The invention discloses a preparation method of a transparent and multi-layered transparent conductive film, which includes the following steps: S1, cleaning the substrate and blowing dry; S2, depositing the TCO film on the substrate surface by the magnetron sputtering process; S3, preparing the single layer polystyrene microsphere on the surface of the lower TCO layer by the spin coating method, and the polystyrene microsphere in the lower TCO film sheet surface. S4, deposited metal in the gap between polystyrene microspheres by magnetron sputtering; S5, removing polystyrene microspheres by ultrasonic cleaning with organic solvents, and obtaining a metal layer with a rectangular array of hemispherical pits distributed on the surface; S6, through magnetron sputtering, on the top surface of the metal layer. The transparent conductive film is deposited on the TCO film, and the polystyrene microsphere is used as a template to spatter the metal layer with special structure, which can effectively improve the conductivity and flexural resistance of the whole film system, reduce the thickness of the TCO film and save the material cost, and make the whole film system permeable well.
【技术实现步骤摘要】
一种耐弯折多层透明导电薄膜的制备方法
本专利技术涉及导电薄膜
,具体是一种耐弯折多层透明导电薄膜的制备方法。
技术介绍
目前,太阳能电池、柔性信息显示器件、电致发光及平板显示器等光电器件中均需要低电阻、高透光性能的透明电极。透明导电氧化物薄膜(TCO),如氧化铟系、氧化锌系以及氧化锡系的薄膜通常作为上述器件的透明电极。透明导电氧化物薄膜也有着一些缺陷,例如:只有当薄膜到达一定厚度时,其电阻率才能满足要求;薄膜不耐弯折、易碎,也限制了其在柔性基底上的应用;而且一些金属元素(如铟)的匮乏使得透明导电氧化物薄膜的造价昂贵,所以迫切需要改善这些劣势,以使其满足柔性信息显示方面的应用。金属基复合透明导电多层膜,如ITO/M/ITO三明治结构作为ITO薄膜的替代材料,在一定程度上提高了其电导率及耐弯折性,但其透明性受到了影响。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种耐弯折多层透明导电薄膜的制备方法,该方法得到的导电薄膜具有耐弯折、导电性能良好的优点。本专利技术解决其技术问题所采用的技术方案是:一种耐弯折多层透明导电薄膜的制备方法,包括以下步骤:S1、清洗基底并吹干;S2、通过磁控溅射工艺,在基底表面沉积下TCO膜层;S3、采用旋涂法在下TCO膜层表面制备单层聚苯乙烯微球,聚苯乙烯微球在下TCO膜层表面呈矩形阵列式分布;S4、以聚苯乙烯微球为模板,通过磁控溅射工艺,在各个聚苯乙烯微球的间隙之间沉积金属;S5、利用有机溶剂超声清洗去除聚苯乙烯微球,得到表面分布有矩形阵列式半球形凹坑的金属层;S6、通过磁控溅射工艺,在金属层顶面沉积上TCO膜层,得到所述透明导电薄膜。 ...
【技术保护点】
1.一种耐弯折多层透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、清洗基底并吹干;S2、通过磁控溅射工艺,在基底表面沉积下TCO膜层;S3、采用旋涂法在下TCO膜层表面制备单层聚苯乙烯微球,聚苯乙烯微球在下TCO膜层表面呈矩形阵列式分布;S4、以聚苯乙烯微球为模板,通过磁控溅射工艺,在各个聚苯乙烯微球的间隙之间沉积金属;S5、利用有机溶剂超声清洗去除聚苯乙烯微球,得到表面分布有矩形阵列式半球形凹坑的金属层;S6、通过磁控溅射工艺,在金属层顶面沉积上TCO膜层,得到所述透明导电薄膜。
【技术特征摘要】
1.一种耐弯折多层透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,包括以下步骤:S1、清洗基底并吹干;S2、通过磁控溅射工艺,在基底表面沉积下TCO膜层;S3、采用旋涂法在下TCO膜层表面制备单层聚苯乙烯微球,聚苯乙烯微球在下TCO膜层表面呈矩形阵列式分布;S4、以聚苯乙烯微球为模板,通过磁控溅射工艺,在各个聚苯乙烯微球的间隙之间沉积金属;S5、利用有机溶剂超声清洗去除聚苯乙烯微球,得到表面分布有矩形阵列式半球形凹坑的金属层;S6、通过磁控溅射工艺,在金属层顶面沉积上TCO膜层,得到所述透明导电薄膜。2.根据权利要求1所述的一种耐弯折多层透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S1所述基底采用柔性基底或玻璃基底。3.根据权利要求1所述的一种耐弯折多层透明导电薄膜的制备方法,其特征在于,步骤S2所述的下TCO膜层以及步骤S6所述的上TCO膜层为ITO薄膜、AZO薄...
【专利技术属性】
技术研发人员:彭寿,杨勇,姚婷婷,金克武,李刚,沈洪雪,彭赛奥,汤永康,金良茂,甘治平,马立云,
申请(专利权)人:中建材蚌埠玻璃工业设计研究院有限公司,
类型:发明
国别省市:安徽,34
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