【技术实现步骤摘要】
本技术属于一种区熔单晶硅生长炉。
技术介绍
传统的单晶硅炉主要用于生产硅半导体材料,单晶硅炉包括硅半导体材料生长合成的主炉室、主轴升降传动结构和电控自动糸统。传统的单晶硅炉的主轴升降传动结构采用齿条单点传动平衡稳定性差,不容易保证上下主轴的动态真空度,使生产出的硅籽晶质量很差,造成产品正品率低。
技术实现思路
本技术的目的是设计一种区熔单晶硅生长炉,使其能用简单的结构实现主轴升降传动结构平衡稳定性好,保证上下主轴的动态真空度,以达到理想的使用效果。为此,本技术采用呈矩形四角分布的四个导柱的上下端分别固设在顶板和底板的对应角上,对应两边的两导柱之间设有丝杆,两丝杆上端与对应的顶板轴接,两丝杆下端轴接穿过底板分别与两减速箱输出端相接,两减速箱输入端通过连轴器与电机轴相接,滑座四角通过直线轴承与四个导柱滑配并与两丝杆螺接,滑座中部设有中心轴。上述结构达到了本技术的目的。本技术的优点是能用简单的结构实现主轴升降传动结构平衡稳定性好,保证上下主轴的动态真空度,达到了理想的使用效果,大幅度提高了产品的正品率,且结构简单,制作使用成本低,维修和使用简便效果好。附图说明图1为本技术的结构示意图图2为图1的A-A剖面结构示意图图3为为图1的右侧面结构示意图图4为图3的仰视面结构示意图具体实施方案如图1至图4所示,一种区熔单晶硅生长炉,由底板3、顶板10和减速箱所组成,呈矩形四角分布的四个导柱21的上下端分别固设在顶板和底板的对应角上。对应两边的两导柱之间设有丝杆5,两丝杆上端与对应的顶板轴接,两丝杆下端轴接穿过底板分别与两减速箱14、12输出端相接,两减速箱输入端通过连轴器2 ...
【技术保护点】
一种区熔单晶硅生长炉,由底板、顶板和减速箱所组成,其特征在于:呈矩形四角分布的四个导柱的上下端分别固设在顶板和底板的对应角上,对应两边的两导柱之间设有丝杆,两丝杆上端与对应的顶板轴接,两丝杆下端轴接穿过底板分别与两减速箱输出端相接,两减速箱输入端通过连轴器与电机轴相接,滑座四角通过直线轴承与四个导柱滑配并与两丝杆螺接,滑座中部设有中心轴。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:张志新,王军,安桂正,
申请(专利权)人:北京东方科运晶体技术有限公司,
类型:实用新型
国别省市:11[中国|北京]
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