非晶硅光电二极管模组制造技术

本发明专利技术提供一种非晶硅光电二极管模组，包括：TFT玻璃基底，包含第一面以及相对的第二面；第一非晶硅光电二极管，具有第一透明上电极以及第一透明下电极，所述第一非晶硅光电二极管通过所述第一透明下电极固定于所述TFT玻璃基底的第一面上，通过所述第一透明下电极与TFT玻璃基底第二面的第二非晶硅光电二极管相连。本发明专利技术在制备基于TFT玻璃基底的非晶硅硅光电二极管时，将紧临TFT玻璃基底的电极改成透明电极，正面非晶硅硅光电二极管不能完全吸收闪烁体产生的可见光，剩余的光线可以穿透透明电极，到达TFT玻璃基底的背面，可以被背面的非晶硅硅光电二极管吸收，以增强信号幅度。

Amorphous silicon photodiode module

The invention provides a amorphous silicon photodiode module, including: TFT glass substrate, including the first surface and the relative second surfaces; the first amorphous silicon photodiode, the first transparent upper electrode and the first transparent lower electrode, the first amorphous silicon photodiode is fixed to the TF through the first transparent lower electrode. The first surface of the T glass substrate is connected to the second amorphous silicon photodiode on the second surface of the TFT glass substrate through the first transparent lower electrode. When the amorphous silicon silicon photodiode based on the TFT glass substrate is prepared, the electrode facing the TFT glass substrate is changed into a transparent electrode. The positive amorphous silicon silicon photodiode can not completely absorb the visible light produced by the scintillation body. The remaining light can penetrate the transparent electrode to the back of the TFT glass substrate and can be back to the back. The amorphous silicon silicon photodiode is absorbed to enhance the signal amplitude.

