区熔单晶硅炉制造技术

本实用新型专利技术属于一种区熔单晶硅炉，采用中炉膛中部一侧通过真空管道相通复合分子泵的抽气口，复合分子泵的抽气口与真空管道之间设有真空挡板阀，复合分子泵通过分子泵固定栓固接在支架上。本实用新型专利技术能用简单的结构提高炉膛内的真空度，以提高硅籽晶质量，达到理想的使用效果。（*该技术在2016年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本技术属于一种区熔单晶硅炉。
技术介绍
传统的单晶硅炉主要用于生产硅半导体材料，单晶硅炉包括硅半导体材料生长合成的上中下炉膛、及旋转硅籽晶糸统和电控自动糸统。硅籽晶质量很大程度上取决于上中下炉膛的真空度，但传统的单晶硅炉抽真空结构设计不合理，使上中下炉膛内真空度仅为3Pa，使生产出的硅籽晶质量很差，造成产品正品率低，抽真空结构使用制作成本高，维修麻烦。
技术实现思路
本技术的目的是设计一种区熔单晶硅炉，使其能用简单的结构提高炉膛内的真空度，以提高硅籽晶质量，达到理想的使用效果。为此，本技术采用中炉膛中部一侧通过真空管道相通复合分子泵的抽气口，复合分子泵的抽气口与真空管道之间设有真空挡板阀，复合分子泵通过分子泵固定栓固接在支架上。上述结构达到了本技术的目的。本技术的优点是能用简单的结构提高炉膛内的真空度，真空度可达到5×10-4以上，大幅提高了硅籽晶质量，达到理想的使用效果，大幅度提高了产品的正品率，且结构简单，制作使用成本低，维修和使用简便效果好。附图说明图1为本技术的结构示意图图2为图1的俯视结构示意图具体实施方案如图1至图2所示，一种区熔单晶硅炉，由支架1、地脚14、传动支架2、上炉膛3、下炉膛5和中炉膛4所组成。中炉膛中部一侧通过真空管道6、7相通复合分子泵11的抽气口。复合分子泵的抽气口与真空管道之间设有真空挡板阀10，复合分子泵通过分子泵固定栓12固接在支架上。所述的上炉膛通过炉膛支架8与支架固接。中炉膛下端为下炉膛，中炉膛上端为上炉膛，中炉膛上下端与上下炉膛互相贯通。上下炉膛的上下端设传动支架，传动支架上设带动伸入炉膛内的传动轴转动。支架下端设有地脚，用于支撑支架和调整其高度。复合分子泵的抽气口通过真空管道6、波纹管9、真空挡板阀和真空管道7与中炉膛中部一侧相通。波纹管的作用是用于减少复合分子泵的震动。复合分子泵的出气口通过出气管13可再接一个抽气泵的抽气口以增加抽气效果。使用时，复合分子泵的抽气口通过真空管道、波纹管、真空挡板阀和真空管道对上中下炉膛抽真空。真空挡板阀可有效防止气体回流，以保证提高硅籽晶质量，达到理想的使用效果。总之，本技术能用用简单的结构提高炉膛内的真空度，真空度可达到5×10-4以上，大幅提高了硅籽晶质量，达到理想的使用效果，大幅度提高了产品的正品率，且结构简单，制作使用成本低，维修和使用简便效果好。权利要求1.一种区熔单晶硅炉，由支架、地脚、传动支架、上炉膛、下炉膛和中炉膛所组成，其特征在于中炉膛中部一侧通过真空管道相通复合分子泵的抽气口，复合分子泵的抽气口与真空管道之间设有真空挡板阀，复合分子泵通过分子泵固定栓固接在支架上。2.按权利要求1所述的区熔单晶硅炉，其特征在于所述的上炉膛通过炉膛支架与支架固接。专利摘要本技术属于一种区熔单晶硅炉，采用中炉膛中部一侧通过真空管道相通复合分子泵的抽气口，复合分子泵的抽气口与真空管道之间设有真空挡板阀，复合分子泵通过分子泵固定栓固接在支架上。本技术能用简单的结构提高炉膛内的真空度，以提高硅籽晶质量，达到理想的使用效果。文档编号C30B13/00GK2913390SQ200620117810公开日2007年6月20日 申请日期2006年5月29日 优先权日2006年5月29日专利技术者张志新, 王军, 安桂正 申请人:北京京运通真空设备厂本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种区熔单晶硅炉，由支架、地脚、传动支架、上炉膛、下炉膛和中炉膛所组成，其特征在于：中炉膛中部一侧通过真空管道相通复合分子泵的抽气口，复合分子泵的抽气口与真空管道之间设有真空挡板阀，复合分子泵通过分子泵固定栓固接在支架上。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：张志新，王军，安桂正，
申请(专利权)人：北京京运通真空设备厂，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]