一种石墨烯‑二硫化钼侧向异质结光电探测器结构制造技术

一种石墨烯‑二硫化钼侧向异质结光电探测器结构，属于光电探测技术领域。光电探测器至少包括硅/二氧化硅衬底，薄层石墨烯材料以及薄层二硫化钼材料组成的沟道材料，还包括必要的金属电极及电极黏附层。在硅衬底上为二氧化硅层，二氧化硅层上为石墨烯‑二硫化钼异质结，其中石墨烯‑二硫化钼异质结中石墨烯和二硫化钼并行在二氧化硅层上，一侧为石墨烯一侧为二硫化钼，形成侧向连接石墨烯‑二硫化钼结型二维材料；在石墨烯和二硫化钼上分别通过电极黏附层粘结有金属电极，形成源漏电极。石墨烯‑二硫化钼侧向异质结光电探测器具有良好整流及光电特性。

【技术实现步骤摘要】
一种石墨烯-二硫化钼侧向异质结光电探测器结构
一种基于石墨烯-二硫化钼侧向异质结的光电探测器结构，减小了沟道材料制备难度，具有高整流比以及高栅压开关调控比，及与硅探测器相比较高响应度的侧向异质结光电探测器，属于光电探测

技术介绍
当代社会，微电子、半导体领域最根基的就是集成电路，而集成电路的组成基础又是PN结。以石墨烯为代表的二维材料的发现，开启了一个新型的微电子领域的科研道路，就是二维材料在微电子领域的应用。二维材料由于Z方向相对于其他两个方向的长度可以忽略不计，因此，不受短沟道效应的影响，成为未来电子器件微小化发展的一个有希望的突破点。由于单独的二维材料在某些场合可能会受到一定的约束和限制，比如石墨烯虽然具有较高的载流子迁移率，但是其零带隙的特点却制约了其在微电子领域的发展，无法利用栅压的调控进行电学上开关的调控；又比如石墨烯虽然因为零带隙而具有理论上高达25um的光谱响应范围，但是由于吸光率只有2.3％，因此，极大的限制了其对光的响应程度。因此，异质结探测器的出现成为了必然。类比于传统块体材料，二维材料的异质结器件也具有单独材料所不具有的一些独特优势。而如今处于科研起本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种石墨烯‑二硫化钼侧向异质结光电探测器结构，其特征在于，所述光电探测器至少包括硅/二氧化硅衬底，薄层石墨烯材料以及薄层二硫化钼材料组成的沟道材料，还包括必要的金属电极及电极黏附层。在硅衬底上为二氧化硅层，二氧化硅层上为石墨烯‑二硫化钼异质结，其中石墨烯‑二硫化钼异质结中石墨烯和二硫化钼并行在二氧化硅层上，一侧为石墨烯一侧为二硫化钼，形成侧向连接石墨烯‑二硫化钼结型二维材料；在石墨烯和二硫化钼上分别通过电极黏附层粘结有金属电极，形成源漏电极。

【技术特征摘要】
1.一种石墨烯-二硫化钼侧向异质结光电探测器结构，其特征在于，所述光电探测器至少包括硅/二氧化硅衬底，薄层石墨烯材料以及薄层二硫化钼材料组成的沟道材料，还包括必要的金属电极及电极黏附层。在硅衬底上为二氧化硅层，二氧化硅层上为石墨烯-二硫化钼异质结，其中石墨烯-二硫化钼异质结中石墨烯和二硫化钼并行在二氧化硅层上，一侧为石墨烯一侧为二硫化钼，形成侧向连接石墨烯-二硫化钼结型二维材料；在石墨烯和二硫化钼上分别通过电极黏附层粘结有金属电极，形成源漏电极。2.按照权利要求1所述的一种石墨烯-二硫化钼侧向异质结光电探测器结构，其特征在于，二氧化硅层为垂直堆叠结构，二氧化硅层为栅极介质层。3.按照权利要求1所述的一种石墨烯-二硫化钼侧向异质结光电探测器结构，其特征在于，在上述硅/二氧化硅衬底上，沟道材料为通过先制备石墨烯再制备二硫化钼的方法形成的侧向连接石墨烯-二硫化钼结型二维材料。4.按照权利要求1所述的一种石墨烯-二硫化钼侧向异质结光电探测器结构，其特征在于，二氧化硅层为在衬底上原位热氧化所得，厚度为280～300nm。5.按照权利要求1所述的一种石墨烯-二硫化钼侧向异质结光电探测器结构，其特征在于，源漏电极之间的沟道材料线...

【专利技术属性】
技术研发人员：张永哲，邓文杰，游聪娅，刘北云，陈永锋，申高亮，
申请(专利权)人：北京工业大学，
类型：发明
国别省市：北京,11