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本发明提供了一种发光二极管结构制作方法及发光二极管结构，涉及发光二极管结构技术领域。通过刻蚀透明导电层、P型半导体层、有源区及部分N型半导体层，露出N型半导体层，然后制作反射层，构成光线从N面出射的倒装结构。通过设置有大面积N型、P型焊接层...
该专利属于广东省半导体产业技术研究院所有，仅供学习研究参考，未经过广东省半导体产业技术研究院授权不得商用。

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