一种光电二极管及其制备方法、X射线探测基板技术

本申请提供了一种光电二极管及其制备方法、X射线探测基板，其中光电二极管包括基板，以及设置在所述基板上的第一电极层；层叠设置在所述第一电极层上的第一掺杂层、本征层和第二掺杂层；设置在所述第二掺杂层上的第二电极层；其中，在所述第一电极层远离所述基板一侧的表面具有多个凹陷区；利用第一电极层表面的多个凹陷区结构接收光子，产生等离子激元共振效应，从而促进光电二极管对入射光的吸收，进而提高光电二极管的光电转换效率。

【技术实现步骤摘要】
一种光电二极管及其制备方法、X射线探测基板
本专利技术涉及光电
，特别是涉及一种光电二极管及其制备方法、X射线探测基板。
技术介绍
X射线检测广泛应用于医疗，安全，无损检测等领域，在国计民生中日益发挥着重要作用。目前较为广泛应用的技术为20世纪90年代末出现的X射线数字照相检测技术(DigitalRadioGraphy,DR)。数字化X射线照相检测可分为直接转换(DirectDR)与间接转换型(IndirectDR)。其中，间接转化X射线探测基板由于开发成熟，成本相对低，器件稳定性好等优势得到了广泛的开发与应用。该X射线探测基板中包括薄膜晶体管(ThinFilmTransistor,TFT)与光电二极管，在X射线照射下，探测器的闪烁体层与荧光体层将X射线光子转换为可见光，然后在光电二极管的作用下将可见光转换为电信号，薄膜晶体管读取电信号并将电信号输出得到显示图像。其中，光电二极管是间接式X射线探测基板的关键组成部分，其光电转换效率对于X射线剂量、X射线成像的分辨率、图像的响应速度等关键指标有很大影响。
技术实现思路
本专利技术提供一种光电二极管及其制备方法、X射线探测基板，以提高光本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括：基板，以及设置在所述基板上的第一电极层；层叠设置在所述第一电极层上的第一掺杂层、本征层和第二掺杂层；设置在所述第二掺杂层上的第二电极层；其中，所述第一电极层在朝向所述第一掺杂层一侧的表面具有多个凹陷区。

【技术特征摘要】
1.一种光电二极管，其特征在于，所述光电二极管包括：基板，以及设置在所述基板上的第一电极层；层叠设置在所述第一电极层上的第一掺杂层、本征层和第二掺杂层；设置在所述第二掺杂层上的第二电极层；其中，所述第一电极层在朝向所述第一掺杂层一侧的表面具有多个凹陷区。2.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述第一电极层的材料为铝。3.根据权利要求1所述的光电二极管，其特征在于，所述凹陷区的深度为大于或等于30nm，且小于或等于50nm。4.根据权利要求1至3任一项所述的光电二极管，其特征在于，所述凹陷区呈周期性排列。5.一种X射线探测基板，其特征在于，所述X射线探测基板包括权利要求1至4任一项所述的光电二极管。6.根据权利要求5所述的X射线探测基板，其特征在于，所述X射线探测基板还包括薄膜晶体管，所述...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄睿，
申请(专利权)人：京东方科技集团股份有限公司，
类型：发明
国别省市：北京,11