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本发明提供的一种复合量子阱外延片，包括GaAs衬底，在GaAs衬底上依次外延生长缓冲层、AlGaAs/AlAs(DBR)反射层、n‑AlInP限制层、n‑AlGaInP波导层、突变MQW有源层、渐变MQW有源层、p‑AlGaInP波导层、p...
该专利属于南昌凯迅光电有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南昌凯迅光电有限公司授权不得商用。

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