温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。

本发明公开了一种氮化碳‑钨掺杂半导体氧化物异质结薄膜及其制备方法，制备了二维层状类石墨相氮化碳(CNx)/透明半导体氧化物导电粉(TCO)的复合光催化薄膜。CNx/TCO两者复合不仅改善二维层状材料CNx易堆叠的不足，且通过掺杂手段调控TC...
该专利属于上海大学所有，仅供学习研究参考，未经过上海大学授权不得商用。

详细技术文档下载地址

温馨提示：您尚未登录，请点 登陆 后下载，如果您还没有账户请点 注册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。