一种光阻剂喷涂量的监测方法技术

本发明专利技术涉及一种光阻剂喷涂量的监测方法。所述方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第一方向间隔设置的若干第一标记，在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第二方向间隔设置的若干第二标记，所述第一方向与所述第二方向垂直，任一所述第一标记与所述中心之间的距离不等于任一所述第二标记与所述中心之间的距离；对所述晶圆喷涂光阻剂，以覆盖所述晶圆、所述第一标记以及所述第二标记；对所述光阻剂进行成像，并在成像图案中根据所述第一标记和所述第二标记确定所述光阻剂形成的晕环到所述晶圆边缘的距离；根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。

A monitoring method for the spray amount of photoresist

The invention relates to a monitoring method for spraying amount of photoresist. The method includes: providing a wafer, forming a number of first marks arranged along the first direction at both sides of the center of the wafer surface, and forming a number of second marks arranged along the second direction at the two sides of the center of the wafer surface, and the first direction is perpendicular to the second direction, any of the first standard. The distance between the center and the center is not equal to the distance between the second marks and the center, and the crystal circle is sprayed with a photoresist to cover the wafer, the first mark, and the second mark, imaging the photoresist, and in the imaging pattern, according to the first mark and the second mark in the image pattern. The distance between the halo ring formed by the photoresist to the rim of the crystal circle is determined, and the amount of the spraying of the photoresist is determined according to the corresponding relationship between the distance and the amount of the photoresist spray.

【技术实现步骤摘要】
一种光阻剂喷涂量的监测方法
本专利技术涉及半导体
，具体而言涉及一种光阻剂喷涂量的监测方法。
技术介绍
光刻技术是集成电路制造工艺发展的驱动力，也是最为复杂的技术之一。相对于其它单个制造技术来说，光刻技术的提高对集成电路的发展具有重要意义。在光刻工艺开始之前，首先需要将图案通过特定设备复制到掩膜版上，然后通过光刻设备产生特定波长的光将掩膜版上的图案结构复制到生产芯片的硅片上。在光刻过程中会利用各种光阻，随着聚酰胺(polymide)的产品越来越多，一些概率性比较低的情况也会随着发生。例如因为机台硬件(hardware)的问题导致喷出来的聚酰胺(polymide)的光阻不够而在晶圆上产生涂覆不够(poorcoating)的情况，最终导致了很多产品的报废。目前当下对于机台分配量(dispensevolume)的检查，都是设备利用量筒或者量杯在机台工程师PM或者停机(down机)的状态下对于设备的一个检查，但是却没有正常的一个监测(monitor)方式。根据之前案件的经验，如果可以简单地对机台的喷涂量做到离线监测(offlinemonitor)，能够大大降低晶圆的报废的概率。因此，有必要提出一种光阻剂喷涂量的监测方法，以解决现有技术中存在的问题。
技术实现思路
在
技术实现思路
部分中引入了一系列简化形式的概念，这将在具体实施方式部分中进一步详细说明。本专利技术的
技术实现思路
部分并不意味着要试图限定出所要求保护的技术方案的关键特征和必要技术特征，更不意味着试图确定所要求保护的技术方案的保护范围。为了克服目前存在的问题，本专利技术提供了一种光阻剂喷涂量的监测方法，所述方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第一方向间隔设置的若干第一标记，在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第二方向间隔设置的若干第二标记，所述第一方向与所述第二方向垂直，任一所述第一标记与所述中心之间的距离不等于任一所述第二标记与所述中心之间的距离；对所述晶圆喷涂光阻剂，以覆盖所述晶圆、所述第一标记以及所述第二标记；对所述光阻剂进行成像，并在成像图案中根据所述第一标记和所述第二标记确定所述光阻剂形成的晕环到所述晶圆边缘的距离；根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。可选地，所述晶圆的直径为200mm，离所述中心最近的所述第一标记与所述中心之间的距离和离所述中心最近的所述第二标记与所述中心之间的距离相差5mm。可选地，所有所述第一标记关于所述中心对称设置，所有所述第二标记关于所述中心对称设置。可选地，相邻的所述第一标记之间的距离相等，相邻的所述第二标记之间的距离相等。可选地，相邻的所述第一标记之间的距离不大于10mm，相邻的所述第二标记之间的距离不大于10mm。可选地，沿所述第一方向在距离所述晶圆中心分别为95mm、85mm、75mm、65mm、55mm、45mm、35mm、25mm和15mm的位置处设置所述第一标记。可选地，沿所述第二方向在距离所述晶圆中心分别为90mm、80mm、70mm、60mm、50mm、40mm、30mm、20mm和10mm的位置处设置所述第二标记。可选地，所述第一标记和/或所述第二标记的制备方法包括：在所述晶圆上形成标记材料层，以覆盖所述晶圆；对所述标记材料层进行蚀刻，以得到所述第一标记和/或所述第二标记。可选地，所述第一标记和/或所述第二标记为方形标记。可选地，确定所述光阻剂形成的晕环到所述晶圆边缘的距离的步骤包括：在所述成像图案中查找所述光阻剂形成的所述晕环，然后确定距离所述晕环最近所述第一标记和所述第二标记；比较距离所述晕环最近的所述第一标记与所述晕环之间的距离和距离所述晕环最近的所述第二标记与所述晕环之间的距离，将距离所述晕环较近的标记作为参照来确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离。可选地，所述距离为晕环的最内环到所述晶圆边缘的距离。可选地，所述光阻剂包括聚酰胺。本专利技术为了解决现有技术中存在的问题，提供了一种光阻剂喷涂量的监测方法，在所述方法中首先在晶圆的表面形成若干第一标记和第二标记，所述第一标记和第二标记的延伸方向相互垂直，用于确定晕环至晶圆边缘的距离，然后在晶圆上形成光阻剂并对所述光阻剂进行成像，在成像图案中查找光阻剂特有的晕环的位置，根据所述第一标记和所述第二标记确定所述晕环到所述晶圆边缘的距离；根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。本专利技术通过利用聚酰胺(polymide)光阻的特性实现利用晶圆监测(wafermonitor)机台光阻喷涂量的方法。本专利技术所述操作简单，节约机台的时间，提高了机台的效率；有效地解决了喷涂量监测(volumemonitor)的时效性，有效地降低晶圆报废的风险。附图说明本专利技术的下列附图在此作为本专利技术的一部分用于理解本专利技术。附图中示出了本专利技术的实施例及其描述，用来解释本专利技术的原理。附图中：图1是根据本专利技术的一个实施例的光阻剂喷涂量的监测方法的流程图；图2是根据本专利技术的一个实施例的晶圆基片内的第一标记和第二标记的结构示意图。具体实施方式在下文的描述中，给出了大量具体的细节以便提供对本专利技术更为彻底的理解。然而，对于本领域技术人员而言显而易见的是，本专利技术可以无需一个或多个这些细节而得以实施。在其他的例子中，为了避免与本专利技术发生混淆，对于本领域公知的一些技术特征未进行描述。应当理解的是，本专利技术能够以不同形式实施，而不应当解释为局限于这里提出的实施例。相反地，提供这些实施例将使公开彻底和完全，并且将本专利技术的范围完全地传递给本领域技术人员。在附图中，为了清楚，层和区的尺寸以及相对尺寸可能被夸大。自始至终相同附图标记表示相同的元件。应当明白，当元件或层被称为“在...上”、“与...相邻”、“连接到”或“耦合到”其它元件或层时，其可以直接地在其它元件或层上、与之相邻、连接或耦合到其它元件或层，或者可以存在居间的元件或层。相反，当元件被称为“直接在...上”、“与...直接相邻”、“直接连接到”或“直接耦合到”其它元件或层时，则不存在居间的元件或层。应当明白，尽管可使用术语第一、第二、第三等描述各种元件、部件、区、层和/或部分，这些元件、部件、区、层和/或部分不应当被这些术语限制。这些术语仅仅用来区分一个元件、部件、区、层或部分与另一个元件、部件、区、层或部分。因此，在不脱离本专利技术教导之下，下面讨论的第一元件、部件、区、层或部分可表示为第二元件、部件、区、层或部分。空间关系术语例如“在...下”、“在...下面”、“下面的”、“在...之下”、“在...之上”、“上面的”等，在这里可为了方便描述而被使用从而描述图中所示的一个元件或特征与其它元件或特征的关系。应当明白，除了图中所示的取向以外，空间关系术语意图还包括使用和操作中的器件的不同取向。例如，如果附图中的器件翻转，然后，描述为“在其它元件下面”或“在其之下”或“在其下”元件或特征将取向为在其它元件或特征“上”。因此，示例性术语“在...下面”和“在...下”可包括上和下两个取向。器件可以另外地取向(旋转90度或其它取向)并且在此使用的空间描述语相应地被解释。在此使用的术语的目的仅在于描述具体实施例并且不作为本专利技术的限制。在此使用时，单数形式的“一”、“一个”和“所述/该”也意图包括复本文档来自技高网...

