A high thermal insulation Zinc Oxide whisker, including a four needle like Zinc Oxide whisker (T ZnOw) base material and a boron nitride (BN) surface coating layer, is prepared by means of (1) dispersing T ZnOw through water and then adding BN precursor, boric acid (H3BO3) and melamine (C3N3 (NH2) 3), and stirring evenly; (2) using hydrothermal method to make BN before BN The displacement is uniformly deposited on the surface of T ZnOw; (3) the T ZnOw of the surface deposited BN precursor is treated at high temperature under nitrogen atmosphere, and the T ZnOw (BN@T ZnOw) coated with BN is obtained to improve the thermal conductivity and insulation performance of the T ZnOw. The BN@T ZnOw, which is provided by the invention, is easily overlapped in the resin matrix to form a heat conduction channel. As a filler, it is applied to the epoxy resin composition with high thermal conductivity and insulation, and can be used in all kinds of electrical insulation and electronic packaging materials. One
【技术实现步骤摘要】
高导热绝缘氧化锌晶须及其制备方法和用途
本专利技术涉及一种高导热绝缘氧化锌晶须,尤其涉及一种氮化硼(BN)包覆四针状氧化锌晶须(T-ZnOw),及其制备方法和作为填料在绝缘散热环氧树脂组合物中的应用。
技术介绍
随着电子元器件的小、微型化和集成化发展,由此带来的散热困难及热量积累会严重影响到器件的精度和使用寿命,这已成为目前电子元器件持续小微型化的技术瓶颈,很大程度上制约着电子集成技术的进一步发展。另外,大中型高压及特高压发电机组、电机以及大功率电气、电子产品等,其运行过程中的发热、传热、冷却,直接影响到其工作效率、使用寿命和可靠性等重要指标。因此,采用有效的方法解决结构散热和研制高导热绝缘材料,已成为现代电子、电气工业发展急需解决的关键技术之一。填充型导热绝缘树脂制备工艺简单、生产成本较低,因此得到了广泛应用。常规金属材料,如Au、Ag、Cu、Al、Mg等,具有很高的导热性,但均为导体,不能用作绝缘材料,而部分无机非金属材料,如金属氧化物Al2O3、MgO、ZnO,金属氮化物AlN、Si3N4、BN,以及SiC陶瓷等,既具有较高导热性,同时也具有优良的绝缘性能,因此被广泛用作微电子、电机、电器等领域中的散热绝缘材料。常规导热绝缘填料一般为球状、椭球状、片状、纤维状或其它不规则形状。采用这些形状的填料所制备的导热绝缘树脂,只有在较高填充量下,填料间发生相互接触时,才能获得较好的导热效果。但是,填充量高又往往伴随着机械性能恶化、电击穿强度下降、介质损耗上升以及成型加工困难等技术缺陷。四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)是目前发现的唯一具有空间立体结构的晶须,微观 ...
【技术保护点】
1.一种高导热绝缘氧化锌晶须,其特征在于以四针状氧化锌晶须(T‑ZnOw)为基材,在其
【技术特征摘要】
1.一种高导热绝缘氧化锌晶须,其特征在于以四针状氧化锌晶须(T-ZnOw)为基材,在其表面包覆氮化硼(BN)。2.根据权利要求1所述的高导热绝缘氧化锌晶须,其特征在于所述T-ZnOw的直径为0.7~1.4μm、针状体长度为3~200μm。3.一种高导热绝缘氧化锌晶须的制备方法,包括步骤:(1)将T-ZnOw经超声分散于水,然后加入BN前驱体:硼酸(H3BO3)和三聚氰胺(C3N3(NH2)3),并搅拌均匀;(2)采用水热法使BN前驱体均匀沉积在T-ZnOw表面;(3)将表面沉积BN前驱体的T-ZnOw在氮气氛下经高温氮化处理,得到表面包覆BN的T-ZnOw。4.根据权利要求3的制备方法,包括步骤:①将T-ZnOw经超声分散于水,然后加入H3BO3和C3N3(NH2)3并搅拌均匀;②将步骤①所得分散液移入水热反应釜,反应完毕,倒出上层清液,并将沉淀物抽滤并冲洗,然后干燥,得到表面均匀沉积H3BO3和C3N3(NH2)3的T-ZnOw;③将表面沉积H3BO3和C3N3(NH2)3的T-ZnOw,在氮气氛下高温加热处理,得到表面包覆BN的T-ZnOw。5.根据权利要求3的制备方法,包括步骤:①按重量计,将80-150份T-ZnOw经超声分散于100-400份水,然后加入H3BO3和C3N3(NH2)3各50~110份,并搅拌均匀...
【专利技术属性】
技术研发人员:汪蔚,兰平,郑敏,陈婷婷,
申请(专利权)人:嘉兴学院,
类型:发明
国别省市:浙江,33
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