垂直型半导体器件及其制造方法和操作方法技术

一种垂直型半导体器件的制造方法，包括以下步骤：在公共源极区上形成柱体结构，在柱体结构中层叠有导电层和数据储存材料；在包括柱体结构的公共源极区上形成栅绝缘层和栅电极材料；以及将栅电极材料去除至预定高度，以使栅电极材料在至少一个方向绝缘。或者，在每个柱体结构中层叠有导电层和第一绝缘层。所述方法还可包括：在包括栅电极材料的公共源极区上形成第二绝缘层以掩埋在柱体结构之间，将第二绝缘层平坦化以暴露出第一绝缘层的表面，以及去除第一绝缘层；以及将数据储存材料掩埋在去除了第一绝缘层的空间中。

Vertical semiconductor device and manufacturing method and operation method thereof

A manufacturing method for a vertical semiconductor device including the following steps: a column structure is formed on a common source area, a layer of conductive layer and a data storage material is stacked in the column structure; a gate insulation layer and a gate electrode material are formed on the common source area including the column structure; and the gate electrode material is removed to the predetermined height. In order to insulate the gate electrode material in at least one direction. Alternatively, there is a conductive layer and a first insulating layer in each column structure. The method may also include: forming a second insulating layer on a common source area including a gate electrode material to be buried between the column structure, flattening the second insulating layer to expose the surface of the first insulating layer, and removing the first insulating layer, and burying the data storage material in the space of the first insulating layer.

【技术实现步骤摘要】
垂直型半导体器件及其制造方法和操作方法本专利申请是申请日为2013年10月30日、申请号为201310528766.2、专利技术名称为“垂直型半导体器件及其制造方法和操作方法”的分案申请。相关申请的交叉引用本申请要求2013年3月6日向韩国知识产权局提交的申请号为10-2013-0024122的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
本专利技术构思涉及一种半导体器件，更具体而言，涉及一种垂直型半导体器件及其制造方法和操作方法。
技术介绍
随着对应用于越来越小型化的电子装置的具有超高集成、超高速度、以及超低功率的半导体器件的需求，已经积极地研究垂直型存储器件。近年来，阻变存储器件作为下一代存储器件正引起注意，并且已经采用垂直结构。阻变存储器件经由存取器件来选择单元。阻变存储器件是被配置成通过改变与其电连接的数据储存材料的电阻状态来储存数据的器件。作为阻变存储器件的一个实例，存在相变随机存取存储器件(PCRAM)、阻变RAM(ReRAM)、以及磁性RAM(MRAM)。采用二极管或晶体管作为阻变存储器件的存取器件。具体地，因为与二极管相比晶体管通过控制阈值电压降低而具有低的操作本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种制造垂直型半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在公共源极区上形成柱体结构，每个所述柱体结构中层叠有导电层和第一绝缘层；在包括所述柱体结构的公共源极区上形成栅绝缘层和栅电极材料；将所述栅电极材料去除至预定高度，以使栅电极材料在至少一个方向绝缘；在包括所述栅电极材料的公共源极区上形成第二绝缘层以掩埋在所述柱体结构之间，将所述第二绝缘层平坦化以暴露出所述第一绝缘层的表面，以及去除所述第一绝缘层；以及将数据储存材料掩埋在去除了所述第一绝缘层的空间中。

【技术特征摘要】
2013.03.06 KR 10-2013-00241221.一种制造垂直型半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤：在公共源极区上形成柱体结构，每个所述柱体结构中层叠有导电层和第一绝缘层；在包括所述柱体结构的公共源极区上形成栅绝缘层和栅电极材料；将所述栅电极材料去除至预定高度，以使栅电极材料在至少一个方向绝缘；在包括所述栅电极材料的公共源极区上形成第二绝缘层以掩埋在所述柱体结构之间，将所述第二绝缘层平坦化以暴露出所述第一绝缘层的表面，以及去除所述第一绝缘层；以及将数据储存材料掩埋在去除了所述第一绝缘层的空间中。2.如权利要求1所述的方法，其中，所述数据储存材料包括相变材料。3.如权利要求1所述的方法，其中，所述数据储存材料被形成为具有晶态相变材料、非晶相变材料以及晶态相变材料的层叠结构。4.如权利要求1所述的方法，其中，数据储存材料包括钙钛矿或过渡金属氧化物。5.如权利要求1所述的方法，其中，所述数据储存材料具有第一阻挡金属层、钙钛矿层以及第二阻挡金属层的层叠结构，或者第一阻挡金属层、过渡金属氧化物层以及第二阻挡金属层的层叠结构。6.如权利要求1所述的方法，还...

【专利技术属性】
技术研发人员：崔康植，
申请(专利权)人：爱思开海力士有限公司，
类型：发明
国别省市：韩国,KR