OLED显示面板及其制造方法技术

本发明专利技术实施例公开了一种OLED显示面板，包括：TFT阵列基板；平坦化层，其位于TFT阵列基板上面，所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层，所述第二平坦化层位于第一平坦化层上，所述第一平坦化层的粘度低于第二平坦化层的粘度；OLED显示层，其位于平坦化层上。本发明专利技术实施例还公开了一种OLED显示面板的制造方法。采用本发明专利技术，具有改善OLED显示面板的品质的优点。

【技术实现步骤摘要】
OLED显示面板及其制造方法
本专利技术涉及显示
，特别是涉及一种OLED显示面板及其制造方法。
技术介绍
OLED显示面板，一般包括TFT阵列基板、一层平坦化层和OLED显示层，OLED显示层包括OLED发光层。一般说来，平坦化层越平坦越好，这样其上的OLED发光区膜厚较均一，这样发光也较为均匀。然而，通常TFT阵列基板上会有各种走线和过孔，造成TFT阵列基板上会有起伏，虽然平坦化层可以减小TFT阵列基板的起伏，然而，由于只有一层平坦化层，如果平坦化层采用粘度较低的材料，平坦效果会较好，但是后续会慢慢释放出一些气体杂质，这些气体杂质会影响OLED发光层的寿命；如果平坦化层采用粘度较高的材料形成，气体杂质的释放可以减少，但是由于粘度较高，平坦化层本身不太平坦，会导致OLED发光区不平整，从而导致OLED发光层发光不均一。综上，单一的平坦化层很难做到既平坦化效果好，又气体杂质释放少，造成OLED显示面板品质不好。
技术实现思路
本专利技术实施例所要解决的技术问题在于，提供一种OLED显示面板及其制造方法。可有效改善OLED显示面板的品质。为了解决上述技术问题，本专利技术第一方面实施例提供了一种OLED显示面板，包括：TFT阵列基板；平坦化层，其位于TFT阵列基板上面，所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层，所述第二平坦化层位于第一平坦化层上，所述第一平坦化层的粘度低于第二平坦化层的粘度；OLED显示层，其位于平坦化层上。在本专利技术第一方面一实施例中，所述第一平坦化层的粘度小于4厘泊。在本专利技术第一方面一实施例中，所述第二平坦化层的粘度大于或等于4厘泊。在本专利技术第一方面一实施例中，所述平坦化层的厚度为1μm-6μm。在本专利技术第一方面一实施例中，所述第一平坦化层或/和所述第二平坦化层的厚度为0.5μm-3μm。在本专利技术第一方面一实施例中，所述第一平坦化层的材料为丙烯酸类材料，或/和，所述第二平坦化层的材料为聚酰亚胺类材料。在本专利技术第一方面一实施例中，所述OLED显示层包括第一电极层、像素定义层、OLED发光层、第二电极层，其中，所述第一电极层为阳极和阴极之一，所述第二电极层为阳极和阴极的另外一个电极。在本专利技术第一方面一实施例中，所述OLED发光层通过喷墨打印工艺形成。在本专利技术第一方面一实施例中，所述TFT阵列基板包括衬底基板、薄膜晶体管层，所述薄膜晶体管层形成在所述衬底基板上。本专利技术第二方面实施例提供了一种OLED显示面板的制造方法，包括：形成TFT阵列基板；在TFT阵列基板上形成平坦化层，其中，所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层，所述第二平坦化层位于第一平坦化层上方，所述第一平坦化层的粘度要低于第二平坦化层的粘度；在平坦化层上形成OLED显示层。实施本专利技术实施例，具有如下有益效果：由于OLED显示面板包括平坦化层，所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层，所述第二平坦化层位于第一平坦化层上，所述第一平坦化层的粘度低于第二平坦化层的粘度。从而，所述第一平坦化层的平坦化效果较好，后面形成的OLED发光层膜厚也比较均一，发光比较均一；而且，所述第二平坦化层释放的气体杂质比较少，且可以防止下面的膜层产生的气体杂质向上传递，从而可以减少气体杂质对OLED显示层的影响。从而OLED显示面板整体品质较好。附图说明为了更清楚地说明本专利技术实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本专利技术的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。图1是本专利技术一实施例OLED显示面板的示意图；图2是本专利技术一实施例OLED显示面板制造方法的流程图；图示标号：110-TFT阵列基板；111-衬底基板；112-薄膜晶体管层；120-平坦化层；121-第一平坦化层；122-第二平坦化层；130-OLED显示层；131-第一电极层；132-像素定义层；133-OLED发光层；134-第二电极层。