温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明实施例提供一种高压半导体装置，其包含具有第一导电型态的基底及设置于基底上的栅极。高压半导体装置也包含分别位于栅极的相对两侧的源极区及漏极区。高压半导体装置也包含设置于栅极和漏极区之间且具有第一导电型态的线性掺杂区，其中线性掺杂区具有不...
该专利属于新唐科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过新唐科技股份有限公司授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。