【技术保护点】
1.一种光阻剂喷涂量的监测方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第一方向间隔设置的若干第一标记，在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第二方向间隔设置的若干第二标记，所述第一方向与所述第二方向垂直，任一所述第一标记与所述中心之间的距离不等于任一所述第二标记与所述中心之间的距离；对所述晶圆喷涂光阻剂，以覆盖所述晶圆、所述第一标记以及所述第二标记；对所述光阻剂进行成像，并在成像图案中根据所述第一标记和所述第二标记确定所述光阻剂形成的晕环到所述晶圆边缘的距离；根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。

【技术特征摘要】
1.一种光阻剂喷涂量的监测方法，其特征在于，所述方法包括：提供晶圆；在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第一方向间隔设置的若干第一标记，在所述晶圆表面的中心的两侧形成沿第二方向间隔设置的若干第二标记，所述第一方向与所述第二方向垂直，任一所述第一标记与所述中心之间的距离不等于任一所述第二标记与所述中心之间的距离；对所述晶圆喷涂光阻剂，以覆盖所述晶圆、所述第一标记以及所述第二标记；对所述光阻剂进行成像，并在成像图案中根据所述第一标记和所述第二标记确定所述光阻剂形成的晕环到所述晶圆边缘的距离；根据所述距离与所述光阻剂喷涂量之间的对应关系，确定所述光阻剂的喷涂量。2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所述晶圆的直径为200mm，离所述中心最近的所述第一标记与所述中心之间的距离和离所述中心最近的所述第二标记与所述中心之间的距离相差5mm。3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，所有所述第一标记关于所述中心对称设置，所有所述第二标记关于所述中心对称设置。4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，相邻的所述第一标记之间的距离相等，相邻的所述第二标记之间的距离相等。5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，相邻的所述第一标记之间的距离不大于10mm，相邻的所述第二标记之间的距离不大于10mm。6.根据权利要求5所述的方法，其特征在于，沿所述第...

【专利技术属性】
技术研发人员：袁立春，
申请(专利权)人：中芯国际集成电路制造上海有限公司，中芯国际集成电路制造北京有限公司，
类型：发明
国别省市：上海,31