四方型结构SnO*单分散纳米单晶及合成方法技术

一种四方型结构ＳｎＯ↓［２］单分散纳米单晶及合成方法。该ＳｎＯ↓［２］单分散纳米单晶为棒状结构纳米单晶，其直径为５－５０纳米，长度为５０－３００纳米。其方法是将四氯化锡溶解于盐酸溶液，混合均匀后，放入高压釜中，充空气至压力为０．１－１．５兆帕作为预压，在２００－４００℃下保温４－８小时，直接得到四方型结构ＳｎＯ↓［２］单分散纳米单晶。本发明专利技术的特点是利用溶液的酸度和预压，提高前驱体水解温度，使其在高温下水解，由于此时系统处于高压力下，ＳｎＯ↓［２］分子结晶时沿被限定的晶面，择优生长，且直接长成密度最大的、几乎无缺陷的四方型结构ＳｎＯ↓［２］纳米单晶。该晶体用作锂离子电池负极材料，可有效提高电池的充电效率和使用寿命，用作发光器件和发射装置，可提高其发光效应和性能。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种四方型结构SnO2单分散纳米单晶及合成方法，特别涉及一种水热—液压法制备的四方型结构SnO2单分散纳米单晶及合成方法。
技术介绍
SnO2是一种典型的n型半导体材料，其用途广泛，在有机合成中，可用作催化剂和化工原料；在陶瓷工业中可用作釉料和搪瓷乳浊剂；同时还可用于导电材料、薄膜电阻器和光电子器件等领域。由于小尺寸效应及表面效应，纳米氧化锡具有特殊的光电性能和气敏性能，使得它在气敏元件、半导体元件、电极材料、太阳能电池等方面有着潜在的应用。因此氧化锡的应用开发，形成了一个新的热点课题。纳米氧化锡的制备方法主要有固相合成法、溶胶凝胶法和共沉淀法，化学气相沉积法和微乳液法。制备的前驱体不多，主要为易溶的无机锡盐和醇盐。而上述这些方法制备的SnO2，由于制备工艺不同，所以得到的粒子粒径不均匀，性能不稳定，表面缺陷较多，表面能大，不易分散，易于团聚，这直接导致了纳米氧化锡在光电性能方面的不稳定性，制约了纳米氧化锡的进一步发展。
技术实现思路
本专利技术的目的是提供一种高结晶度四方型结构SnO2单分散纳米单晶及合成方法。该四方型结构SnO2单分散纳米单晶粒子粒径均匀，性能不稳定本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种四方型结构ＳｎＯ↓［２］单分散纳米单晶，其特征是该ＳｎＯ↓［２］单分散纳米单晶为棒状结构纳米单晶，其直径为５－５０纳米，长度为５０－３００纳米。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：梁英，夏晓红，范晶，贾志杰，
申请(专利权)人：华中师范大学，
类型：发明
国别省市：83[中国|武汉]