一种控制电路制造技术

本实用新型专利技术公开了一种控制电路，设置有欠压锁定电路、误差放大器电路、电流比较器电路、控制模块、隔离电路及触发电路，所述控制模块分别与欠压锁定电路、误差放大器电路、电流比较器电路及隔离电路相连接，隔离电路连接触发电路；采用移相控制模式进行待控制电路的触发控制，具有拓扑结构简洁，控制方式简单等特点。

【技术实现步骤摘要】
一种控制电路
本技术涉及电子技术、功率转换技术等领域，具体的说，是一种控制电路。
技术介绍
功率是指物体在单位时间内所做的功的多少，即功率是描述做功快慢的物理量。功的数量一定，时间越短，功率值就越大。求功率的公式为功率＝功/时间。功率表征作功快慢程度的物理量。单位时间内所作的功称为功率，用P表示。故功率等于作用力与物体受力点速度的标量积。功率变换器是一种可以将某种电流转换为其他类型电流的电子设备。
技术实现思路
本技术的目的在于提供一种控制电路，采用移相控制模式进行待控制电路的触发控制，具有拓扑结构简洁，控制方式简单等特点。本技术通过下述技术方案实现：一种控制电路，设置有欠压锁定电路、误差放大器电路、电流比较器电路、控制模块、隔离电路及触发电路，所述控制模块分别与欠压锁定电路、误差放大器电路、电流比较器电路及隔离电路相连接，隔离电路连接触发电路。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述控制模块内设置有集成芯片UI、输出延迟控制电路及振荡电路，所述欠压锁定电路、误差放大器电路、电流比较器电路皆与集成芯片UI相连接，集成芯片UI与输出延迟电路、振荡电路及隔离电路相连接。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述欠压锁定电路包括电容C11、电容C9及电容C13，电容C11连接在+12V电源与地之间，集成芯片UI的VREF脚通过电容C9接地，+12V电源与集成芯片UI的UVSEL脚相连接，+12V电源通过电容C13连接集成芯片UI的PWRGND脚且接地。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：在所述误差放大器电路内设置有电阻R1、电阻R2、运放芯片U2、第一RC串联电路、第二RC串联电路及电阻R10，所述电阻R1和电阻R2并联且连接在运放芯片U2的反相输入端上，运放芯片U2的同相输入端接地，运放芯片U2的反相输入端与输出端之间连接第一RC串联电路，运放芯片U2的输出端通过电阻R10连接集成芯片UI的端，且集成芯片UI的端通过第二RC串联电路连接集成芯片UI的COMP脚。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述第一RC串联电路包括相互串联的电阻R7和电容C14，且电容C14的非共接端连接运放芯片U2的输出端，电阻R7的非共接端连接运放芯片U2的反相输入端；所述第二RC串联电路包括相互串联的电阻R11和电容C16，且电容C16的非共接端连接集成芯片UI的COMP脚；在所述运放芯片U2的输出端上还连接有供电电路，且供电电路包括相互串联的电阻R9和电容C15，电阻R9和电容C15的共接端连接运放芯片U2的输出电路，且电阻R9的非共接端连接电源VCC，电容C15的非共接端接地。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述电流比较器电路内设置有第一比较电路、第二比较电路、电阻R8、电容C17、电阻R12及电容C18，第一比较电路和第二比较电路皆通过电阻R8连接集成芯片UI的CS脚，电容C17和电阻R12并联在集成芯片UI的CS脚和GND脚之间，集成芯片UI的SS脚通过电容C18连接集成芯片UI的GND脚且接地。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述第一比较电路包括电阻R4、运放芯片U4、电阻R3及二极管D9，所述第二比较电路包括电阻R5、运放芯片U6、电阻R6及二极管D10，电阻R4的一端与运放芯片U4的反相输入端相连接，电阻R3并联在运放芯片U4的反相输入端和输出端之间，运放芯片U4的输出端通过二极管D9连接电阻R8的输入侧；电阻R5的一端与运放芯片U6的反相输入端相连接，电阻R6并联在运放芯片U6的反相输入端和输出端之间，运放芯片U6的输出端通过二极管D10连接电阻R8的输入侧。在设置时，优选的电阻R4接入实测的电压值，电阻R5接入实测的电流值，在运放芯片U4的同相输入端接入基准电压值，在运放芯片U6的同相输入端接入基准电流值，实测值和基准值在两块运放芯片(U4、U6)内进行比较，二极管D9和二极管D10的负极与电阻R8连接。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述输出延迟控制电路包括电位器W2、电位器W3、电容C21和电容C22，电位器W2和电容C21并联，且集成芯片UI的SETA-B脚通过相互并联的电位器W2和电容C21接地；电位器W3和电容C22并联，且集成芯片UI的SETC-D脚通过相互并联的电位器W3和电容C22接地。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述振荡电路包括电位器W1、电容C19及电容C20，集成芯片UI的RT脚通过相互并联的电位器W1和电容C19接地，且集成芯片UI的CT脚通过电容C20接地，集成芯片UI的CT脚和RAMP脚共接。进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述集成芯片UI采用PWM控制器UC3879。本技术与现有技术相比，具有以下优点及有益效果：本技术采用移相控制模式进行待控制电路的触发控制，具有拓扑结构简洁，控制方式简单等特点。本技术具有开关频率恒定，可以为待控制电路的开关管实现零电压开关，从而达到减小开关损耗提高开关频率的效果。本技术能够实现欠压锁定、过流保护功能。附图说明图1为本技术电路图。具体实施方式下面结合实施例对本技术作进一步地详细说明，但本技术的实施方式不限于此。实施例1：一种控制电路，采用移相控制模式进行待控制电路的触发控制，具有拓扑结构简洁，控制方式简单等特点，如图1所示，特别采用下述设置结构：设置有欠压锁定电路、误差放大器电路、电流比较器电路、控制模块、隔离电路及触发电路，所述控制模块分别与欠压锁定电路、误差放大器电路、电流比较器电路及隔离电路相连接，隔离电路连接触发电路。实施例2：本实施例是在上述实施例的基础上进一步优化，如图1所示，进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述控制模块内设置有集成芯片UI、输出延迟控制电路及振荡电路，所述欠压锁定电路、误差放大器电路、电流比较器电路皆与集成芯片UI相连接，集成芯片UI与输出延迟电路、振荡电路及隔离电路相连接。实施例3：本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，如图1所示，进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：所述欠压锁定电路包括电容C11、电容C9及电容C13，电容C11连接在+12V电源与地之间，集成芯片UI的VREF脚通过电容C9接地，+12V电源与集成芯片UI的UVSEL脚相连接，+12V电源通过电容C13连接集成芯片UI的PWRGND脚且接地。实施例4：本实施例是在上述任一实施例的基础上进一步优化，如图1所示，进一步的为更好地实现本技术，特别采用下述设置结构：在所述误差放大器电路内设置有电阻R1、电阻R2、运放芯片U2、第一RC串联电路、第二RC串联电路及电阻R10，所述电阻R1和电阻R2并联且连接在运放芯片U2的反相输入端上，运放芯片U2的同相输入端接地，运放芯片U2的反相输入端与输出端之间连接第一RC串联电路，运放芯片U2的输出端通过电阻R10连接集成芯片UI的端，且集成芯片UI的端通过第二RC串联电路连接集成芯片UI的COMP脚。实施例5：本实施例是在上述任本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种控制电路，其特征在于：设置有欠压锁定电路、误差放大器电路、电流比较器电路、控制模块、隔离电路及触发电路，所述控制模块分别与欠压锁定电路、误差放大器电路、电流比较器电路及隔离电路相连接，隔离电路连接触发电路。

