具有高效散热结构的集成电路制造技术

本发明专利技术公开一种具有高效散热结构的集成电路，其包括：表面设有衬底焊盘的第一衬底、设于第一衬底之上的半导体衬底、连接第一衬底的衬底焊盘和半导体衬底的底面的连接件、以及设于半导体衬底上的芯片，其中，所述半导体衬底包括设于芯片下部的绝缘层以及位于绝缘层下部的支撑衬底；所述支撑衬底上设有若干个阵列排列的贯穿通孔，各贯穿通孔交错分布且相互贯通，使支撑衬底形成蜂巢结构。本申请通过创新性的将半导体衬底的支撑衬底制成蜂巢结构，蜂巢结构上的各贯穿通孔相互贯通，可将位于半导体衬底上部的芯片所产生的热量迅速传递到边缘，以起到绝佳的散热效果。

【技术实现步骤摘要】
具有高效散热结构的集成电路
本专利技术涉及微电子封装技术，具体是一种具有高效散热结构的集成电路。
技术介绍
随着微电子芯片高速度、高密度、高性能的发展，散热管理成了微系统封装中的一个非常重要的问题。在半导体晶片上制造的大规模集成电路芯片中，电子信号由电流携带通过导体和晶体管。在集成电路芯片中由电流携带的能量以热量的形式沿电流流过集成电路的路径部分耗散。在集成电路中生成的热量P是动态功率PD和静态功率PS之和：P=PD+PS=ACV2f+VIleak其中A是栅极活性因数，C是全部栅极的总电容负载，V2是峰到峰电源电压摆动，f是频率，并且Ileak是泄漏电流。静态功率项PS=VIleak是由于泄漏电流Ileak耗散的静态功率。动态功率项PD=ACV2f是从集成电路的电容负载的充电和放电耗散的动态功率。集成电路芯片的另一特性是芯片上温度的不均匀分布。越来越多的功能块集成在片上系统SOC设计的单芯片中，这样，较高的功率密度块产生不均匀的温度分布，并在集成电路芯片上导致“热点或过热点”，也称为“热块或过热块”。过热点能够导致跨芯片约5℃到大致30℃的温差。现有技术中，一般是通过散热器、散热片和本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有高效散热结构的集成电路，其特征在于，包括：表面设有衬底焊盘的第一衬底、设于第一衬底之上的半导体衬底、连接第一衬底的衬底焊盘和半导体衬底的底面的连接件、以及设于半导体衬底上的芯片；其中，所述半导体衬底包括设于芯片下部的绝缘层以及位于绝缘层下部的支撑衬底；所述支撑衬底上设有若干个阵列排列的贯穿通孔，各贯穿通孔交错分布且相互贯通，使支撑衬底形成蜂巢结构。

【技术特征摘要】
1.一种具有高效散热结构的集成电路，其特征在于，包括：表面设有衬底焊盘的第一衬底、设于第一衬底之上的半导体衬底、连接第一衬底的衬底焊盘和半导体衬底的底面的连接件、以及设于半导体衬底上的芯片；其中，所述半导体衬底包括设于芯片下部的绝缘层以及位于绝缘层下部的支撑衬底；所述支撑衬底上设有若干个阵列排列的贯穿通孔，各贯穿通孔交错分布且相互贯通，使支撑衬底形成蜂巢结构。2.根据权利要求1所述的具有高效散热结构的集成电路，其特征在于：所述半导体衬底由贯穿通孔分割为多个十二面体结构，半导体衬底的横截面由多个阵列排列的五边形构成。3.根据权利要求2所述的具有高效散热结构的集成电路，其特征在于：所述十二面体结构是正十二面体。4.根据权利要求1-3任一所述的具有高效散热结构的集成电路，其特征在于：所述贯穿通孔内填充有高导热的散热材料。5.根据权利要求4所述的具有高效散热结构的集成电路，其特征在于：所述散热材料包括按照重量份计算的如下组分：石墨烯杂化粉体10-1...

【专利技术属性】
技术研发人员：汤和平，汤海滨，汤丽婉，汤丽勤，汤远照，张水机，汤进生，汤炀，
申请(专利权)人：厦门科一半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：福建,35