一种具有双层氧化物层的阻变存储器件及其制备方法技术

本发明专利技术涉及微电子制造技术及存储器件技术领域，公开了一种具有双层氧化物层的阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器器件结构包括：顶电极、底电极以及包含在两端电极之间的双层氧化物阻变存储层。本发明专利技术提出的阻变存储器件单元具有自整流特性，可不依赖于额外的选通单元，依靠自身的整流特性解决器件间的电流串扰问题。同时本发明专利技术的阻变存储器件采用磁控溅射或电子束蒸发方式制备，工艺过程简单、制造成本低，可实现高集成的三维十字交叉堆叠结构。

【技术实现步骤摘要】
一种具有双层氧化物层的阻变存储器件及其制备方法
本专利技术涉及微电子制造技术及存储器件
，具体涉及一种具有自整流阻变存储器器件及其制备方法。
技术介绍
随着电子科技的飞速发展及半导体行业的更新迭代，半导体器件的集成度越来越高，向着小尺寸、高集成的方向高速发展。因此存储器件需要在保证存储容量的前提下减小器件尺寸，使存储密度不断提高。基于十字交叉阵列的阻变存储器拥有理论上最小的器件面积，同时，它可以进一步缩减集成到三维堆垛结构，因此被认为是最有潜力的下一代存储器。但由于半导体器件的小尺寸作用，堆垛的十字交叉阵列结构存在严重的电流串扰问题，从而使器件之间发生信息误读，导致存储的可靠性下降。具有自整流效应的阻变存储器类似于二极管的作用，因此能解决交叉阵列排布的阻变器件的电流串扰问题。同时，它保持了简单的三明治结构，且在操作过程中不需要破坏性的读写过程，因此，具有电流方向选择性的自整流阻变存储器件是解决电流串扰的最有效的方法。
技术实现思路
本专利技术的主要目的在于提供一种具有自整流阻变特性的阻变存储器件结构及其制备方法，能够方便、快捷的制备出具有自整流特性的阻变存储器件，以解决常规阻变存储本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种具有双层氧化物层的阻变存储器件，其特征在于：该存储器件具有自整流存储特性，该器件采用三层夹层式结构，分别为顶电极、底电极及阻变存储层，所述阻变存储层由InmGanZnkO氧化层与TaOx氧化层的结构组成。

【技术特征摘要】
1.一种具有双层氧化物层的阻变存储器件，其特征在于：该存储器件具有自整流存储特性，该器件采用三层夹层式结构，分别为顶电极、底电极及阻变存储层，所述阻变存储层由InmGanZnkO氧化层与TaOx氧化层的结构组成。2.根据权利要求1所述的具有双层氧化物层的阻变存储器件，其特征在于：所述的InmGanZnkO氧化层的特征厚度为5～50nm，TaOx氧化层的特征厚度为5～50nm。3.根据权利要求1所述的具有双层氧化物层的阻变存储器件，其特征在于：所述的顶电极采用活泼金属或活泼金属的合金材料，其特征厚度为10～500nm。4.根据权利要求1所述的具有双层氧化物层的阻变存储器件，其特征在于：...

【专利技术属性】
技术研发人员：李钦，胡浩威，
申请(专利权)人：安徽建筑大学，
类型：发明
国别省市：安徽,34