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本发明涉及微电子制造技术及存储器件技术领域，公开了一种具有双层氧化物层的阻变存储器件及其制备方法。该阻变存储器器件结构包括：顶电极、底电极以及包含在两端电极之间的双层氧化物阻变存储层。本发明提出的阻变存储器件单元具有自整流特性，可不依赖于额...
该专利属于安徽建筑大学所有，仅供学习研究参考，未经过安徽建筑大学授权不得商用。

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