应用在扇出制程的晶粒定位方法及生产设备技术

本发明专利技术提供一种应用在扇出制程的晶粒定位方法，该扇出制程依序包括置晶步骤、量测步骤、灌胶步骤、激光钻孔步骤、电镀步骤及电路曝显步骤，该晶粒定位方法包含下列步骤：在灌胶步骤与激光钻孔步骤之间的X射线检查步骤、影像分析步骤及重新定位步骤，于X射线检查步骤执行X射线扫描而产生X射线扫描影像信息，于影像分析步骤分析出各个晶粒的实际位置与预定位置之间的偏移状态而得晶粒偏移状态信息，于重新定位步骤依据晶粒偏移状态信息而校正激光钻孔资料，于激光钻孔步骤依据经校正后的激光钻孔资料而执行。本发明专利技术并提供一种应用在扇出制程的生产设备。

Grain positioning method and production equipment applied in fan out process

The invention provides a grain positioning method applied to the fan out process, which includes the crystallization step, the measurement step, the filling step, the laser drilling step, the electroplating step and the circuit exposing step. The grain positioning method includes the following steps: the X ray examination step between the step of the glue filling and the step of the laser drilling. The step of sudden, image analysis and repositioning, the X ray scanning step is performed by the X ray scanning and the X ray scanning image information is generated. The migration state information between the actual position of each grain and the predetermined position is analyzed by the image analysis step, and the repositioning step is based on the grain migration state. Information is used to calibrate laser drilling data, and laser drilling steps are performed according to corrected laser drilling data. The invention also provides a production device used in fanout production process.

