【技术实现步骤摘要】
一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线
:本专利技术涉及一种光学纳米天线,具体涉及一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线。
技术介绍
:近年来,光和纳米尺度物质的相互作用在基础理论和实验方面的研究都得到了迅速发展,随着纳米光学的不断成熟,纳米科学可作为一种新的技术控制和利用纳米量级的物质。而光学纳米天线可以超过衍射极限,在纳米量级控制光场。纳米天线是一种可将近场局域光场和远场辐射光场进行高效自由转换的纳米尺度装置,能够实现集成光学器件上光子信息传输,因此纳米光学天线在太阳能电池、量子信息技术、光学和生物感测等领域有着广泛应用,可知设计出拥有良好远场特性的纳米光学天线具有非常重要的研究价值。纳米光学天线是金属纳米结构中一个重要的研究方向,然而由于金属材料在可见光区域存在高损耗,只有很少一部分基于局域表面等离激元的应用在实际中被实现。同金属纳米材料相比,高折射率电介质纳米颗粒在可见光区域的损耗非常小,且能够产生金属材料所不具备的电磁类型光学共振,这些优点促使对高介电纳米天线散射特性的研究受到广泛关注。Kerker等人通过研究磁性纳米材料的光散射效应,发现纳米颗 ...
【技术保护点】
1.一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线,其特征在于:包括两个对称分布的十字架,所述十字架的材质为硅,两个十字架之间的距离D为3‑8 nm;所述十字架的截面尺寸中横杆长度L1为180‑230 nm,纵杆长度L2为130‑170 nm,横杆宽度W1为45‑70nm,纵杆宽度W2为75‑115nm,厚度H为70‑110 nm。
【技术特征摘要】
1.一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线,其特征在于:包括两个对称分布的十字架,所述十字架的材质为硅,两个十字架之间的距离D为3-8nm;所述十字架的截面尺寸中横杆长度L1为180-230nm,纵杆长度L2为130-170nm,横杆宽度W1为45-70nm,纵杆宽度W2为75-115nm,厚度H为70-110nm。2.根据权利要求1所述的一种基于硅十字架二聚体的单向性光学纳米天线,其特征在于:所述两个十字架之间的距离D为5nm;所述十字架的截面尺寸L1为200nm,L2为150nm,W1为60nm,W2为90nm,...
【专利技术属性】
技术研发人员:吕靖薇,刘超,汪发美,刘强,段志伟,牟海维,
申请(专利权)人:东北石油大学,
类型:发明
国别省市:黑龙江,23
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