【技术特征摘要】
1.一种控制电路，其特征在于：设置有欠压锁定电路、误差放大器电路、电流比较器电路、控制模块、隔离电路及触发电路，所述控制模块分别与欠压锁定电路、误差放大器电路、电流比较器电路及隔离电路相连接，隔离电路连接触发电路。2.根据权利要求1所述的一种控制电路，其特征在于：所述控制模块内设置有集成芯片UI、输出延迟控制电路及振荡电路，所述欠压锁定电路、误差放大器电路、电流比较器电路皆与集成芯片UI相连接，集成芯片UI与输出延迟电路、振荡电路及隔离电路相连接。3.根据权利要求2所述的一种控制电路，其特征在于：所述欠压锁定电路包括电容C11、电容C9及电容C13，电容C11连接在+12V电源与地之间，集成芯片UI的VREF脚通过电容C9接地，+12V电源与集成芯片UI的UVSEL脚相连接，+12V电源通过电容C13连接集成芯片UI的PWRGND脚且接地。4.根据权利要求2所述的一种控制电路，其特征在于：在所述误差放大器电路内设置有电阻R1、电阻R2、运放芯片U2、第一RC串联电路、第二RC串联电路及电阻R10，所述电阻R1和电阻R2并联且连接在运放芯片U2的反相输入端上，运放芯片U2的同相输入端接地，运放芯片U2的反相输入端与输出端之间连接第一RC串联电路，运放芯片U2的输出端通过电阻R10连接集成芯片UI的端，且集成芯片UI的端通过第二RC串联电路连接集成芯片UI的COMP脚。5.根据权利要求4所述的一种控制电路，其特征在于：所述第一RC串联电路包括相互串联的电阻R7和电容C14，且电容C14的非共接端连接运放芯片U2的输出端，电阻R7的非共接端连接运放芯片U2的反相输入端；所述第二RC串联电路包括相互串联的电阻R11和电容C16，且电容C16的非共接端连接集成芯片UI的COMP脚；在所述运放芯片U2的输出端上还连接有供电电路，且供电电路包括相互串联的电阻R9和电容C15，电阻R9和电容C15...

【专利技术属性】
技术研发人员：程常清，
申请(专利权)人：成都爱特联科技有限公司，
类型：新型
国别省市：四川,51