【技术实现步骤摘要】
应用在扇出制程的晶粒定位方法及生产设备
本专利技术涉及一种晶粒定位方法及生产设备，特别是涉及一种应用在扇出制程的晶粒定位方法及生产设备。
技术介绍
在半导体的扇出制程中，通常包括置晶步骤、灌胶步骤、激光钻孔步骤以及电路曝显步骤。所谓置晶，指将切割过的复数个晶粒置放于基板的预定位置，以进行后续的加工、封装。灌胶步骤指将绝缘胶披覆于基板及晶粒的上表面而形成绝缘层，以封装固定该些晶粒。待绝缘胶固着后，由激光钻孔设备依据激光钻孔资料(相关于晶粒的预定位置)执行激光钻孔，而形成穿透绝缘层及基板的穿孔。这些垂直基板及绝缘层的穿孔通常位于晶粒的外侧，可供设置导线，以电连接晶粒的接点部及基板。然而，固着前的胶为流体，因此在灌胶步骤中，胶的流动可能使晶粒偏离预定位置，又或者是固着时来自各方向的应力使晶粒偏离。这种偏离状况不仅是二维的，还可能是三维的。一旦晶粒被封埋于绝缘层中，其偏移的情况将难以被观察到。若根据原有的激光钻孔资料执行激光钻孔，则可能因为晶粒偏离原本的预定位置的关系，而产生激光束误伤晶粒、穿孔形成的位置无法对应晶粒等诸多问题，进而影响到后续的电镀步骤以及电路曝显步骤无法顺利执行。如此一来，不仅生产良率大幅下降，也浪费时间及物料成本。
技术实现思路
因此，为解决上述问题，本专利技术的目的即在提供一种应用在扇出制程的晶粒定位方法及生产设备。本专利技术为解决现有技术的问题所采用的技术手段提供一种应用在扇出制程的晶粒定位方法，其中该扇出制程依序包括将复数个晶粒放置于基板的预定位置的置晶步骤、披覆绝缘层于该复数个晶粒及该基板的上表面而与该基板形成封装结构的灌胶步骤、以及依据激光钻孔资料而执行激光钻孔的激光钻孔步骤，该晶粒定位方法包含下列步骤：X射线检查步骤，在该灌胶步骤与该激光钻孔步骤之间，由X射线检查机构对该封装结构及该复数个晶粒执行X射线扫描而产生X射线扫描影像信息，该X射线扫描影像信息包括各个该复数个晶粒相对该基板的位置的平面影像信息，以及于不同深度的各个该复数个晶粒在相对该封装结构中的埋设状态的深度影像信息；影像分析步骤，由影像分析机构根据该X射线扫描影像信息而分析出各个该复数个晶粒的实际位置与于该封装结构的预定位置之间的偏移状态而得晶粒偏移状态信息；以及重新定位步骤，由重新定位机构依据该晶粒偏移状态信息而校正该激光钻孔资料，其中，该激光钻孔步骤由该激光钻孔机构依据经校正后的该激光钻孔资料而执行，再于电路曝显步骤依据经校正后的激光钻孔资料而执行。在本专利技术的一实施例中提供一种应用在扇出制程的晶粒定位方法，该影像分析步骤包括：根据该X射线扫描影像信息的各个该复数个晶粒相对该基板的位置的平面影像信息以分析各个该复数个晶粒的实际位置与该预定位置之间的X轴偏移距离、Y轴偏移距离、偏移旋转角度。在本专利技术的一实施例中提供一种应用在扇出制程的晶粒定位方法，该影像分析步骤还包括根据该X射线扫描影像信息以分析该封装结构的翘曲状态。本专利技术为解决现有技术的问题所采用的技术手段提供一种应用在扇出制程的生产设备，其中该扇出制程包括形成封装结构以及复数个埋设于该封装结构的预定位置的晶粒，并依据该预定位置而形成激光钻孔资料以及依据该激光钻孔资料而执行激光钻孔，再于电路曝显步骤依据经校正后的激光钻孔资料而执行。该应用在扇出制程的生产设备包含：X射线检查机构，对该封装结构及该复数个埋设于该封装结构的晶粒执行X射线扫描而产生X射线扫描影像信息，该X射线扫描影像信息包括各个该复数个晶粒相对该基板的位置的平面影像信息，以及于不同深度的各个该复数个晶粒在相对该封装结构中的埋设状态的深度影像信息；影像分析机构，信号连接该X射线检查机构，该影像分析机构根据该X射线扫描影像信息而分析出各个该复数个晶粒的实际位置与于该封装结构的预定位置之间的偏移状态而得晶粒偏移状态信息；以及重新定位机构，信号连接该影像分析机构，该重新定位机构依据该晶粒偏移状态信息而校正该激光钻孔资料。在本专利技术的一实施例中提供一种应用在扇出制程的生产设备，还包括激光钻孔机构与激光曝光机，信号连接该重新定位机构，该激光钻孔机构依据经校正后的该激光钻孔资料而执行激光钻孔再由该激光曝光机于电路曝显步骤依据经校正后的数据而执行电路曝显。在本专利技术的一实施例中提供一种应用在扇出制程的生产设备，该X射线检查机构为3DX射线检查机构。在本专利技术的一实施例中提供一种应用在扇出制程的生产设备，该X射线检查机构包括数字微型反射镜组件。经由本专利技术所采用的技术手段，可分析出各个晶粒的实际位置与预定位置之间的偏移状态而得晶粒偏移状态信息，而依据该晶粒偏移状态信息精准地重新定位该些晶粒而校正激光钻孔资料，使得激光钻孔形成的穿孔能对应位置偏移的晶粒，进而提高生产良率、降低成本。除此之外，通过X射线检查步骤产生的X射线扫描影像信息，其包含不同深度的各个复数个晶粒的埋设状态，因此可据以分析封装结构的翘曲状态，有利于提高后续的加工、封装制程的精准度。附图说明本专利技术所采用的具体实施例，将通过以下的实施例及附图作进一步的说明。图1为显示扇出制程的置晶步骤示意图。图2为显示扇出制程的灌胶步骤示意图。图3为显示扇出制程的镀线步骤示意图。图4为显示扇出制程的激光钻孔步骤示意图。图5为显示根据本专利技术一实施例的应用在扇出制程的晶粒定位方法的流程图。图6为显示根据本专利技术的实施例的应用在扇出制程的的生产设备的示意图。图7至图11为显示各个晶粒的实际位置与预定位置之间的偏移状态的示意图。图12为显示各个晶粒在基板上的偏移状态的示意图。图13及图14为显示X射线扫描影像信息的示意图。附图标记100应用在扇出制程的生产设备1X射线检查机构2影像分析机构3重新定位机构4激光钻孔机构5激光曝光机构B基板D晶粒G绝缘层S101X射线检查步骤S102影像分析步骤S103重新定位步骤S104激光钻孔步骤S105电镀步骤S106电路曝显步骤T1X射线扫描影像信息T2晶粒偏移状态信息T3经校正后的激光钻孔资料具体实施方式以下根据图1至图14，而说明本专利技术的实施方式。该说明并非为限制本专利技术的实施方式，而为本专利技术的实施例的一种。在说明本专利技术之前，需先理解何谓半导体封装的扇出制程。扇出制程依序包括置晶步骤、量测步骤、灌胶步骤、激光钻孔步骤、电镀步骤以及电路曝显步骤。如图1所示，在置晶步骤中，将复数个晶粒D放置于基板B的预定位置。接着如图2所示，在灌胶步骤中，披覆绝缘层G于复数个晶粒D及基板B的上表面，绝缘层G与基板B形成封装结构而将复数个晶粒D封埋，仅露出晶粒D的接点部。如图3所示，在激光钻孔步骤前，先于绝缘层G的表面镀上电连接晶粒D的接点部的导线。再如图4所示，在激光钻孔步骤中，依据激光钻孔资料(相关于基板B、晶粒D的配置)而执行激光钻孔，意即以激光集中的能量在封装结构中的特定位置打孔，以供后续的电镀步骤以及电路曝显步骤继续镀上导线而使晶粒D通过接点部、导线而电连接基板B。请配合参阅图5及图6，而本专利技术的一实施例的晶粒定位方法及生产设备为应用在该应用在扇出制程。晶粒定位方法包含下列步骤：X射线检查步骤S101、影像分析步骤S102、及重新定位步骤S103。而本专利技术的一实施例的应用在扇出制程的生产设备100，包括X射线检查机构1、影像分析机构2、及重新定位机构3。影像分析机构2本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种应用在扇出制程的晶粒定位方法，其特征在于，所述的扇出制程依序包括将复数个晶粒放置于基板的预定位置的置晶步骤、披覆绝缘层于所述的复数个晶粒及所述的基板的上表面而与所述的基板形成封装结构的灌胶步骤、以及依据激光钻孔资料而执行激光钻孔的激光钻孔步骤，所述的晶粒定位方法包含下列步骤：X射线检查步骤，在所述的灌胶步骤与所述的激光钻孔步骤之间，由X射线检查机构对所述的封装结构及所述的复数个晶粒执行X射线扫描而产生X射线扫描影像信息，所述的X射线扫描影像信息包括各个所述的复数个晶粒相对所述的基板的位置的平面影像信息，以及于不同深度的各个所述的复数个晶粒在相对所述的封装结构中的埋设状态的深度影像信息；影像分析步骤，由影像分析机构根据所述的X射线扫描影像信息而分析出各个所述的复数个晶粒的实际位置与于所述的封装结构的预定位置之间的偏移状态而得晶粒偏移状态信息；以及重新定位步骤，由重新定位机构依据所述的晶粒偏移状态信息而校正所述的激光钻孔资料，其中，所述的激光钻孔步骤由所述的激光钻孔机构依据经校正后的所述的激光钻孔资料而执行。

