一种复合量子阱外延片制造技术

本发明专利技术提供的一种复合量子阱外延片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层、n‑AlInP限制层、n‑AlGaInP波导层、突变MQW有源层、渐变MQW有源层、p‑AlGaInP波导层、p‑AlInP限制层和p‑GaP电流扩展层；突变MQW有源层和渐变MQW有源层材料为AlGaInP。本发明专利技术公开的一种复合量子阱外延片，通过对突变量子阱和渐变量子阱的组合设计，限制电子在量子阱结构中的快速移动，增强空穴载流子的移动能力，从而提高电子与空穴载流子的复合几率，能提高LED芯片的内量子发光效率。

【技术实现步骤摘要】
一种复合量子阱外延片
本专利技术属于半导体二极管
，具体涉及一种复合量子阱外延片。
技术介绍
现如今，高亮度AlGaInP基发光二极管的应用极为广泛，从传统的显示、指示、按键背光、灯饰等领域扩展到汽车尾灯、背光源等高端应用方面。对于In组分为0.5，(AlxGa1-x)0.5In0.5P材料的晶格常数可以与GaAs衬底完全匹配，通过对Al和Ga组分的调节，可以发出红、橙、黄、黄绿光(波长650-560nm)。因此提高发光效率，对于LED整个行业具有极大的经济效益，同时也促进了各相关行业的产业升级。
技术实现思路
本专利技术为提高LED芯片的内量子发光效率，提供一种复合量子阱外延片，通过对突变量子阱和渐变量子阱的组合设计，限制电子在量子阱结构中的快速移动，增强空穴载流子的移动能力，从而提高电子与空穴载流子的复合几率。为了解决本专利技术的技术问题，本专利技术是通过以下技术方案实现的：一种复合量子阱外延片，包括GaAs衬底100，在所述GaAs衬底100上依次外延生长缓冲层101、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层102、n-AlInP限制层103、n-AlGaInP波导层104、突本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种复合量子阱外延片，其特征在于：包括GaAs衬底(100)，在所述GaAs衬底(100)上依次外延生长缓冲层(101)、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)、n‑AlInP限制层(103)、n‑AlGaInP波导层(104)、突变MQW有源层(105)、渐变MQW有源层(106)、p‑AlGaInP波导层(107)、p‑AlInP限制层(108)和p‑GaP电流扩展层(109)，所述突变MQW有源层(105)和渐变MQW有源层(106)材料为AlGaInP；所述缓冲层(101)厚度为0.5μm，掺杂浓度为5×1017cm‑3，所述AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102...

【技术特征摘要】
1.一种复合量子阱外延片，其特征在于：包括GaAs衬底(100)，在所述GaAs衬底(100)上依次外延生长缓冲层(101)、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)、n-AlInP限制层(103)、n-AlGaInP波导层(104)、突变MQW有源层(105)、渐变MQW有源层(106)、p-AlGaInP波导层(107)、p-AlInP限制层(108)和p-GaP电流扩展层(109)，所述突变MQW有源层(105)和渐变MQW有源层(106)材料为AlGaInP；所述缓冲层(101)厚度为0.5μm，掺杂浓度为5×1017cm-3，所述AlGaAs/AlAs(DBR)反射层(102)厚度为1.6μm，掺杂浓度为2×1018。2.如权利要求1所述的一种复合量子阱外延片，其特征在于：所述n-AlInP限制层(103)厚度为0.5μm，掺杂浓度为2×...

【专利技术属性】
技术研发人员：宁如光，
申请(专利权)人：南昌凯迅光电有限公司，
类型：发明
国别省市：江西,36