一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法技术

本发明专利技术属于无机半导体纳米材料技术和器件应用领域，特别是指一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法。本发明专利技术MnWO4纳米板光敏场效应晶体管，自下至上依次包括栅极金属电极、Si衬底、SiO2绝缘层，SiO2绝缘层上设置单根MnWO4纳米板、源极金属电极和漏极金属电极，源极金属电极和漏极金属电极分别覆盖在单根MnWO4纳米板的两端，且形成欧姆接触。本发明专利技术通过利用微弧氧化方法，生长大面积、高产量和结晶质量优异的MnWO4纳米板，进而利用其制备背栅结构的MnWO4纳米板光敏场效应晶体管。本发明专利技术的方法工艺简单、成本低、可大规模生长高结晶质量的MnWO4纳米板材料，便于产业化推广。

【技术实现步骤摘要】
一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法
本专利技术属于无机半导体纳米材料技术和器件应用领域，特别是指一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管及其制造方法。
技术介绍
场效应晶体管(TFT)是电压控制器件，通过改变电场控制固体材料的导电能力。场效应晶体管在大规模集成电路和显示面板中应用广泛，是模拟和数字集成电路的基础，具有集成度高、输入阻抗大、性能稳定和制备工艺成熟的优点。1951年，Shockley首次提出了光敏场效应晶体管的概念，将半导体的光诱导效应与晶体管的场效应相结合，使其具有光电探测功能。相比于光敏二极管，工作在“关”态的光敏场效应晶体管具有更高的增益和光照/暗态电流比；且由于其制作是基于薄膜晶体管(TFT)工艺，因此更容易集成到电路中，对于实现光电探测及其阵列(图像传感器)和光电子集成电路具有重要的意义。一维(1D)半导体材料因其很高的光抽取/吸收效率、很大的比表面积和很高的载流子迁移率等诸多优异的光电性能，被认为是构筑下一代半导体纳米芯片最有前景的基本单元。因此，利用各种1D纳米材料来制备光敏场效应晶体管也引起了人们广泛的关注，成为了目前的研究热点之一。作为一种重要本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管，其特征在于，自下至上依次包括栅极金属电极、Si衬底、SiO2绝缘层，SiO2绝缘层上设置单根MnWO4纳米板、源极金属电极和漏极金属电极，源极金属电极和漏极金属电极分别覆盖在单根MnWO4纳米板的两端，且形成欧姆接触。

【技术特征摘要】
1.一种MnWO4纳米板光敏场效应晶体管，其特征在于，自下至上依次包括栅极金属电极、Si衬底、SiO2绝缘层，SiO2绝缘层上设置单根MnWO4纳米板、源极金属电极和漏极金属电极，源极金属电极和漏极金属电极分别覆盖在单根MnWO4纳米板的两端，且形成欧姆接触。2.根据权利要求1所述的MnWO4纳米板光敏场效应晶体管，其特征在于，所述的栅极金属电极为Ag、Ti/Au或Cr/Au，栅极金属电极的厚度为10–100nm。3.根据权利要求1所述的MnWO4纳米板光敏场效应晶体管，其特征在于，所述的Si衬底厚度为500–800μm，所述的SiO2绝缘层的厚度为100–300nm，所述的MnWO4纳米板长度为100μm–1mm、宽度为10nm–10μm、厚度为10–900nm。4.根据权利要求1所述的MnWO4纳米板光敏场效应晶体管，其特征在于，所述的Si衬底为重掺杂p型或n型Si。5.根据权利要求1所述的MnWO4纳米板光敏场效应晶体管，其特征在于，所述的源极金属电极和漏极金属电极为Ag、Ti/Au、Cr/Au、Ni/Au、Ti/Al/Ti/Au或Ti/Al/Ni/Au；所述的源极金属电极和漏极金属电极厚度为20–200nm，源极金属电极和漏极金属电极的间距为100nm–1mm。6.一种权利要求1至5之一所述的MnWO4纳米板光敏场效应晶体管的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤1：将用于生长MnWO4纳米板的Ti片基底用砂纸打磨，然后依次置于丙酮溶液、酒精溶液和去离子水中超声清洗，每步清洗5～15分钟，清洗后用氮气吹干；步骤2：利用微弧氧化方法在电解液中将Ti片基底氧化一层多孔TiO2薄膜；步骤3：将氧化有TiO2薄膜的Ti片基底迅速转移至高温管式炉的...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘宝丹，张兴来，姜亚南，刘鲁生，杨文进，李晶，姜辛，
申请(专利权)人：中国科学院金属研究所，
类型：发明
国别省市：辽宁,21