【技术特征摘要】
1.一种应用在扇出制程的晶粒定位方法，其特征在于，所述的扇出制程依序包括将复数个晶粒放置于基板的预定位置的置晶步骤、披覆绝缘层于所述的复数个晶粒及所述的基板的上表面而与所述的基板形成封装结构的灌胶步骤、以及依据激光钻孔资料而执行激光钻孔的激光钻孔步骤，所述的晶粒定位方法包含下列步骤：X射线检查步骤，在所述的灌胶步骤与所述的激光钻孔步骤之间，由X射线检查机构对所述的封装结构及所述的复数个晶粒执行X射线扫描而产生X射线扫描影像信息，所述的X射线扫描影像信息包括各个所述的复数个晶粒相对所述的基板的位置的平面影像信息，以及于不同深度的各个所述的复数个晶粒在相对所述的封装结构中的埋设状态的深度影像信息；影像分析步骤，由影像分析机构根据所述的X射线扫描影像信息而分析出各个所述的复数个晶粒的实际位置与于所述的封装结构的预定位置之间的偏移状态而得晶粒偏移状态信息；以及重新定位步骤，由重新定位机构依据所述的晶粒偏移状态信息而校正所述的激光钻孔资料，其中，所述的激光钻孔步骤由所述的激光钻孔机构依据经校正后的所述的激光钻孔资料而执行。2.根据权利要求1所述的应用在扇出制程的晶粒定位方法，其特征在于，所述的影像分析步骤包括：根据所述的X射线扫描影像信息的各个所述的复数个晶粒相对所述的基板的位置的平面影像信息以分析各个所述的复数个晶粒的实际位置与所述的预定位置之间的X轴偏移距离、Y轴偏移距离、偏移旋转角度。3.根据权利要求1所述的应用在扇出制程的晶粒定位方法，其特征在于，所述的影像分析步骤还包括根据所述的X射线扫描影像信息以分析所述的封装结构的翘曲状态。4.根据权利要求1所述的应用在扇出制程的晶粒定...

【专利技术属性】
技术研发人员：何毓民，
申请(专利权)人：技鼎股份有限公司，
类型：发明
国别省市：中国台湾,71