一种石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件构筑方法技术

本发明专利技术公开了一种石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件构筑方法，包括如下步骤：1)构建MCBJ组件，其包括两个石墨烯电极以及液池，所述的两个石墨烯电极位于液池内；2)吸取富勒烯分子溶液加入液池中，使石墨烯电极浸没于该分子溶液中；3)在电极两端施加一定偏压，启动顶杆驱动芯片弯曲，生成石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件。本发明专利技术方法可成功构建石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件。

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件构筑方法
专利技术涉及碳基电子学、全碳分子器件及单分子电学测量技术。
技术介绍
电子器件小型化是时代发展的趋势。摩尔定律预测：芯片上集成电路数目每18个月就会增长一倍。集成电路数目的增多预示着电子器件的尺寸的缩小。但目前硅基电子器件小型化已趋于材料和物理极限，包括零维富勒烯、一维碳纳米管、二维石墨烯在内的碳基纳米材料被认为是取代硅基半导体的最优选择。与此同时，二维石墨烯/一维碳纳米管复合碳基纳米材料也因为展现出单一个体所不具备的优良物理化学特性受到了科研工作者的广泛关注。石墨烯/碳纳米管复合材料可分为富石墨烯杂化和富碳纳米管杂化两类。富石墨烯杂化表现为碳纳米管水平或垂直分布于大面积石墨烯片层间的结构，碳纳米管有效抑制了石墨烯层层堆叠现象发生，增加了空洞数量，该复合材料表现出相比于单一石墨烯或碳纳米管更佳的导电、导热、氢存储等性质。富碳纳米管杂化表现为小片层石墨烯与碳纳米管的内层或外层结构相连的结构，小片层石墨烯增加了催化基团，该复合材料可作为良好的氧化还原催化剂。近年来石墨烯/碳纳米管复合材料合成技术愈加成熟，并成功应用于能量存储、电化学传感器、本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件构筑方法，包括如下步骤：1)构建MCBJ组件，其包括两个石墨烯电极以及液池，所述的两个石墨烯电极位于液池内或位于液池下方；2)吸取富勒烯分子溶液加入液池中，使石墨烯电极浸没于该分子溶液中；3)在电极两端施加一定偏压，启动顶杆驱动芯片弯曲，生成石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件；芯片下方的顶杆受到步进电机驱动力的作用向下移动，带动基底向下弯曲，驱动石墨烯电极对往内侧拉伸，进而形成纳米间隙，两电极对产生遂穿电流，此时顶杆的运动转换至受压电陶瓷控制；当隧穿电导达到设置上限，顶杆转换运动方向向上移动，电极对间隙不断变大，隧穿电流也随之减小，当电极对间隙增大到与...

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件构筑方法，包括如下步骤：1)构建MCBJ组件，其包括两个石墨烯电极以及液池，所述的两个石墨烯电极位于液池内或位于液池下方；2)吸取富勒烯分子溶液加入液池中，使石墨烯电极浸没于该分子溶液中；3)在电极两端施加一定偏压，启动顶杆驱动芯片弯曲，生成石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件；芯片下方的顶杆受到步进电机驱动力的作用向下移动，带动基底向下弯曲，驱动石墨烯电极对往内侧拉伸，进而形成纳米间隙，两电极对产生遂穿电流，此时顶杆的运动转换至受压电陶瓷控制；当隧穿电导达到设置上限，顶杆转换运动方向向上移动，电极对间隙不断变大，隧穿电流也随之减小，当电极对间隙增大到与富勒烯分子相匹配的距离，石墨烯电极对捕捉富勒烯分子，构筑石墨烯/富勒烯/石墨烯分子结。2.根据权利要求1所述的一种石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器件构筑方法，其特征在于：步骤1)中，所述的MCBJ组件，具有由压电陶瓷和步进电机组成的顶杆。3.根据权利要求1所述的一种石墨烯/富勒烯/石墨烯全碳分子器...

【专利技术属性】
技术研发人员：洪文晶，张丹，肖宗源，谭志冰，皮九婵，刘俊扬，师佳，杨扬，
申请(专利权)人：厦门大学，
类型：发明
国别省市：福建,35