【技术实现步骤摘要】
本专利技术属于单晶生长所用的装置。现有六硼化镧等单晶的生长装置，一般使用马弗炉、扩散炉或类似的炉子。这些炉子的炉体大，造价高，耗电多，要求保护气体的纯度高而且消耗量也大，而炉内坩埚的容量却较小，一般只有15至50毫升，因此生长得到的单晶较少，成本较高。本专利技术研制成功了一种密封式单晶炉，其炉体小，坩埚大，耗电省，不消耗高纯保护气体，因而提高了单晶的产量，降低了成本。密封式单晶炉的结构如图所示单晶炉体〔10〕是用一定厚度的金属材料制成，炉体顶部和侧面有密封法兰〔1，14〕和密封圈〔2，13〕及紧固件〔3，12〕将炉体密封，侧面密封法兰将热电偶〔15〕及加热器〔8〕的引线引出。炉体侧面还有两个金属管道，其一通安全阀〔16〕，另一个与气压表〔4〕相连，并通过阀门〔5〕与机械泵相连，通过阀门〔6〕与惰性保护气体瓶相连。炉体芯部为坩埚〔9〕，加热器〔8〕，隔热罩〔7〕，隔热垫〔11〕。炉内充满惰性保护气体〔17〕，气体的纯度可以是工业纯。气体压力由压力表〔4〕指示，可以等于或大于大气压力，超过某一限度时，安全阀〔16〕自动减压。气体一次充入后可以不再补充。专利技术人根据上述结构作成的单晶炉的外径只有225毫米，高度270毫米，坩埚容量为114毫升，用机械泵抽去炉内的空气之后，充入工业纯惰性保护气体，气体的压力为0～3公斤／平方厘米，升温至1200℃，加热功率小于2000瓦，利用铝熔融法，生长得到数目可观的(100)六硼化镧单晶。本单晶炉可广泛的用于其他单晶的生长及各种材料的热处理装置。
【技术保护点】
一种炉体内由坩埚［９］、加热器［８］、隔垫罩［７］、惰性保护气体［１７］、热电偶［１５］、隔热垫［１１］组成的密封式六硼化镧单晶炉。其特征是：具有金属炉体［１０］，在炉体顶部和侧面有密封法兰［１、１４］，密封圈［２、１３］和紧固件［３、１２］把炉体密封，在炉体两侧有两个金属管道，其中一个金属管道通安全阀［１６］，另一个与气压表［４］相连接，并通过阀门［５］与机械泵相连，通过另一阀门［６］与惰性气体瓶相连。
【技术特征摘要】
1.一种炉体内由坩埚[9]、加热器[8]、隔热罩[7]、惰性保护气体[17]、热电偶[15]、隔热垫[11]组成的密封式六硼化镧单晶炉。其特征是具有金属炉体[10]，在炉体顶部和侧面有密封法兰[1、14]，密封圈[2、13]和紧固件[3、12]把炉体密封，在炉体两侧有两个金属管道，其中一个金属管道通安...
【专利技术属性】
技术研发人员：曾朝伟，苏锡珍，
申请(专利权)人：中国科学院科学仪器厂，
类型：实用新型
国别省市：11[中国|北京]
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