一种化学机械研磨方法技术

本发明专利技术提供一种化学机械研磨方法。所述方法包括：提供待研磨的半导体晶圆；以及对所述半导体晶圆执行化学机械研磨，在研磨过程中将研磨垫边缘位置设定在靠近所述半导体晶圆边缘的外侧位置，以减少所述研磨垫与所述半导体晶圆待研磨表面接触的过程中对所述半导体晶圆边缘的包覆。根据本发明专利技术的化学机械研磨方法，在化学机械研磨工艺中，通过将研磨垫边缘位置设定在靠近所述半导体晶圆边缘的外侧位置，可有效减小研磨垫对半导体边缘包覆，减少研磨过程中半导体晶圆边缘的过度研磨，从而减少半导体晶圆研磨后中部和边缘的研磨厚度差异，有效提升半导体晶圆的研磨均匀性，改善半导体晶圆的研磨质量。

A chemical mechanical grinding method

The present invention provides a chemical mechanical grinding method. The method includes: providing a semiconductor wafer to be grinded, and performing chemical mechanical grinding of the semiconductor wafer, and setting the edge position of the abrasive pad to the outside of the semiconductor wafer edge in the grinding process, so as to reduce the contact between the grinding pad and the semicircular wafer to the surface of the grinding surface. A coating on the edge of the semiconductor wafer. According to the chemical mechanical grinding method of the present invention, in the chemical mechanical grinding process, by setting the edge position of the grinding pad on the lateral position near the semiconductor wafer edge, the grinding pad can be effectively reduced to the edge of the semiconductor, and the over lapping of the semiconductor wafer edge in the grinding process is reduced, thus reducing the semi-conductor. The difference of the grinding thickness between the center and the edge of the wafer can effectively improve the grinding uniformity of the semiconductor wafer and improve the grinding quality of the semiconductor wafer.

【技术实现步骤摘要】
一种化学机械研磨方法
本专利技术涉及半导体制造领域，具体而言涉及一种化学机械研磨方法。
技术介绍
随着集成电路制造过程中特征尺寸的缩小和金属互连的增加，以及对晶圆表面平整度的要求越来越高，采用化学机械研磨对半导体晶圆进行减薄和实现半导体晶圆表面的平坦化成为半导体工艺中常用的工艺。对半导体晶圆进行化学机械研磨，就是利用机械力对半导体晶圆表面作用，在表面薄膜层产生断裂腐蚀的动力，在相应化学腐蚀试剂的作用下，使晶圆减薄并平坦化的过程。一般的，在化学机械研磨中，化学机械研磨装置固定半导体晶圆，并将晶圆的待研磨表面与研磨垫全面接触并在两者之间产生一定的作用力，同时研磨垫与半导体晶圆相对运动，从而对半导体晶圆进行研磨。所述研磨垫可以为置于半导体晶圆上方的研磨垫，也可以是置于半导体晶圆下方的研磨垫。示例性的，化学机械研磨装置中，采用压盘吸附研磨垫置于待研磨的半导体晶圆待研磨表面上方，采用卡盘吸附半导体晶圆固定于研磨垫下方，研磨过程中，将研磨垫向下接触待研磨晶圆待研磨表面并对待研磨晶圆施加向下的压力。然而，在实际生产中往往存在研磨垫对半导体晶圆边缘的过度研磨，导致研磨后半导体晶圆整片厚度分布不均匀。本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，所述方法包括：提供待研磨的半导体晶圆；以及对所述半导体晶圆执行化学机械研磨，在研磨过程中将研磨垫边缘位置设定在靠近所述半导体晶圆边缘的外侧位置，以减少所述研磨垫与所述半导体晶圆待研磨表面接触的过程中对所述半导体晶圆边缘的包覆。

【技术特征摘要】
1.一种化学机械研磨方法，其特征在于，所述方法包括：提供待研磨的半导体晶圆；以及对所述半导体晶圆执行化学机械研磨，在研磨过程中将研磨垫边缘位置设定在靠近所述半导体晶圆边缘的外侧位置，以减少所述研磨垫与所述半导体晶圆待研磨表面接触的过程中对所述半导体晶圆边缘的包覆。2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括在所述研磨过程中采用去离子水对所述半导体晶圆与安装所述半导体晶圆的卡盘的接触界面进行实时清洗。3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，将所述研磨垫边缘位置设定在距所述半导体晶圆边缘0～2mm的位置。4.如权利要求1所述的方法，...

【专利技术属性】
技术研发人员：陈怡骏，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31