【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及微电子封装技术，具体是一种高效散热的集成电路组件。
技术介绍
1、随着微电子芯片高速度、高密度、高性能的发展，散热管理成了微系统封装中的一个非常重要的问题。在半导体晶片上制造的大规模集成电路芯片中，电子信号由电流携带通过导体和晶体管。在集成电路芯片中由电流携带的能量以热量的形式沿电流流过集成电路的路径部分耗散。在集成电路中生成的热量p是动态功率pd和静态功率ps之和：
2、p=pd+ps=acv2f+vileak；
3、其中a是栅极活性因数，c是全部栅极的总电容负载，v2是峰到峰电源电压摆动，f是频率，并且ileak是泄漏电流。静态功率项ps=vileak是由于泄漏电流ileak耗散的静态功率。动态功率项pd=acv2f是从集成电路的电容负载的充电和放电耗散的动态功率。
4、集成电路芯片的另一特性是芯片上温度的不均匀分布。越来越多的功能块集成在片上系统soc设计的单芯片中，这样，较高的功率密度块产生不均匀的温度分布，并在集成电路芯片上导致“热点或过热点”，也称为“热块或过热块”。过热点能...
【技术保护点】
1.一种集成电路组件，包括表面设有衬底焊盘的第一衬底、设于第一衬底之上的半导体衬底、连接第一衬底的衬底焊盘和半导体衬底的底面的连接件、以及设于半导体衬底上的芯片，所述半导体衬底包括设于芯片下部的绝缘层以及位于绝缘层下部的支撑衬底；其特征在于：
2.根据权利要求1所述的集成电路组件，其特征在于：所述锥形穿孔内填充有散热材料。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路组件，其特征在于：所述锥形穿孔的内壁具有涂覆层，涂覆层的材料是铜、铝或其他导电材料。
4.根据权利要求3所述的集成电路组件，其特征在于：所述锥形穿孔的涂覆层的厚度自上而下为均匀...
【技术特征摘要】
1.一种集成电路组件，包括表面设有衬底焊盘的第一衬底、设于第一衬底之上的半导体衬底、连接第一衬底的衬底焊盘和半导体衬底的底面的连接件、以及设于半导体衬底上的芯片，所述半导体衬底包括设于芯片下部的绝缘层以及位于绝缘层下部的支撑衬底；其特征在于：
2.根据权利要求1所述的集成电路组件，其特征在于：所述锥形穿孔内填充有散热材料。
3.根据权利要求1或2所述的集成电路组件，其特征在于：所述锥形穿孔的内壁具有涂覆层，涂覆层的材料是铜、铝或其他导电材料。
4.根据权利要求3所述的集成电路组件，其特征在于：所述锥形穿孔的涂覆层的厚度自上而下为均匀的厚度，或...
【专利技术属性】
技术研发人员：汤海滨，汤和平，汤丽婉，汤丽勤，汤远照，张水基，汤进生，汤炀，
申请(专利权)人：厦门科一半导体科技有限公司，
类型：发明
国别省市：
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