电路构件连接用树脂片制造技术

本发明专利技术提供一种电路构件连接用树脂片，其为介于相对的电极之间而将相对的电极电连接的膜状的树脂组成物组合物，其特征在于，树脂组合物的固化物的玻璃化转变温度为150～350℃，且于0～130℃的平均线膨胀系数为45ppm以下。根据该电路构件连接用树脂片，在将电路构件彼此连接时，连接部的连接电阻不容易产生变化，具有高可靠性。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】电路构件连接用树脂片
本专利技术涉及一种树脂片，例如，涉及一种用于通过所谓的倒装芯片(FlipChip)封装方式而将半导体芯片与基板接着的电路构件连接用树脂片。
技术介绍
近年来，从半导体集成电路(IC)的高集成化、半导体装置(IC封装)的小型化等角度出发，逐渐采用倒装芯片封装方式。该倒装芯片封装方式为无引线接合(wirelessbonding)方式的一种，其通过在半导体芯片表面的电极上形成由焊料等构成的凸点(bump)，将该半导体芯片的表里对调并载置在印刷基板、陶瓷基板等基板上，进行了凸点与基板的电极的对准之后，使凸点加热熔融，从而将半导体芯片的电极与基板的电极接合。在利用这样的倒装芯片封装方式的半导体装置中，为了确保电连接可靠性及机械连接强度，通常使被称为底部填充材料的树脂介于半导体芯片与基板之间。作为底部填充材料的使用方法，已知将半导体芯片与基板焊接之后，将由液状树脂组合物构成的底部填充材料注入两者的间隙，并使其固化的方法。但是，近年来伴随着由半导体集成电路的高集成化带来的多电极化、电极的窄间距(narrowpitch)化及半导体装置的薄型化，上述凸点相互的间隔逐渐变得非常狭窄，此外，半导体芯片与基板的距离逐渐变得非常小。因此，将液状树脂组合物用作底部填充材料的上述方法，存在将底部填充材料完全地填充至半导体芯片与基板的间隙变得困难的问题。对于该问题，有人提出了一种使用被称为NCF(Non-ConductiveFilm)的接着膜而将半导体芯片与基板接着的方法(例如，参照专利文献1)。然而，对于这样的底部填充材料，要求即使在温度循环试验下，半导体芯片与基板的连接电阻也无变化的高可靠性。关于这一点，作为底部填充材料，有人提出了一种含有无机质填充材料、且固化后于110～130℃的平均热膨胀系数为200ppm以下的接着剂(参照专利文献2)。现有技术文献专利文献专利文献1：日本特开2009-277818号公报专利文献2：日本特开平10-287848号公报
技术实现思路
本专利技术要解决的技术问题但是，专利文献2的接着剂存在线膨胀系数仍然较大，在温度循环试验中无法确保良好的结果的问题。本专利技术是鉴于这样的实际情况而进行的，其目的在于提供一种连接部的连接电阻不容易产生变化，具有高可靠性的电路构件连接用树脂片。解决技术问题的技术手段为了达成上述目的，第一，本专利技术提供一种电路构件连接用树脂片，其为介于相对的电极之间，用于将所述相对的电极电连接的电路构件连接用树脂片，其特征在于，构成所述树脂片的材料的固化物的玻璃化转变温度为150～350℃，且于0～130℃的平均线膨胀系数为45ppm以下(专利技术1)。上述专利技术(专利技术1)涉及的电路构件连接用树脂片，由于固化物的玻璃化转变温度为150～350℃，且平均线膨胀系数为45ppm以下，因此与被粘物(电路构件)的线膨胀系数的差值变小，能够降低可能在树脂片与被粘物之间产生的应力。因此，上述专利技术(专利技术1)涉及的电路构件连接用树脂片能够使电路构件彼此的连接可靠性高。在上述专利技术(专利技术1)中，优选构成所述树脂片的材料含有选自由聚乙烯醇缩醛树脂及聚酯树脂组成的组中的1种以上的热塑性成分(专利技术2)。在上述专利技术(专利技术2)中，优选构成所述树脂片的材料进一步含有苯氧基树脂作为所述热塑性成分(专利技术3)。在上述专利技术(专利技术1～3)中，优选构成所述树脂片的材料含有无机填料(专利技术4)。在上述专利技术(专利技术4)中，优选所述无机填料为二氧化硅填料(专利技术5)，优选所述无机填料的平均粒径为10～200nm(专利技术6)。在上述专利技术(专利技术4～6)中，优选构成所述树脂片的材料含有35～64质量％的所述无机填料(专利技术7)。在上述专利技术(专利技术1～7)中，优选构成所述树脂片的材料含有具有熔剂功能(fluxfunction)的成分(专利技术8)。在上述专利技术(专利技术8)中，优选含有具有羧基的成分作为所述具有熔剂功能的成分(专利技术9)，优选该具有羧基的成分为2-甲基戊二酸(专利技术10)。