本发明专利技术公开了一种高温晶体生长装置，从上至下依次包括坩埚、保温层、子晶杆，坩埚、子晶杆都与保温层之间相互接触良好，使坩埚的热量通过保温层传递给子晶杆，所述保温层与子晶杆之间还包括由耐高温的绝缘材料制成的子晶杆护套，所述保温层与子晶杆通过所述子晶杆护套相互连接，使热量可以经由子晶杆护套从保温层传递给子晶杆。本发明专利技术通过采用在保温层与子晶杆之间加入由耐高温的绝缘材料石英玻璃（高温绝缘性好的绝缘材料）制成的子晶杆护套，将保温层与子晶杆隔开，可以有效防止保温层与子晶杆之间在高温下产生“打火”导通现象。经过实验，解决了“打火”导通问题，完全可满足要求。
【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种高温晶体生长装置，尤其涉及一种用于2000"C以上 高温晶体生长装置。
技术介绍
如图1所示，现有的高温晶体生长装置从上至下依次包括坩埚1、保 温层2、子晶杆3。子晶杆3为不锈钢圆杆。坩埚l、子晶杆3都与保温 层2之间相互接触良好，使坩埚1的热量通过保温层2传递给子晶杆3。 坩埚1内装有用于生长的高溫晶体材料。 一般使用石墨、钼、氧化锆等 作为保温层，氧化锆同时可起绝缘作用。但生长高温晶体材料(如白宝 石)时，生长温度高达2000。C以上，这个温度下，材料性能起了很大变 化，氧化锆为多孔结构，易吸附高温挥发的石墨或碳，在表面形成导电 层，导致绝缘性下降，这时极易产生"打火"导通，导致晶体生长温场 分布被破坏，晶体生长失败。
技术实现思路
针对现有技术存在的问题，本专利技术的目的是提供一种能够防止保温 层高温"打火，，的高温晶体生长装置。为实现上述目的，本专利技术提供一种高温晶体生长装置，从上至下依 次包括坩埚、保温层、子晶杆，坩埚、子晶杆都与保温层之间相互接触 良好，使坩埚的热量通过保溫层传递给子晶杆，所述保温层与子晶杆之 间还包括由耐高温的绝缘材料制成的子晶杆护套，所述保温层与子晶杆 通过所述子晶杆护套相互连接，使热量可以经由子晶杆护套从保温层传 递给子晶杆。进一步，所述子晶杆护套为筒形，与子晶杆相互配合地套装在子晶 杆的上端头部。进一步，所述子晶杆护套为平板形，与子晶杆相互配合地安装在子晶杆的上端面上。进一步，所述子晶杆护套为圆筒形。 进一步，所述子晶杆护套为圓板形。 进一步，所述子晶杆护套由石英玻璃制成。本专利技术提供的高温晶体生长装置，通过采用在保温层与子晶杆之间 加入由耐高温的绝缘材料(高温绝缘性好的绝缘材料)制成的子晶杆护 套，将保温层与子晶杆隔开，可以有效防止保温层与子晶杆之间在高温 下产生"打火"导通现象。附图说明下面结合附图和具体实施方式对本专利技术作进一步详细说明图r为现有的高温晶体生长装置的结构示意图；图2为本专利技术的高温晶体生长装置的第 一种实施例的结构示意图； 图3为本专利技术的高温晶体生长装置的第二种实施例的结构示意图。具体实施方式实施例1:如图2所示，本专利技术实施例提供了一种高温晶体生长装置，从上至 下依次包括坩埚l、保温层2、子晶杆护套4、子晶杆3，子晶杆护套4 套装在子晶杆3的上端头部，与子晶杆3精确配合。子晶杆护套4上端 与保温层2直接接触，使热量从坩埚1通过保温层2传递给子晶杆护套4， 再由子晶杆护套4传递给子晶杆3，使坩埚1的温度下降，形成晶体生长 温场分布，坩埚1内的晶体结晶生长。坩埚1由石墨制成，保温层2由 氧化错制成。子晶杆3由不锈钢制成，截面为圆形。子晶杆护套4.为圆 筒形，由石英玻璃制成，石英玻璃材料具有如下特性 1 、耐高温。石英玻璃的软化点温度约1730°C,可在110(TC下长时间使用，短时 间最高使用温度可达1450°C 。 2、热稳定性好。石英玻璃的热膨胀系数极小，能承受剧烈的温度变化，将石英玻璃 加热至110(TC左右，放入常温水中也不会炸裂。3、电绝缘性能好。石英玻璃的电阻值相当于普通玻璃的一万倍，是极好的电绝缘材料， 即使在高温下也具有良好的电性能。