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本发明公开一种利用热CVD法的碳化硅沉积处理设备，包括炉体、气液输送装置、炉腔加热装置、工件放置装置、真空抽气装置以及电气控制系统，其中：所述气液输送装置包括气液混合预热装置以及进气管网，所述进气管网一端与气液混合预热装置连接，另一端设有连...
该专利属于深圳市志橙半导体材料有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过深圳市志橙半导体材料有限公司授权不得商用。

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