发光二极管结构制作方法及发光二极管结构技术

本发明专利技术提供了一种发光二极管结构制作方法及发光二极管结构，涉及发光二极管结构技术领域。通过刻蚀透明导电层、P型半导体层、有源区及部分N型半导体层，露出N型半导体层，然后制作反射层，构成光线从N面出射的倒装结构。通过设置有大面积N型、P型焊接层金属，且焊接层通过多组电流孔与叉指型的电极条进行电流扩展，使得电流在整个芯片的发光区域均匀分布；叉指型电极条上的电流通过密集分布的电极接触孔再次在更小的区域均匀分布。另外P型半导体上制作的透明导电层及反射层金属也有利于P型区域的电流扩散。该结构具有提高倒装结构发光二极管结构器件的电流分布均匀性，降低串联电阻，提高散热能力，最终提高器件光电热性能的优势。

Method for manufacturing light-emitting diode structure and led structure

The invention provides a light-emitting diode structure manufacturing method and a light-emitting diode structure, and relates to the technical field of light emitting diode structure. By etching transparent conductive layer, P type semiconductor layer, active region and part of N type semiconductor layer, the N type semiconductor layer is exposed, and then the reflection layer is made to form the inverted structure of light from the N surface. By setting a large area of N and P welded layer metal, and the welding layer is extended by a number of current holes and interdigital electrodes, the current is evenly distributed in the luminous region of the whole chip, and the current on the cross finger electrode is evenly distributed in the smaller area through the densely distributed electrode contact holes. In addition, the transparent conductive layer and the reflective layer metal formed on the P type semiconductor are also beneficial to the current diffusion in the P type region. The structure has the advantages of improving the uniformity of the current distribution of the inverted structure light emitting diode structure, reducing the series resistance, improving the heat dissipation capacity, and finally improving the photothermal performance of the device.

【技术实现步骤摘要】
发光二极管结构制作方法及发光二极管结构
本专利技术涉及发光二极管结构
，具体而言，涉及一种发光二极管结构制作方法及发光二极管结构。
技术介绍
目前，发光二极管产业正朝着高亮度、高出光、高散热和低成本方向发展。虽然芯片的内量子效率已经很高，但是由于材料间的折射率存在差异和出射光的各向同性，使得很大一部分光被限制在芯片内部，光的吸收在芯片内部产生大量的热。传统正装结构发光二极管结构芯片光从p面出射，一部分光被电极材料吸收，而且蓝宝石衬底的导热率很低从而使正装结构发光二极管结构芯片产生的热量不能及时的传导出去，所以正装结构发光二极管结构器件无论是功率还是散热性能均不是最优的，所以近年来，出现了先进的倒装芯片技术。这种结构光从蓝宝石衬底取出，可以加厚p电极厚度提高电流密度，提高芯片的注入电流；同时p面可制作反射层所以也不存在电极吸光的情况。芯片产生的热量可以通过反射层，电极层金属传导至基板上，提高了器件的散热能能力，改善器件光电性能。然而倒装结构发光二极管结构的电流注入从本质上来说还是横向注入，仍然存在电流分布不均匀的问题，这会导致器件发光效率的降低以及耐大注入电流能力减弱等的问题。专本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种发光二极管结构制作方法，其特征在于，所述方法包括：在第一绝缘层上制作N型电极和P型电极以使所述N型电极和所述P型电极形成叉指型结构；其中，所述N型电极通过多个N区小孔与N型半导体层连接，所述P型电极通过多个P区小孔与P型半导体层电连接；其中，每个所述P区小孔的位置位于与所述P区小孔相邻的四个N区小孔的中心；在所述第一绝缘层上沉积形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面的一侧刻蚀形成多个第一小孔以将所述N型电极显露，在所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面的另一侧刻蚀形成多个第二小孔以将所述P型电极显露；在所述第二绝缘层上蒸发形成N型焊接层和P型焊接层，所述N型焊接层通过...

【技术特征摘要】
1.一种发光二极管结构制作方法，其特征在于，所述方法包括：在第一绝缘层上制作N型电极和P型电极以使所述N型电极和所述P型电极形成叉指型结构；其中，所述N型电极通过多个N区小孔与N型半导体层连接，所述P型电极通过多个P区小孔与P型半导体层电连接；其中，每个所述P区小孔的位置位于与所述P区小孔相邻的四个N区小孔的中心；在所述第一绝缘层上沉积形成第二绝缘层，在所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面的一侧刻蚀形成多个第一小孔以将所述N型电极显露，在所述第二绝缘层远离所述第一绝缘层的表面的另一侧刻蚀形成多个第二小孔以将所述P型电极显露；在所述第二绝缘层上蒸发形成N型焊接层和P型焊接层，所述N型焊接层通过多个所述第一小孔与所述N型电极电连接，所述P型焊接层通过多个所述第二小孔与所述P型电极电连接。2.根据权利要求1所述的发光二极管结构制作方法，其特征在于，在所述在第一绝缘层上制作N型电极和P型电极之前，所述方法包括：在衬底上依次向上生长形成N型半导体层、有源区以及P型半导体层；在所述P型半导体层上蒸镀形成透明导电层；通过光刻和/或刻蚀技术刻蚀透明导电层、P型半导体层、有源区及部分N型半导体以形成多个N区小孔，露出N型半导体层的表面。3.根据权利要求2所述的发光二极管结构制作方法，其特征在于，所述方法包括：在透明导电层上蒸发和/或溅射形成反射金属层，并通过剥离工艺或刻蚀工艺使所述N区小孔显露；在所述反射金属层的表面蒸发和/或溅射形成阻挡金属层，所述阻挡金属层将所述反射金属层及其边缘覆盖，同时露出所述N区小孔；沉积形成第一绝缘层，在第一绝缘层上刻蚀露出所述N区小孔，并在所述第一绝缘层上刻蚀形成多个与阻挡金属层连通的P区小孔。4.根据权利要求3所述的发光二极管结构制作方法，其特征在于，所述第一绝缘层的材料可以是SiO2、Si3N4、多晶硅、氧化铝、五氧化二钛、SU8、PMMA、氧化铊及氧化铪中的至少一种，沉...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘久澄，刘晓燕，李叶林，陈志涛，龚政，任远，潘章旭，曾昭烩，曾巧玉，
申请(专利权)人：广东省半导体产业技术研究院，
类型：发明
国别省市：广东,44