高压半导体装置制造方法及图纸

本发明专利技术实施例提供一种高压半导体装置，其包含具有第一导电型态的基底及设置于基底上的栅极。高压半导体装置也包含分别位于栅极的相对两侧的源极区及漏极区。高压半导体装置也包含设置于栅极和漏极区之间且具有第一导电型态的线性掺杂区，其中线性掺杂区具有不均匀的掺杂深度。高压半导体装置还包含设置于源极区下方且具有第一导电型态的第一掩埋层。

【技术实现步骤摘要】
高压半导体装置
本专利技术是有关于半导体装置，且特别是有关于高压半导体装置。
技术介绍
高压半导体装置技术适用于高电压与高功率的集成电路领域。传统高压半导体装置，例如垂直式扩散金属氧化物半导体(verticallydiffusedmetaloxidesemiconductor,VDMOS)晶体管及水平扩散金属氧化物半导体(laterallydiffusedmetaloxidesemiconductor,LDMOS)晶体管，主要用于18V以上的元件应用领域。高压装置技术的优点在于符合成本效益，且易相容于其它制造工艺，已广泛应用于显示器驱动IC元件、电源供应器、电力管理、通信、车用电子或工业控制等领域中。在高压半导体装置的发展过程中，同时具有高击穿电压和低导通电阻(on-resistance,Ron)的高压半导体装置是难以达成的目标。因此，有必要寻求一种新的高压半导体装置结构以满足上述需求。
技术实现思路
本专利技术提供一种高压半导体装置，以满足同时具有高击穿电压和低导通电阻的需求。本专利技术的一些实施例是关于高压半导体装置，其包含基底具有第一导电型态，栅极设置于基底上，源极区及漏极区分别位本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：一基底，具有一第一导电型态；一栅极，设置于所述基底上；一源极区及一漏极区，分别位于所述栅极的相对两侧；一线性掺杂区，设置于所述栅极和所述漏极区之间，且具有所述第一导电型态，其中所述线性掺杂区具有一不均匀的掺杂深度；以及一第一掩埋层，设置于所述源极区下方，且具有所述第一导电型态。

【技术特征摘要】
2016.12.30 TW 1051441511.一种高压半导体装置，其特征在于，包括：一基底，具有一第一导电型态；一栅极，设置于所述基底上；一源极区及一漏极区，分别位于所述栅极的相对两侧；一线性掺杂区，设置于所述栅极和所述漏极区之间，且具有所述第一导电型态，其中所述线性掺杂区具有一不均匀的掺杂深度；以及一第一掩埋层，设置于所述源极区下方，且具有所述第一导电型态。2.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，在沿着所述栅极朝向所述漏极区的方向，所述线性掺杂区的所述掺杂深度递减。3.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，在沿着所述栅极朝向所述漏极区的方向，所述线性掺杂区具有一递减的掺杂浓度。4.如权利要求1所述的高压半导体装置，其特征在于，还包括：一第二掩埋层，设置于所述基底内且位于所述第一掩埋层下方，其中所述第二掩埋层具有一与第一导电型态相反的第二导电型态。5.如权利要求4所述的高压半导体装置，其特征在于，所述第二掩埋层由所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：杨绍明，简廷耀，吴玠志，李自捷，赖秋仲，
申请(专利权)人：新唐科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71