The invention discloses a nonvolatile memory unit, which comprises a silicon substrate, a source region and a drain zone formed in the silicon substrate (the channel area of the substrate is limited to the source region and the drain region), and is set above the first part of the channel area and is set above the first part of the channel area and is set above the first part of the channel region and A metal floating gate insulated from the first part of the channel area, a metal control gate insulated above the metal floating gate, a polysilicon erasing gate above the source area and insulated from the source region, and above the second part of the channel area and with the ditch. The second part of the road is insulated polycrystalline silicon grating.
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】金属浮栅在非易失性存储器中的集成相关专利申请本专利申请要求2015年11月3日提交的美国临时专利申请No.62/250,002的权益,并且该专利申请以引用方式并入本文。
本专利技术涉及非易失性存储器单元以及它们的制造。
技术介绍
非易失性存储器器件在本领域中是公知的。例如,美国专利7,868,375(出于所有目的以引用方式并入本文)公开了具有浮栅、选择栅、擦除栅和控制栅的存储器单元。这些导电栅由多晶硅形成。当此类存储器单元与逻辑器件形成在同一晶圆上时,需要降低该存储器单元的总高度,使得该存储器单元的高度更好地匹配该逻辑器件的较低高度(即,该存储器单元和它们的形成与该逻辑器件和它们的形成更加相容)。因此,不断努力缩小存储器堆叠的高度(其包括浮栅和控制栅)。然而,对这些多晶硅栅极的尺寸进行缩小可能是有问题的。例如,缩小多晶硅浮栅的厚度可以导致在编程和/或擦除操作期间电子通过浮栅并进入多晶硅层间电介质的弹道传输,从而引起可靠性问题。
技术实现思路
上述问题和需求通过一种非易失性存储器单元来处理,其包括硅衬底、形成在该硅衬底中的源极区和漏极区(其中该衬底的沟道区被限定在该源极区与该漏极区之间)、设置在该沟道区的第一部分上方并且与沟道区的第一部分绝缘的金属浮栅、设置在该金属浮栅上方并且与金属浮栅绝缘的金属控制栅、设置在该源极区上方并且与源极区绝缘的多晶硅擦除栅以及设置在该沟道区的第二部分上方并且与沟道区的第二部分绝缘的多晶硅字线栅。一种形成非易失性存储单元的方法,包括:在硅衬底中形成源极区和漏极区,其中该衬底的沟道区限定在该源极区与该漏极区之间;在该衬底上形成第一绝缘层 ...
【技术保护点】
1.一种非易失性存储器单元,包括:硅衬底;源极区和漏极区,所述源极区和所述漏极区形成在所述硅衬底中,其中所述衬底的沟道区限定在所述源极区与所述漏极区之间;金属浮栅,所述金属浮栅设置在所述沟道区的第一部分上方并且与所述沟道区的第一部分绝缘;金属控制栅,所述金属控制栅设置在所述金属浮栅上方并且与所述金属浮栅绝缘;多晶硅擦除栅,所述多晶硅擦除栅设置在所述源极区上方并且与所述源极区绝缘;以及多晶硅字线栅,所述多晶硅字线栅设置在所述沟道区的第二部分上方并且与所述沟道区的第二部分绝缘。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.11.03 US 62/250,0021.一种非易失性存储器单元,包括:硅衬底;源极区和漏极区,所述源极区和所述漏极区形成在所述硅衬底中,其中所述衬底的沟道区限定在所述源极区与所述漏极区之间;金属浮栅,所述金属浮栅设置在所述沟道区的第一部分上方并且与所述沟道区的第一部分绝缘;金属控制栅,所述金属控制栅设置在所述金属浮栅上方并且与所述金属浮栅绝缘;多晶硅擦除栅,所述多晶硅擦除栅设置在所述源极区上方并且与所述源极区绝缘;以及多晶硅字线栅,所述多晶硅字线栅设置在所述沟道区的第二部分上方并且与所述沟道区的第二部分绝缘。2.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元,其中所述金属浮栅通过高K电介质材料的层与所述衬底绝缘。3.根据权利要求2所述的非易失性存储器单元,其中所述高K电介质材料是HfO2、ZrO2、TiO2、Ta2O5、Al2O3、和氮化处理的氧化物中的至少一个。4.根据权利要求2所述的非易失性存储器单元,其中所述金属浮栅还通过氧化物的层与所述衬底绝缘。5.根据权利要求4所述的非易失性存储器单元,其中所述金属浮栅包括TiN。6.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元,其中所述金属浮栅包括TaN、TaSiN、TiN/TiAl/TiN、以及TiN/AlN/TiN中的至少一个。7.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元,其中所述金属浮栅包括Al以及TiN和TaN中的至少一个。8.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元,其中所述金属浮栅包括AlN和TiN。9.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元,其中所述金属控制栅通过一种或多种高K电介质材料与所述金属浮栅绝缘。10.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元,其中所述金属控制栅通过设置在HfO2的层之间的Al2O3的层与所述金属浮栅绝缘。11.根据权利要求1所述的非易失性存储器单元,其中所述金属控制栅包括T...
【专利技术属性】
技术研发人员:F周,X刘,JW杨,N杜,
申请(专利权)人:硅存储技术公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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