磁记录介质和磁存储装置制造方法及图纸

一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层。所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层。所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层。所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层。所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。

Magnetic recording medium and magnetic storage device

A magnetic recording medium, in turn, comprises a substrate, a bottom layer, and a magnetic layer of an alloy with a (001) oriented L10 crystal structure. The bottom layer starts from the substrate side and sequentially comprises first bottom layers and second bottom layers. The first bottom layer is a crystalline layer mainly composed of Mo. The bottom layer of the second layer is a crystalline layer containing a material and an oxide mainly composed of Mo and the content of the oxide is in the range of 2 mol%-30 mol%. The oxides are oxides of more than one element selected from groups consisting of Cr, Mo, Nb, Ta, V, and W.

【技术实现步骤摘要】
磁记录介质和磁存储装置
本专利技术涉及磁记录介质及磁存储装置。
技术介绍
近年，对硬盘装置大容量化的要求日益提高。然而，使用现有记录方式难以提高硬盘装置的记录密度。热辅助磁记录方式作为下一代记录方式已经被进行了广泛的研究，并且也是备受瞩目的技术之一。热辅助磁记录方式是一种通过从磁头向磁记录介质照射近场光(near-fieldlight)，对磁记录介质的表面进行局部加热，以使磁记录介质的矫顽力(coerciveforce)降低，进而进行写入(write)操作的记录方式。在热辅助磁记录方式中，作为构成磁性层的材料，使用了诸如具有L10型结晶结构(晶体结构)的FePt(Ku～7×107erg/cm3)、具有L10型结晶结构的CoPt(Ku～5×107erg/cm3)那样的高Ku的材料。如果作为构成磁性层的材料使用高Ku的材料，则KuV/kT变大。这里，Ku是磁性颗粒的磁各向异性常数，V是磁性颗粒的体积，k是Boltzmann(玻尔兹曼)常数，T是温度。为此，可不使热起伏(thermalfluctuation)恶化地减小磁性颗粒的体积。此时，通过对磁性颗粒进行微细化，在热辅助磁记录方式中可减本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层，其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层，所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层，所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物、且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层，所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。

【技术特征摘要】
2017.01.24 JP 2017-0106571.一种磁记录介质，依次包括基板、底层、及具有进行了(001)配向的L10型结晶结构的合金的磁性层，其中，所述底层从所述基板侧开始依次包括第1底层和第2底层，所述第1底层是以Mo为主成分的结晶质层，所述第2底层是含有以Mo为主成分的材料和氧化物、且所述氧化物的含量位于2mol％～30mol％的范围内的结晶质层，所述氧化物是从由Cr、Mo、Nb、Ta、V、及W所组成的组中选择的一种以上的元素的氧化物。2.如权利要求1所述的磁记录介质，其中，所述氧化物是Mo的氧化物。3.如...

【专利技术属性】
技术研发人员：福岛隆之，大桥荣久，张磊，村上雄二，柴田寿人，山口健洋，神边哲也，
申请(专利权)人：昭和电工株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP