The invention provides a stainless steel coating with silicon carbide hydrogen permeation barrier layer, including the layout from the stainless steel substrate to the storage layer, H buffer layer and a hydrogen barrier layer; the transition layer is composed of metal titanium layer and the TiN layer, the buffer layer for SixC1 storage H x gradient layer of amorphous. 1, x = 0.5, the hydrogen barrier layer is SiC. The invention also presents the preparation method of the silicon carbide hydrogen resistance permeable coating. The invention proposes to use the combination of the H buffer layer and the resistance H coating to prepare the anti hydrogen permeable coating for the matrix / transition layer / H buffer layer /SiC composite structure. In the anti irradiation resistance of H coating SiC film on the basis of the preparation technology of H gas storage buffer layer SixC1 x gradient layer deposition, the use of a large number of existing SixC1 x capture ability of hydrogen gradient layer in the strong C and Si dangling bonds, optimization of matrix / transition layer / storage H buffer layer /SiC composite structure for preventing hydrogen permeation.
【技术实现步骤摘要】
一种不锈钢用碳化硅阻氢渗透涂层及其制备方法
本专利技术属于对金属材料的镀覆领域,具体涉及一种溅射有阻氢层的金属材料、及其制备方法。
技术介绍
近年来,针对各种基体材料开发氢渗透阻挡涂层又称阻H涂层,试图阻止氢及其同位素的渗透泄漏,国内外已开展了大量研究,主要是开发各种阻氢复合材料和涂层技术。目前常用阻H涂层主要分为以下几类。氧化物涂层:具有熔点高、化学性质稳定、制备工艺简单及阻H性能良好等优点,是研究最早的防氢渗透涂层。通过基底表面直接氧化或者涂层氧化即可生成,包括Al2O3,Cr2O3,Y2O3,SiO2,Er2O3等。通常单层氧化物阻H涂层多为Cr2O3,Al2O3,而SiO2常和其它涂层复合使用。Y2O3涂层氚的渗透率能下降两个数量级,且多与其它涂层复合使用。日本原子能研究所采用化学密实化涂层技术(CDC)在316不锈钢表面制备Cr2O3-SiO2陶瓷阻氢涂层,氚渗透阻挡因子(PRF)大于100(TakayukiTerai,ToshiakiYoneoka,HimhisaTanaka,Tritiumpermeationthroughausteniticstainlesssteelwithchemicallydensifiedcoatingasatritiumpermeationbarrier,JournalofNuclearMaterials,1994:212/215:976;)。Levchuk等利用PVD法在Eurofer不锈钢表面获得了厚度为微米级的a-Al2O3涂层结果表明在700~800℃时涂层的PRF为1000(SerraE,CalzaBin ...
【技术保护点】
一种不锈钢用碳化硅阻氢渗透涂层,其特征在于,包括从不锈钢基体向上逐层布置的过渡层、储H缓冲层、阻氢层;所述过渡层由金属钛层和TiN层组成,所述储H缓冲层为非晶态的SixC1‑x,1>x≥0.5,所述阻氢层为SiC;其中,所述过渡层由Ti层和TiN层组成,其中Ti层厚100~300nm、TiN层厚200~500nm,所述储H缓冲层为非晶态的SixC1‑x渐变层,1>x≥0.5,厚度1~4μm,所述阻氢层厚度为500nm~1μm。
【技术特征摘要】
1.一种不锈钢用碳化硅阻氢渗透涂层,其特征在于,包括从不锈钢基体向上逐层布置的过渡层、储H缓冲层、阻氢层;所述过渡层由金属钛层和TiN层组成,所述储H缓冲层为非晶态的SixC1-x,1>x≥0.5,所述阻氢层为SiC;其中,所述过渡层由Ti层和TiN层组成,其中Ti层厚100~300nm、TiN层厚200~500nm,所述储H缓冲层为非晶态的SixC1-x渐变层,1>x≥0.5,厚度1~4μm,所述阻氢层厚度为500nm~1μm。2.根据权利要求1所述的不锈钢用碳化硅阻氢渗透涂层,其特征在于,所述不锈钢基体的材质为316L、304和321中的一种。3.权利要求1或2所述不锈钢用碳化硅阻氢渗透涂层的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1使用磁控溅射的方法制备过渡层Ti/TiN,首先以Ti靶为溅射靶材沉积金属Ti层,先预抽真空至10-5~10-3Pa,通入氩气进行直流溅射,电流为5~8A,工作真空为0.3Pa~0.6Pa,加热温度为150~300℃,靶基距为80~100mm;然后采用中频电源或射频电源溅射TiN层;S2在过渡层上面使用气相沉积法制备储H缓冲层,所述气相沉积法为物理气相沉积法或化学气相沉积法;S3在储H缓冲层上使用气相沉积法制备SiC阻氢层,所述气相沉积法为物理气相沉积法或化学气相沉积法。4.根据权利要求3所述的制备方法,其特征在于,所述过渡层中TiN层的制备方法为:在金属Ti层上面沉积TiN,先预抽真空至10-5~10-3Pa,通入氩气和氮气,Ar/N2流量比为2~8,采用中频磁控溅射,电流为5~8A,工作真空为0.3Pa~0.6Pa,加热温度为150~300℃,靶基距为80~100mm;或,所述过渡层的制备方法中,TiN层的制备方法为:先预抽真空至10-5~10-3Pa,通入氩气和氮气,Ar/N2流量比为2~8,溅射功率为100~200W,工作真空为0.3Pa~2Pa,加热温...
【专利技术属性】
技术研发人员:张秀廷,刘雪莲,邓宁,陈步亮,
申请(专利权)人:北京天瑞星光热技术有限公司,
类型:发明
国别省市:北京,11
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。