料而使用的具有L10型结晶结构的合金进行(001)配向(orientation)。这里，由于磁性层的(001)配向性是由底层控制的，所以需要适当选择构成底层的材料。作为构成热辅助磁记录介质的底层的材料，现有技术中熟知的有MgO、CrN、TiN等。例如，专利文献1公开了一种先制作以MgO为主成分的底层，再制作由FePt合金构成的L10型有序合金(orderedalloy)层的信息记录介质的制造方法。此外，专利文献2中记载了一种磁记录介质，具有：结晶质底层，其作为底层，并以W为主成分，且含有B、Si、C或氧化物；及磁性层，其以具有L10结构的合金为主成分。另外，专利文献3中公开了一种使用薄膜的技术，该薄膜包括：作为热辅助磁记录介质的温度控制层的、贯穿膜厚并进行延伸的低热传导率材料区域；及作为对低热传导率材料区域进行分离的高热传导率材料区域的连续的基质(matrix)。[现有技术文献][专利文献][专利文献1](日本)特开平11－353648号公报[专利文献2](日本)特开2014－220029号公报[专利文献3](日本)特开2006－196151号公报
技术实现思路
[专利技术要解决的课题]在热辅助磁记录介质中，为了获得良好的磁记录特性，如前所述，需要使用特定的底层，并使构成磁性层的具有L10型结晶结构的合金进行(001)配向。然而，在现有技术中，由于磁性层的(001)配向性并不充分，所以需要一种可提高热辅助磁记录介质的磁性层的(001)配向性的底层。此外，还需要热辅助磁记录介质的底层具有作为温度控制层的功能。即，向热辅助磁记录介质照射近场光以对热辅助磁记录介质的表面进行局部加热时，需要抑制加热部位(heatingspot)的扩大，以使平面方向的磁化迁移区域变窄，进而降低噪音，即，提高信噪比(SNR)。本专利技术是鉴于上述问题而提出的，其目的在于提供一种信噪比(SNR)较高的磁记录介质。[用于解决课题的手段](1)一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层，其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层，所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层，所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物，且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层，所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。(2)如上述(1)记载的磁记录介质，其中，所述氧化物是Mo的氧化物。(3)如上述(1)或者(2)记载的磁记录介质，其中，所述第2底层为非粒状结构。(4)如上述(1)～(3)的任一项记载的磁记录介质，其中，在所述底层和所述磁性层之间还包括障碍层，所述障碍层含有由MgO、TiO、NiO、TiN、TaN、HfN、NbN、ZrC、HfC、TaC、NbC、及TiC所组成的组中选择的一种以上的物质，并具有NaCl型结构。(5)如上述(1)～(4)的任一项记载的磁记录介质，其中，在所述基板和所述底层之间还包括配向控制层，所述配向控制层是具有BCC结构的Cr层或以Cr为主成分的合金层、或者具有B2结构的合金层。(6)一种磁记录装置，包括上述(1)～(5)的任一项记载的磁记录介质。[专利技术效果]根据本专利技术，可提供一种信噪比(SNR)较高的磁记录介质。附图说明[图1]本实施方式的磁记录介质的一例的示意图。[图2]本实施方式的磁存储装置的一例的示意图。[图3]图2的磁头的一例的示意图。[符号说明]1基板2底层3磁性层4第1底层5第2底层6障碍层7配向控制层8碳保护层9润滑层100磁记录介质101磁记录介质驱动部102磁头103磁头驱动部104信号记录再生处理系统201主磁极202辅助磁极203线圈204激光二极管205激光206近场光生成元件207波导路208记录磁头209护罩(shield)210再生元件211再生磁头具体实施方式以下，对用于实施本专利技术的方式进行说明。需要说明的是，本专利技术并不限于下述实施方式，只要不脱离本专利技术的范围，还可对下述实施方式进行各种各样的变形和置换。(磁记录介质)图1示出了本实施方式的磁记录介质的一例。磁记录介质100依次包括基板1，底层2及磁性层3，该磁性层3包括合金，该合金具有进行了(001)配向的L10型结晶结构。底层2从基板1侧开始依次包括第1底层4和第2底层5。第1底层4是以Mo为主成分的结晶质层。第2底层5是含有以Mo为主成分的材料和氧化物，且氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。氧化物是从Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。通过采用这样的结构，可提高磁记录介质100的SNR。以下，对磁记录介质100的SNR可被提高的理由进行说明。首先，底层2所含的Mo是体心立方晶格(BCC)结构，(100)配向性较高，所以可提高构成磁性层3的具有L10型结晶结构的合金的(001)配向性。此外，第2底层5所含的氧化物可不影响Mo的结晶性和(100)配向性地提高第2底层5和磁性层3之间的晶格匹配性。另外，在对磁记录介质100的表面进行局部加热以使磁性层3的矫顽力降低进而进行写入操作时，底层2通过控制加热部位的扩大，还可使平面方向的磁化迁移区域变窄。接着，对磁记录介质100进行更详细的说明。在磁记录介质100中，底层2为两层结构，从基板1侧开始依次设置了第1底层4和第2底层5。如前所述，第2底层5是含有以Mo为主成分的材料的结晶质层，其(100)配向性较高，所以可与其上所形成的具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层3进行晶格匹配。另外，通过在第2底层5之下作为第1底层4设置以Mo为主成分的结晶质层，还可进一步提高第2底层5的结晶性和(100)配向性。在热辅助方式的磁记录介质中，为了使平面方向的磁化迁移区域变窄，并降低磁记本文档来自技高网...
【技术保护点】
1.一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层，其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层，所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层，所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物、且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层，所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。
【技术特征摘要】
2017.01.24 JP 2017-0106571.一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层，其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层，所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层，所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物、且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层，所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述氧化物是Mo的氧化物。3.如...
【专利技术属性】
技术研发人员：福岛隆之，大桥荣久，张磊，村上雄二，柴田寿人，山口健洋，神边哲也，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP
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