本专利技术提供的高温晶体生长装置，通过采用在保温层与子晶杆之间 加入由耐高温的绝缘材料石英玻璃(高温绝缘性好的绝缘材料)制成的 子晶杆护套，将保温层与子晶杆隔开，可以有效防止保温层与子晶杆之 间在高温下产生"打火，，导通现象。经过实验，解决了 "打火，，导通问 题，完全可满足要求。实施例2:如图3所示，本专利技术实施例提供了一种高温晶体生长装置，从上至 下依次包括坩埚l、保温层2、子晶杆护套4、子晶杆3，子晶杆护套4 安装在子晶杆3的上端面上与子晶杆3精确配合。子晶杆护套4上端与 保温层2直接接触，使热量从坩埚1通过保温层2传递给子晶杆护套4， 再由子晶杆护套4传递给子晶杆3，使坩埚1的温度下降，形成晶体生长 温场分布，坩埚1内的晶体结晶生长。坩埚1由石墨制成，保温层2由 氧化锆制成。子晶杆3由不锈钢制成，截面为圆形。子晶杆护套4为圆 板形，由石英玻璃制成。本专利技术提供的高温晶体生长装置，通过采用在保温层与子晶杆之间 加入由耐高温的绝缘材料石英玻璃(高温绝缘性好的绝缘材料)制成的 子晶杆护套，将保温层与子晶杆隔开，可以有效防止保温层与子晶杆之 间在高温下产生"打火"导通现象。经过实验，解决了 "打火，，导通问 题，完全可满足要求。权利要求1. 一种高温晶体生长装置，从上至下依次包括坩埚、保温层、子晶杆， 蚶埚、子晶杆都与保温层之间相互接触良好，使坩埚的热量通过保温 层传递给子晶杆，其特征在于，所述保温层与子晶杆之间还包括由耐 高温的绝缘材料制成的子晶杆护套，所述保温层与子晶杆通过所述子 晶杆护套相互连接，使热量可以经由子晶杆护套从保温层传递给子晶 杆。2. 根据权利要求l所述的高温晶体生长装置，其特征在于，所述子晶杆 护套为筒形，与子晶杆相互配合地套装在子晶杆的上端头部。3. 根据权利要求l所述的高温晶体生长装置，其特征在于，所述子晶杆 护套为平板形，与子晶杆相互配合地安装在子晶杆的上端面上。4. 根据权利要求2所述的高温晶体生长装置，其特征在于，所述子晶杆 护套为圆筒形。5. 根据权利要求3所述的高温晶体生长装置，其特征在于，所述子晶杆 护套为圆板形。6. 根据权利要求1至5中任一项所述的高温晶体生长装置，其特征在于， 所述子晶杆护套由石英玻璃制成。全文摘要本专利技术公开了一种高温晶体生长装置，从上至下依次包括坩埚、保温层、子晶杆，坩埚、子晶杆都与保温层之间相互接触良好，使坩埚的热量通过保温层传递给子晶杆，所述保温层与子晶杆之间还包括由耐高温的绝缘材料制成的子晶杆护套，所述保温层与子晶杆通过所述子晶杆护套相互连接，使热量可以经由子晶杆护套从保温层传递给子晶杆。本专利技术通过采用在保温层与子晶杆之间加入由耐高温的绝缘材料石英玻璃(高温绝缘性好的绝缘材料)制成的子晶杆护套，将保温层与子晶杆隔开，可以有效防止保温层与子晶杆之间在高温下产生“打火”导通现象。经过实验，解决了“打火”导通问题，完全可满足要求。文档编号C30B11/00GK101311333SQ200810104930公开日2008年11月26日 申请日期2008年4月25日 优先权日2008年4月25日专利技术者何庭秋, 尹利君, 左金才, 楠 李, 跃 李, 忠 王, 福华北, 珊 苍, 范志达, 刚 陈 申请人:烁光特晶科技有限公司本文档来自技高网...
【技术保护点】
一种高温晶体生长装置，从上至下依次包括坩埚、保温层、子晶杆，坩埚、子晶杆都与保温层之间相互接触良好，使坩埚的热量通过保温层传递给子晶杆，其特征在于，所述保温层与子晶杆之间还包括由耐高温的绝缘材料制成的子晶杆护套，所述保温层与子晶杆通过所述子晶杆护套相互连接，使热量可以经由子晶杆护套从保温层传递给子晶杆。
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员：范志达，李楠，陈刚，福华北，左金才，李跃，苍珊，尹利君，王忠，何庭秋，
申请(专利权)人：烁光特晶科技有限公司，
类型：发明
国别省市：11[中国|北京]
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