一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备制造技术

本发明专利技术公开一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，包括炉体、气液输送装置、炉腔加热装置、工件放置装置、真空抽气装置以及电气控制系统，其中：所述气液输送装置包括气液混合预热装置以及进气管网，所述进气管网一端与气液混合预热装置连接，另一端设有连接在炉体上；所述炉体的底部设有炉门，所述炉门与驱动该炉门做升降运动的炉门升降机构连接；所述工件放置装置包括工件托盘以及驱动工件托盘转动的托盘驱动机构，该工件放置装置设置于炉门上；所述电气控制系统包括控制器，该控制器分别与气液输送装置、炉腔加热装置、炉门升降机构以及托盘驱动机构进行电连接。该碳化硅沉积处理设备能实现碳化硅薄膜的自动化大批量生产。

Silicon carbide deposition treatment equipment using thermal CVD method

The invention discloses a silicon carbide deposition processing device using a hot CVD method, including a furnace body, a gas liquid conveying device, a furnace chamber heating device, a workpiece placement device, a vacuum pumping device, and an electrical control system. The gas liquid conveying device includes a gas liquid mixture preheating device and an air inlet pipe network. The end is connected with the gas liquid preheating device, the other end is connected to the furnace body, the bottom of the furnace body is provided with a furnace door, and the furnace door is connected with the furnace door lifting mechanism driving the furnace door for lifting and moving; the workpiece placement device includes a workpiece tray and a tray driving mechanism that drives the workpiece tray. The workpiece is placed. The device is set on the furnace door, and the electric control system includes the controller. The controller is electrically connected with the gas and liquid conveying device, the furnace chamber heating device, the furnace door lifting mechanism and the tray driving mechanism. The silicon carbide deposition treatment equipment can realize automatic mass production of silicon carbide thin films.

【技术实现步骤摘要】
一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备
本专利技术涉及一种碳化硅沉积设备，具体涉及一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备。
技术介绍
碳化硅涂层是一种常见的碳化硅制备方法，通过在目标基体的表面涂上薄层，利用碳化硅的耐磨性、耐腐蚀性以及抗氧化性，为各种缺少相应优异特性的目标基体提供有效的防护。其中，制备碳化硅涂层常用的方法为化学气相沉积法(CVD)和先驱体转化法(PIP)等离子热喷涂法等。目前，CVD法在国内常见于实验室制备SiC样品，将需制备SiC涂层的试样放入反应管中，以碳硅烷作为单一先驱体原料，在950-1300℃负压条件下沉积SiC涂层在试样表面，难以实现工业化的大批量生产。现有技术中虽然有一些工业化CVD法批量制备涂层，但是这些设备自动化程度不高，生产能力低，无法进行大批量自动化生产。
技术实现思路
本专利技术目的在于克服现有技术的不足，提供一种能够实现自动化大批量生产的利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备。本专利技术的目的通过以下技术方案实现：一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，包括炉体、用于向炉体输送气液介质的气液输送装置、用于对炉体的炉腔进行加热的炉腔加热装置、用于放置待本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，其特征在于，包括炉体、用于向炉体输送气液介质的气液输送装置、用于对炉体的炉腔进行加热的炉腔加热装置、用于放置待处理工件的工件放置装置、用于对炉腔进行抽真空的真空抽气装置以及电气控制系统，其中：所述气液输送装置包括气液混合预热装置以及进气管网，所述进气管网一端与气液混合预热装置连接，另一端设有若干个分布在炉体上的充气口；所述炉体的底部设有炉门，所述炉门与驱动该炉门做竖直方向运动以实现炉门开启或关闭的炉门升降机构连接；所述工件放置装置包括工件托盘以及驱动工件托盘转动的托盘驱动机构，该工件放置装置设置于炉门上；所述电气控制系统包括控制器，该控制器分别与气液...

【技术特征摘要】
1.一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，其特征在于，包括炉体、用于向炉体输送气液介质的气液输送装置、用于对炉体的炉腔进行加热的炉腔加热装置、用于放置待处理工件的工件放置装置、用于对炉腔进行抽真空的真空抽气装置以及电气控制系统，其中：所述气液输送装置包括气液混合预热装置以及进气管网，所述进气管网一端与气液混合预热装置连接，另一端设有若干个分布在炉体上的充气口；所述炉体的底部设有炉门，所述炉门与驱动该炉门做竖直方向运动以实现炉门开启或关闭的炉门升降机构连接；所述工件放置装置包括工件托盘以及驱动工件托盘转动的托盘驱动机构，该工件放置装置设置于炉门上；所述电气控制系统包括控制器，该控制器分别与气液输送装置、炉腔加热装置、炉门升降机构以及托盘驱动机构进行电连接。2.根据权利要求1所述的利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，其特征在于，所述进气管网包括设在炉腔顶部的螺旋盘管、进气接头座以及若干路进气管道；其中，所述螺旋盘管的进气端与气液混合预热装置连接，排气端与进气接头座的进气口连接，所述进气接头座具有与进气管道数量相等的出气口，且进气接头座的每个出气口与一路进气管道连接；所述进气管道包括与进气接头座的出气口连接的水平管道和竖直向下延伸的竖直管道；所述竖直管道靠近炉腔的一侧设有若干个等距排布的进气件，每个进气件的出气孔构成一个充气口；所述进气件与竖直管道之间设有螺纹接头座。3.根据权利要求2所述的利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，其特征在于，所述进气管道中的水平管道为直角管道，该直角管道具有向下延伸的连接段，所述竖直管道的上端连接在该连接段上；所述进气件为石墨进气管，该石墨进气管内的出气孔为喇叭形结构；所述炉体的内壁上设有保温毡，所述竖直管道设置于炉体的内壁与保温毡之间；所述进气件穿过保温毡往炉腔中心的方向延伸；所述进气管道为三路，且沿着炉腔顶部的圆周方向均匀分布。4.根据权利要求1所述的利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，其特征在于，所述炉门的外侧设有支撑架，所述支撑架包括位于炉门下方的支撑底架和若干个固定在支撑底架上的立柱，该立柱等距环绕在炉体的外侧；所述立柱的上端均设有安装件；所述炉门升降机构包括用于驱动炉门升降的驱动电机、升降丝杆以及软轴，所述升降丝杆的下端通过固定连接结构连接在炉门的外壁上，上端穿过安装件向上延伸，所述安装件上设有与升降丝杆配合的丝杆螺母；所述软轴的一端连接在驱动电机的输出端，另一端通过可以驱动丝杆螺母转动的传动结构与丝杆螺母连接。5.根据权利要求4所述的利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，其特征在于，所述立柱为三个，每个立柱处均设置一个升降丝杆，所述软轴为两个；所述驱动电机设置在其中一个立柱的安装件上，且该驱动电机的输出端通过同步带与第一转轴连接，该第一转轴的一端通过联轴器与第一条软轴的一端连接，该第一条软轴的另一端通过传动结构与第一个升降丝杆对应的丝杆螺母连接；所述第一转轴的另一端通过联轴器与第二转轴的一端连接，该第二转轴通过传动机构与第二个升降丝杆对应的丝杆螺母连接，所述第二个升降丝杆位于与驱动电机所在安装件...

【专利技术属性】
技术研发人员：林培英，黄洪福，周玉燕，朱佰喜，
申请(专利权)人：深圳市志橙半导体材料有限公司，
类型：发明
国别省市：广东,44