The invention discloses a carbon nitride tungsten doped semiconductor oxide heterojunction film and a preparation method, and a composite photocatalytic film of two-dimensional layered graphite like carbon nitride (CNx) / transparent semiconductor oxide conductive powder (TCO) is prepared. The combination of CNx/TCO not only improves the deficiency of CNx stacking easily, but also regulates the transmission property and band structure of TCO materials by doping, so as to optimize the band matching and carrier transport in the CNx/TCO composite film. The present invention can coordinate light absorption, active site and carrier transmission channel with three relations under better doping amount and compound ratio. It improves the migration efficiency after separation and separation of light excited carrier without affecting the optical absorption performance, and improves the photochemical activity of the carbon nitride thin film.
【技术实现步骤摘要】
氮化碳-钨掺杂半导体氧化物异质结薄膜及其制备方法
本专利技术涉及一种氮化碳复合材料及其制备方法,特别是涉及一种氮化碳异质结复合结构材料及其制备方法,应用于光催化材料
技术介绍
石墨相氮化碳CNX,作为不含金属的光催化剂,具有热稳定性和化学稳定性高、价格低廉等优点,由于其狭窄带隙宽度(2.7eV)可以直接吸收可见光,这种独特的性质使得在有机合成、污染物处理、光解水制氢等物质能量转换领域具有潜在的应用。然而,CNX电子-空穴复合率高,电荷分离效率低等固有缺陷使得光催化活性较低,目前主要通过形貌调控、元素掺杂、贵金属修饰、异质结复合等方法来改性。异质结复合是通过与金属、碳材料和其它半导体进行复合,形成复合纳米材料来有效地抑制光生电子和空穴的复合。CNX基异质结在光催化反应中,CNX导带中的电子可以转移至另一种材料导带上,有效促进了光生电荷在空间上分离,同时也拓宽一些宽禁带半导体的光响应范围,因而具有较高的可见光催化性能。Yu等人通过将g-C3N4与四氯化钛混合烧结的方法,制备出了异质结光催化材料。光催化降解苯酚表明,与单一的TiO2和g-C3N4相比,g-C3N4/TiO2具有更高的光催化活性。这是由于形成异质结后,能够有效地抑制光生电子和空穴的复合,同时能够扩大光谱的吸收范围,更有效地利用太阳光。Yuan等以氧化石墨烯(GO)和三聚氰胺为原料,利用氧化还原石墨烯(RGO)能够有效分离光生电子与空穴的特性,制备了能够显著降解RhB的RGO/g-C3N4复合光催化剂,但是二维材料容易堆叠,活性位点暴露受限。总之,现有技术制备的二维层状类石墨相氮化碳(CN ...
【技术保护点】
1.一种氮化碳‑钨掺杂半导体氧化物异质结薄膜,其特征在于:以氮化碳作为薄膜基础材料,通过与钨掺杂的透明导电氧化物(TCO)进行复合,形成氮化碳/钨掺杂半导体氧化物异质结复合纳米材料薄,其中氮化碳采用二维层状类石墨相氮化碳材料CNx。
【技术特征摘要】
1.一种氮化碳-钨掺杂半导体氧化物异质结薄膜,其特征在于:以氮化碳作为薄膜基础材料,通过与钨掺杂的透明导电氧化物(TCO)进行复合,形成氮化碳/钨掺杂半导体氧化物异质结复合纳米材料薄,其中氮化碳采用二维层状类石墨相氮化碳材料CNx。2.根据权利要求1所述氮化碳-钨掺杂半导体氧化物异质结薄膜,其特征在于:透明导电氧化物TCO材料采用二氧化锡。3.根据权利要求1或2所述氮化碳-钨掺杂半导体氧化物异质结薄膜,其特征在于:掺杂材料钨和TCO的金属元素的质量比为(1~4):100;或者TCO和CNx的质量比为(5~50):100。4.根据权利要求3所述氮化碳-钨掺杂半导体氧化物异质结薄膜,其特征在于:掺杂材料钨和TCO的金属元素的质量比为(3~4):100。5.根据权利要求3所述氮化碳-钨掺杂半导体氧化物异质结薄膜,其特征在于:TCO和CNx的质量比为(20~50):100。6.一种权利要求1所述氮化碳-钨掺杂半导体氧化物异质结薄膜的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:a.异质结浆料的制备:将两种具有不同粘度的乙基纤维素(EC)预先溶解在乙醇溶液中,加入钨掺杂的透明导电氧化物(TCO)与二维层状类石墨相氮化碳(CNx)的混合粉末原料,并将混合粉末原料与α-松油醇混合搅拌,将搅拌后的液体转移到容器中,在不低于35℃条件下进行旋蒸工艺处理,获得异质结浆料;b.基底预处理:用丙酮、乙醇和去离子水将FTO导电玻璃分别超声清洗至少...
【专利技术属性】
技术研发人员:赵尹,方昱茜,施利毅,袁帅,王竹仪,张美红,
申请(专利权)人:上海大学,
类型:发明
国别省市:上海,31
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