【技术实现步骤摘要】
非晶硅光电二极管模组
本专利技术涉及核辐射探测及核技术应用领域，特别是涉及一种可以增强信号幅度的非晶硅光电二极管模组。
技术介绍
广泛应用于辐射探测及成像领域的技术，主要是通过射线照射闪烁体像素阵列，产生可见光，经光电二极管(PD)转换为电信号，再经过电子学系统采集传输数据，并由图像重建算法处理，显示测试图像。这些技术应用于医学设备，安全检测设备，工业无损检测设备，食品及农产品安全分拣系统，及其它辐射探测系统中。成像模组的结构通常是切割封装的闪烁体像素阵列，与光电二极管像素阵列粘接耦合，产生的电信号输入到后续电子学采集系统中。其中光电二极管分为传统的单晶硅光电二极管，和基于TFT玻璃的非晶硅光电二极管，前者光灵敏层厚度大，可以完全吸收闪烁材料产生的可见光，产生的信号大；而在TFT玻璃上制备的非晶硅光电二极管，厚度最多只能达到2μm，一般在1.2μm左右，对长于700nm的光吸收衰减严重。当应用于辐射成像时，例如基于TFT的平板探测器，和只有非晶硅光电二极管阵列的探测器模组，由于非晶光电二极管的光吸收能力有限，同样厚度的闪烁体材料，非晶硅的光信号比单晶硅的信号小，会严重影响图像的清晰度。基于以上所述，提供一种可以有效解决基于TFT玻璃的非晶硅光电二极管的光灵敏层厚度有限，激发的光电转换信号小，使得后续的图像品质受影像的问题的非晶硅光电二极管模组实属必要。
技术实现思路
鉴于以上所述现有技术的缺点，本专利技术的目的在于提供一种非晶硅光电二极管模组，用于解决现有技术中基于TFT玻璃的非晶硅光电二极管的光灵敏层厚度有限，激发的光电转换信号小，使得后续的图像品质受影像的问题。为实现上述目的及其他相关目的，本专利技术提供一种非晶硅光电二极管模组，所述非晶硅光电二极管模组包括：TFT玻璃基底，包含第一面以及与所述第一面相对的第二面；第一非晶硅光电二极管，具有第一透明上电极以及第一透明下电极，所述第一非晶硅光电二极管通过所述第一透明下电极固定于所述TFT玻璃基底的第一面上。优选地，所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层，所述第一闪烁体层位于所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极之上。优选地，所述非晶硅光电二极管模组还包括第二闪烁体层，所述第二闪烁体层位于所述TFT玻璃基底的所述第二面上。优选地，由所述TFT玻璃基底及所述第一非晶硅光电二极管组成一模组单元，所述非晶硅光电二极管模组包含至少两个层叠的所述模组单元，相邻的两个所述模组单元电性相连。优选地，所述层叠的方式包括：上层的所述模组单元的TFT玻璃基底与下层的所述模组单元的第一非晶硅光电二极管相接。优选地，所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层，所述第一闪烁体层位于最上层的所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极之上。优选地，所述层叠的方式包括：上层的所述模组单元的TFT玻璃基底与下层的所述模组单元的TFT玻璃基底相接。优选地，所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层及第二闪烁体层，所述第一闪烁体层及所述第二闪烁体层分别位于相背离的两个所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极表面。优选地，所述第一闪烁体层及所述第二闪烁体层包括GOS陶瓷闪烁体层、NaI闪烁体层、CsI闪烁体层、laBr3闪烁体层及CdWO4闪烁体层所组成群组中的一种。优选地，还包括第二非晶硅光电二极管，具有第二透明上电极以及第二下电极，所述第二非晶硅光电二极管通过所述第二透明上电极固定于所述TFT玻璃基底的第二面上，且与所述第一非晶硅光电二极管电性连接，光线被所述第一非晶硅光电二极管吸收后，剩余光线穿过所述第一非晶硅光电二极管的第一透明下电极及所述TFT玻璃基底被所述第二非晶硅光电二极管吸收，以增大所述非晶硅光电二极管模组的信号幅度。优选地，所述第二非晶硅光电二极管与所述第一非晶硅光电二极管串联，以减小所述第一非晶硅光电二极管与所述第二非晶硅光电二极管的大电容。优选地，所述第二非晶硅光电二极管与所述第一非晶硅光电二极管并联，以增大信号幅度并减小噪声。优选地，所述第二非晶硅光电二极管的所述第二下电极为第二非透明下电极。优选地，所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层，所述第一闪烁体层位于最上层的所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极之上。优选地，所述第二非晶硅光电二极管的所述第二下电极为第二透明下电极，所述非晶硅光电二极管模组还包括第二闪烁体层，所述第二闪烁体层位于所述第二透明下电极表面。优选地，所述第二非晶硅光电二极管的所述第二下电极为第二透明下电极，由所述TFT玻璃基底、所述第一非晶硅光电二极管及所述第二非晶硅光电二极管组成一模组单元，所述非晶硅光电二极管模组包含至少两个层叠的所述模组单元，其中，上层的所述模组单元的所述第二非晶硅光电二极管的所述第二透明下电极与下层的所述模组单元的所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极相接。优选地，所述第一透明下电极包括全透明电极、全透明电极与网格状金属电极的组合以及全透明电极与点状金属电极的组合中的一种。如上所述，本专利技术的非晶硅光电二极管模组，具有以下有益效果：本专利技术在制备基于TFT玻璃的非晶硅硅光电二极管时，将紧临TFT玻璃的电极改成透明电极，正面非晶硅硅光电二极管不能完全吸收闪烁体产生的可见光，剩余的光线可以穿透透明电极，到达玻璃的背面，被背面的非晶硅硅光电二极管吸收，使得产生的信号增强。同时正面与背面的非晶硅光电二极管可以通过金属过孔串联，使得薄非晶硅硅光电二极管带来的大电容减小，或两非晶硅硅光电二极管并联，进而在提高光吸收，放大信号幅度的同时，减小噪声，提升系统的性能。本专利技术也可以在具有透明电极的非晶硅硅光电二极管的玻璃背面，直接制备一层新的闪烁体阵列，吸收更多的辐射线，产生的可见光，同样可以通过透明电极进入正面的非晶硅硅光电二极管中，提升信号幅度。本专利技术可以应用于辐射成像系统中双能或单能结构的探测器模块，也可以应用于TFT类型的平板探测器，在降低成本的同时，保证或提升系统的性能，拓展应用领域。附图说明图1～图4显示为本专利技术实施例1中的非晶硅光电二极管模组的结构示意图。图5显示为本专利技术实施例2中的非晶硅光电二极管模组的结构示意图。图6～图7显示为本专利技术实施例3中的非晶硅光电二极管模组的结构示意图。图8～图10显示为本专利技术实施例4中的非晶硅光电二极管模组的结构示意图。图11显示为本专利技术实施例5中的非晶硅光电二极管模组的结构示意图。图12显示为本专利技术实施例6中的非晶硅光电二极管模组的结构示意图。图13～图14显示为本专利技术实施例7中的非晶硅光电二极管模组的结构示意图。元件标号说明101TFT玻璃基底102第一非晶硅光电二极管103第一透明上电极104第一透明下电极1041全透明电极1042网格状金属电极1043点状金属电极105第一闪烁体层106第二闪烁体层202第二非晶硅光电二极管203第二透明上电极204第二透明下电极207第二非透明下电极具体实施方式以下通过特定的具体实例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人员可由本说明书所揭露的内容轻易地了解本专利技术的其他优点与功效。本专利技术还可以通过另外不同的具体实施方式加以实施或应用，本说明书中的各项细节也可以基于不同观点与应用，在没有背离本专利技术的精神下进行各种修饰或改变。请参阅图1～图本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种非晶硅光电二极管模组，其特征在于，所述非晶硅光电二极管模组包括：TFT玻璃基底，包含第一面以及与所述第一面相对的第二面；第一非晶硅光电二极管，具有第一透明上电极以及第一透明下电极，所述第一非晶硅光电二极管通过所述第一透明下电极固定于所述TFT玻璃基底的第一面上。