具体实施方式下面将结合本专利技术实施例中的附图，对本专利技术实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本专利技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本专利技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有作出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本专利技术保护的范围。本申请说明书、权利要求书和附图中出现的术语“包括”和“具有”以及它们任何变形，意图在于覆盖不排他的包含。例如包含了一系列步骤或单元的过程、方法、系统、产品或设备没有限定于已列出的步骤或单元，而是可选地还包括没有列出的步骤或单元，或可选地还包括对于这些过程、方法、产品或设备固有的其它步骤或单元。此外，术语“第一”、“第二”和“第三”等是用于区别不同的对象，而并非用于描述特定的顺序。本专利技术实施例提供一种OLED显示面板，请参见图1，所述OLED显示面板包括TFT阵列基板110、平坦化层120、OLED显示层130。在本实施例中，所述TFT阵列基板110包括衬底基板111、薄膜晶体管层112。其中，所述衬底基板111可以为玻璃基板、塑料基板等。所述薄膜晶体管层112形成在所述衬底基板111上，所述薄膜晶体管层112包括多个薄膜晶体管，每个薄膜晶体管包括栅极、栅极绝缘层、半导体层、源极、漏极等。在本实施例中，所述薄膜晶体管可以为非晶硅(a-Si)薄膜晶体管、低温多晶硅(LTPS)薄膜晶体管、金属氧化物薄膜晶体管等。另外，在本实施例中，所述薄膜晶体管层112还包括多条扫描线和多条数据线，多条扫描线沿第一方向延伸，多条数据线沿第二方向延伸，所述第二方向与第一方向互相垂直。在本实施例中，所述平坦化层120形成在所述TFT阵列基板110上面，所述平坦化层120至少包括两层：第一平坦化层121和第二平坦化层122，所述第一平坦化层121位于TFT阵列基板110上，所述第二平坦化层122位于所述第一平坦化层121上。为了使平坦化层120平坦化效果好，又气体杂质释放少，在本实施例中，所述第一平坦化层121粘度较低，从而平坦化效果较好，从而可以使OLED显示层130的发光区比较平整，OLED显示层130的发光比较均一；所述第二平坦化层122粘度较高，从而可以减少平坦化层120释放的气体往上传递，从而可以减少气体杂质对OLED显示层130的影响，不会影响OLED显示层130的寿命。在本实施例中，所述第一平坦化层121的粘度低于第二平坦化层122的粘度，从而第一平坦化层121比较疏松，有利于第一平坦化层121的平坦化，而且第二平坦化层122比较致密，第二平坦化层122本身产生的气体杂质比较少，而且可以防止下面的膜层产生的气体杂质向上传递，从而可以减少气体杂质对OLED显示层130的影响，气体杂质不会影响OLED显示层130的寿命。在本实施例中，所述第一平坦化层121的粘度小于4厘泊(cP)，例如为3.5厘泊、3厘泊、2.5厘泊、2厘泊、1.5厘泊、1厘泊、0.5厘泊等，从而，第一平坦化层121流动性较好，平坦化的效果较好。在本实施例中，所述第一平坦化层121的材料例如为丙烯酸类材料等。在本实施例中，所述第二平坦化层122的粘度大于或等于4厘泊(cP)，例如为4厘泊、5厘本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：TFT阵列基板；平坦化层，其位于TFT阵列基板上面，所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层，所述第二平坦化层位于第一平坦化层上，所述第一平坦化层的粘度低于第二平坦化层的粘度；OLED显示层，其位于平坦化层上。

【技术特征摘要】
1.一种OLED显示面板，其特征在于，包括：TFT阵列基板；平坦化层，其位于TFT阵列基板上面，所述平坦化层包括第一平坦化层和第二平坦化层，所述第二平坦化层位于第一平坦化层上，所述第一平坦化层的粘度低于第二平坦化层的粘度；OLED显示层，其位于平坦化层上。2.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一平坦化层的粘度小于4厘泊。3.如权利要求1所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第二平坦化层的粘度大于或等于4厘泊。4.如权利要求1-3任意一项所述的OLED显示面板，其特征在于，所述平坦化层的厚度为1μm-6μm。5.如权利要求4所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一平坦化层或/和所述第二平坦化层的厚度为0.5μm-3μm。6.如权利要求1-3任意一项所述的OLED显示面板，其特征在于，所述第一平坦化层的材料为丙烯酸类材料，或/和，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：周星宇，唐甲，张晓星，徐源竣，
申请(专利权)人：深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44