红外探测器的量子点有源区结构、其制作方法及红外探测器技术

本发明专利技术提供的一种红外探测器的量子点有源区结构、其制作方法及红外探测器，包括：衬底，所述衬底上具有缓冲层，所述缓冲层上具有第一间隔层，所述第一间隔层上具有一个或多个层叠设置在一起的量子点复合层，所述量子点复合层包括下方的量子点层和上方的第二间隔层，位于最上方的第二间隔层上具有金属层，所述金属层上具有阵列式通孔，所述衬底的背面为光线的入射面；本发明专利技术的结构和制造工艺较简单，且吸收率较高，适用于光电探测器领域。

【技术实现步骤摘要】
红外探测器的量子点有源区结构、其制作方法及红外探测器
本专利技术属于光电探测器的
，尤其涉及一种红外探测器的量子点有源区结构、其制作方法及红外探测器。
技术介绍
随着红外探测技术在军事领域和民用领域的广泛应用，小规模半导体红外光电检测器件的需求量不断增加。近年来，用作小规模光电检测器的光敏区域(有源区域)的量子点材料受到广泛的关注。量子点有源区中的量子点材料由于其量子点纳米结构而具有更优异的光电特性，例如：量子点材料的量子效率越高，光电检测器件的吸收率越大。然而，有时候，传统的量子点有源区带来的吸收率也不能满足红外光电探测器的应用需求。而为了解决这个问题，现有技术通常采用一些工艺复杂、成本高昂的手段来提高红外光电探测器的吸收率，限制了拥有量子点有源区的红外探测器的广泛应用和批量生产。
技术实现思路
本专利技术克服现有技术存在的不足，所要解决的技术问题为：提供一种红外吸收率较高，且结构和制造工艺较简单的红外探测器的量子点有源区结构、其制作方法及红外探测器。为了解决上述技术问题，本专利技术采用的技术方案为：红外探测器的量子点有源区结构，包括：衬底，所述衬底上具有缓冲层，所述缓冲层上具有本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.红外探测器的量子点有源区结构，包括：衬底(101)，其特征在于：所述衬底(101)上具有缓冲层(102)，所述缓冲层(102)上具有第一间隔层(103)，所述第一间隔层(103)上具有一个或多个层叠设置在一起的量子点复合层，所述量子点复合层包括下方的量子点层(104)和上方的第二间隔层(105)，位于最上方的第二间隔层(105)上具有金属层(106)，所述金属层(106)上具有阵列式通孔(107)，所述衬底(101)的背面为光线的入射面。

【技术特征摘要】
1.红外探测器的量子点有源区结构，包括：衬底(101)，其特征在于：所述衬底(101)上具有缓冲层(102)，所述缓冲层(102)上具有第一间隔层(103)，所述第一间隔层(103)上具有一个或多个层叠设置在一起的量子点复合层，所述量子点复合层包括下方的量子点层(104)和上方的第二间隔层(105)，位于最上方的第二间隔层(105)上具有金属层(106)，所述金属层(106)上具有阵列式通孔(107)，所述衬底(101)的背面为光线的入射面。2.根据权利要求1所述的红外探测器的量子点有源区结构，其特征在于：所述金属层(106)的制作材料为Au，或为Ag，或为Al，或为Cu，其厚度为10～40nm。3.根据权利要求2所述的红外探测器的量子点有源区结构，其特征在于：所述金属层(106)的制作材料为Au。4.根据权利要求1所述的红外探测器的量子点有源区结构，其特征在于：所述通孔(107)的孔径大小为50～65nm。5.根据权利要求1所述的红外探测器的量子点有源区结构，其特征在于：所述第一间隔层(103)和所述第二间隔层(105)的制作材料均为Al0.3Ga0.7As，其厚度均...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘红梅，孟田华，田翠锋，杨春花，仝庆华，康永强，
申请(专利权)人：山西大同大学，
类型：发明
国别省市：山西,14