【技术特征摘要】
1.一种非晶硅光电二极管模组，其特征在于，所述非晶硅光电二极管模组包括：TFT玻璃基底，包含第一面以及与所述第一面相对的第二面；第一非晶硅光电二极管，具有第一透明上电极以及第一透明下电极，所述第一非晶硅光电二极管通过所述第一透明下电极固定于所述TFT玻璃基底的第一面上。2.根据权利要求1所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层，所述第一闪烁体层位于所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极之上。3.根据权利要求1或2所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述非晶硅光电二极管模组还包括第二闪烁体层，所述第二闪烁体层位于所述TFT玻璃基底的所述第二面上。4.根据权利要求1所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：由所述TFT玻璃基底及所述第一非晶硅光电二极管组成一模组单元，所述非晶硅光电二极管模组包含至少两个层叠的所述模组单元，相邻的两个所述模组单元电性相连。5.根据权利要求4所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述层叠的方式包括：上层的所述模组单元的TFT玻璃基底与下层的所述模组单元的第一非晶硅光电二极管相接。6.根据权利要求5所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层，所述第一闪烁体层位于最上层的所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极之上。7.根据权利要求4所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述层叠的方式包括：上层的所述模组单元的TFT玻璃基底与下层的所述模组单元的TFT玻璃基底相接。8.根据权利要求7所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述非晶硅光电二极管模组还包括第一闪烁体层及第二闪烁体层，所述第一闪烁体层及所述第二闪烁体层分别位于相背离的两个所述第一非晶硅光电二极管的所述第一透明上电极表面。9.根据权利要求8所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在于：所述第一闪烁体层及所述第二闪烁体层包括GOS陶瓷闪烁体层、NaI闪烁体层、CsI闪烁体层、laBr3闪烁体层及CdWO4闪烁体层所组成群组中的一种。10.根据权利要求1所述的非晶硅光电二极管模组，其特征在...

【专利技术属性】
技术研发人员：张岚，顾铁，刘柱，王伟，
申请(专利权)人：奕瑞新材料科技太仓有限公司，
类型：发明
国别省市：江苏,32