【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】用于根据数据电压电平缓冲数据的反比电压延迟缓冲器优先权申请案本申请案主张在2015年9月24日提出申请且标题为“用于根据数据电压电平缓冲数据的反比电压延迟缓冲器(INVERSELYPROPORTIONALVOLTAGE-DELAYBUFFERSFORBUFFERINGDATAACCORDINGTODATAVOLTAGELEVELS)”的序号为14/863,710的美国专利申请案的优先权,所述美国专利申请案的内容以全文引用的方式并入本文中。
本专利技术的技术大体来说涉及数据缓冲器,且特定来说涉及此些数据缓冲器的缓冲时间。
技术介绍
设计有数字逻辑的集成电路(IC)包含借以可发射数据的多个逻辑路径。每一逻辑路径具有对应延迟,使得在延迟之后在既定目的地处接收经由特定逻辑路径发射的数据。对应于特定逻辑路径的总延迟可包含至少两种类型延迟,电阻器-电容器(RC)延迟及栅极延迟。RC延迟归因于例如借以发射数据的导线的逻辑路径内的金属组件的电阻及电容性质。显著地,逻辑路径的RC延迟跨越所发射数据的多个电压电平保持恒定,这是因为逻辑路径的电阻及电容性质不随电压的变化而改变。另外,逻辑路径的栅极延迟基于逻辑路径内的逻辑门的数目,以及每一逻辑门的切换速度。因此,逻辑路径的栅极延迟可在逻辑门由于较低输入电压而更缓慢切换的情况下增加,且可在逻辑门由于较高输入电压更快速切换的情况下减少。显著地,IC内的每一逻辑路径可具有受逻辑路径的延迟影响的相关联时序目标。举例来说,逻辑路径的延迟可致使数据在时序上过早到达目的地,因此在IC中产生逻辑误差。逻辑路径的时序可经变更以有助于逻辑路径及IC ...
【技术保护点】
一种反比电压延迟缓冲器,其包括:反相电路,其经配置以生成具有数据输入信号的相反逻辑状态的控制信号,其中所述控制信号的跃迁速率与所述数据输入信号的电压电平成比例;通路电路,其包括:第一通路装置,其经配置以:响应于所述数据输入信号及所述控制信号具有第一逻辑状态而生成具有所述数据输入信号的弱逻辑状态的数据输出信号;及响应于所述控制信号具有所述第一逻辑状态且所述数据输入信号具有第二逻辑状态而生成具有所述数据输入信号的强逻辑状态的所述数据输出信号,其中所述第二逻辑状态与所述第一逻辑状态相反;及第二通路装置,其经配置以:响应于所述数据输入信号及所述控制信号具有所述第二逻辑状态而生成具有所述数据输入信号的弱逻辑状态的所述数据输出信号;及响应于所述控制信号具有所述第二逻辑状态且所述数据输入信号具有所述第一逻辑状态而生成具有所述数据输入信号的强逻辑状态的所述数据输出信号。
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】2015.09.24 US 14/863,7101.一种反比电压延迟缓冲器,其包括:反相电路,其经配置以生成具有数据输入信号的相反逻辑状态的控制信号,其中所述控制信号的跃迁速率与所述数据输入信号的电压电平成比例;通路电路,其包括:第一通路装置,其经配置以:响应于所述数据输入信号及所述控制信号具有第一逻辑状态而生成具有所述数据输入信号的弱逻辑状态的数据输出信号;及响应于所述控制信号具有所述第一逻辑状态且所述数据输入信号具有第二逻辑状态而生成具有所述数据输入信号的强逻辑状态的所述数据输出信号,其中所述第二逻辑状态与所述第一逻辑状态相反;及第二通路装置,其经配置以:响应于所述数据输入信号及所述控制信号具有所述第二逻辑状态而生成具有所述数据输入信号的弱逻辑状态的所述数据输出信号;及响应于所述控制信号具有所述第二逻辑状态且所述数据输入信号具有所述第一逻辑状态而生成具有所述数据输入信号的强逻辑状态的所述数据输出信号。2.根据权利要求书1所述的反比电压延迟缓冲器,其中:所述第一通路装置包括p型金属氧化物半导体PMOS晶体管,其包括:栅极,其经配置以接收所述控制信号;源极,其经配置以接收所述数据输入信号;及漏极,其经配置以提供所述数据输出信号;且所述第二通路装置包括n型金属氧化物半导体NMOS晶体管,其包括:栅极,其经配置以接收所述控制信号;源极,其经配置以接收所述数据输入信号;及漏极,其经配置以提供所述数据输出信号。3.根据权利要求书1所述的反比电压延迟缓冲器,其中所述反相电路包括反相器。4.根据权利要求书1所述的反比电压延迟缓冲器,其中所述反相电路包括奇数数目个串联耦合反相器。5.根据权利要求书1所述的反比电压延迟缓冲器,其进一步包括:输入反相器,其电耦合到所述反相电路及所述通路电路,所述输入反相器经配置以生成所述数据输入信号且将所述数据输入信号提供到所述反相电路及所述通路电路;及输出反相器,其电耦合到所述通路电路且经配置以接收所述数据输出信号。6.根据权利要求书1所述的反比电压延迟缓冲器,其中从逻辑门接收所述数据输入信号。7.根据权利要求书1所述的反比电压延迟缓冲器,其中将所述数据输出信号提供到逻辑门。8.根据权利要求书1所述的反比电压延迟缓冲器,其经集成到集成电路IC中。9.根据权利要求书1所述的反比电压延迟缓冲器,其集成到选自由以下各项组成的群组的装置中:机顶盒;娱乐单元;导航装置;通信装置;固定位置数据单元;移动位置数据单元;移动电话;蜂窝式电话;智能电话;平板;平板手机;计算机;便携式计算机;桌上型计算机;个人数字助理PDA;监视器;计算机监视器;电视;调谐器;无线电;卫星无线电;音乐播放器;数字音乐播放器;便携式音乐播放器;数字视频播放器;视频播放器;数字视频光碟DVD播放器;便携式数字视频播放器;及汽车。10.一种反比电压延迟缓冲器,其包括:用于生成具有数据输入信号的相反逻辑状态的控制信号的装置,其中所述控制信号的跃迁速率与所述数据输入信号的电压电平成比例;用于响应于所述数据输入信号及所述控制信号具有第一逻辑状态而生成具有所述数据输入信号的弱逻辑状态的数据输出信号的装置;用于响应于所述控制信号具有所述第一逻辑状态且所述数据输入信号具有第二逻辑状态而生成具有所述数据输入信号的强逻辑状态的所述数据输出信号的装置,其中所述第二逻辑状态与所述第一逻辑状态相反;及用于响应于所述数据输入信号及所述...
【专利技术属性】
技术研发人员:乔舒亚·兰斯·帕克特,
申请(专利权)人:高通股份有限公司,
类型:发明
国别省市:美国,US
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