专利技术效果本专利技术的电路构件连接用树脂片，在将电路构件彼此连接时，连接部的连接电阻不容易产生变化，具有高可靠性。具体实施方式以下，对本专利技术的实施方式进行说明。本实施方式涉及的电路构件连接用树脂片介于相对的电极之间，用于将相对的电极电连接。作为电路构件，只要为在电路中形成有电极的构件就没有特别限定，例如，除了半导体芯片、半导体晶圆之外，能够列举出引线框架、陶瓷电路基板、玻璃电路基板等无机电路基板，有机刚性电路基板(rigidcircuitboard)、柔性电路基板等有机电路基板。1.物性(1)固化物的玻璃化转变温度在本实施方式中，构成树脂片的材料的固化物的玻璃化转变温度(Tg)的下限值为150℃以上，优选为200℃以上，特别优选为240℃以上。若固化物的玻璃化转变温度为上述下限值以上，则在温度循环试验时能够抑制固化物的变形，能够降低可能在树脂片与被粘物之间产生的应力。由此，本实施方式涉及的电路构件连接用树脂片能够使电路构件彼此的连接可靠性高，特别是在实施例所示的温度循环试验中显示高连接可靠性。另一方面，固化物的玻璃化转变温度的上限值为350℃以下，优选为300℃以下，特别优选为280℃以下。若固化物的玻璃化转变温度为上述上限值以下，则能够抑制固化物的脆化，能够抑制可靠性试验中的封装的裂纹。在此，构成树脂片的材料的固化物的玻璃化转变温度为使用动态粘弹性测定装置而测定的值，试验方法的细节如后述的实施例所示。(2)固化物的平均线膨胀系数在本实施方式中，构成树脂片的材料的固化物于0～130℃的平均线膨胀系数(以下，有时仅称为“平均线膨胀系数”)的上限值为45ppm以下，优选为35ppm以下，特别优选为25ppm以下。若平均线膨胀系数为上述上限值以下，则由固化物构成的树脂片与被粘物(电路构件)的线膨胀系数的差值变小，基于该差值，能够降低可能在树脂片与被粘物之间产生的应力。由此，本实施方式涉及的电路构件连接用树脂片能够使电路构件彼此的连接可靠性高，特别是在实施例所示的温度循环试验中显示高连接可靠性。另一方面，平均线膨胀系数的下限值虽没有特别限制，但从膜形成性的角度出发，优选为5ppm以上，更优选为10ppm以上。在此，构成树脂片的材料的平均线膨胀系数为使用热机械分析装置而测定的值，试验方法的细节如后述的实施例所示。(3)熔体粘度(meltviscosity)在本实施方式中，构成树脂片的材料，其固化前于90℃的熔体粘度(以下，有时称为“90℃熔体粘度”)的上限值优选为5.0×105pa·s以下，进一步优选为1.0×105Pa·s以下，特别优选为5.0×104Pa·s以下。若90℃熔体粘度为上述上限值以下，则使电路构件连接用树脂片介于电极之间时，能够良好地追随芯片、基板等电路构件表面的凹凸，防止在电路构件与由树脂片构成的层的界面产生空隙。此外，90℃熔体粘度的下限值优选为1.0×100Pa·s以上，进一步优选为1.0×101Pa·s以上，特别优选为1.0×102Pa·s以上。若90℃熔体粘度为上述下限值以上，则构成上述树脂片的材料不会流动过度，在树脂片贴附时或电路连接时能够防止装置的污染。在此，构成树脂片的材料的90℃熔体粘度为使用流动试验仪(ShimadzuCorporation制造，CF本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种电路构件连接用树脂片，其为介于相对的电极之间，用于将所述相对的电极电连接的电路构件连接用树脂片，其特征在于，构成所述树脂片的材料的固化物的玻璃化转变温度为150～350℃，且于0～130℃的平均线膨胀系数为45ppm以下。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.24 JP 2015-2292111.一种电路构件连接用树脂片，其为介于相对的电极之间，用于将所述相对的电极电连接的电路构件连接用树脂片，其特征在于，构成所述树脂片的材料的固化物的玻璃化转变温度为150～350℃，且于0～130℃的平均线膨胀系数为45ppm以下。2.根据权利要求1所述的电路构件连接用树脂片，其特征在于，构成所述树脂片的材料含有选自由聚乙烯醇缩醛树脂及聚酯树脂组成的组中的1种以上的热塑性成分。3.根据权利要求2所述的电路构件连接用树脂片，其特征在于，构成所述树脂片的材料进一步含有苯氧基树脂作为所述热塑性成分。4.根据权利要求1～3中任一项所述的电路构件连接用树脂片，其特征在于...

【专利技术属性】
技术研发人员：根津裕介，杉野贵志，土谷和宽，
申请(专利权)人：琳得科株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP