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对讲机的信号处理电路制造技术

技术编号:18053713 阅读:37 留言:0更新日期:2018-05-26 10:30
本发明专利技术公开了对讲机的信号处理电路,包括电容一、P沟道增强型绝缘栅型场效应管一、P沟道增强型绝缘栅型场效应管二及整流电压输出线,P沟道增强型绝缘栅型场效应管一和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线上,电容一一端与整流电压输出线连接,其另一端接地。P沟道增强型绝缘栅型场效应管一的源极连接有信号输入线一,P沟道增强型绝缘栅型场效应管二的源极连接有信号输入线二。本发明专利技术采用上述结构,整体结构简单,便于实现,且能提高整流效率。

【技术实现步骤摘要】
对讲机的信号处理电路
本专利技术涉及通信设备,具体是对讲机的信号处理电路。
技术介绍
对讲机是一种双向移动通信工具,主要应用于团体成员间的联络和指挥调度,以提高沟通效率和提高处理突发事件的快速反应能力。现有对讲机应用时易发生电荷泄漏的情况,这导致对讲机的整流效率低。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足,提供了一种结构简单,且能提高整流效率的对讲机的信号处理电路。本专利技术的目的主要通过以下技术方案实现:对讲机的信号处理电路,包括电容一、P沟道增强型绝缘栅型场效应管一、P沟道增强型绝缘栅型场效应管二及整流电压输出线,所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管一和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线上,所述电容一一端与整流电压输出线连接,其另一端接地;所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管一的源极连接有信号输入线一,所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管二的源极连接有信号输入线二。其中,本专利技术应用时,信号输入线一相对连接P沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极端的另一端和信号输入线二相对连接P沟道增强型绝缘栅型场效应管二漏极端的另一端均连接在对讲机的天线上,整流电压输出线用于天线中生成的直流电压的输出。对讲机的信号处理电路,还包括N沟道增强型绝缘栅型场效应管一和N沟道增强型绝缘栅型场效应管二,所述N沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极连接在信号输入线一上,N沟道增强型绝缘栅型场效应管二漏极连接在信号输入线二上,N沟道增强型绝缘栅型场效应管一栅极与信号输入线二和N沟道增强型绝缘栅型场效应管二漏极之间的线路连接,N沟道增强型绝缘栅型场效应管二栅极与信号输入线一和N沟道增强型绝缘栅型场效应管一漏极之间的线路连接,N沟道增强型绝缘栅型场效应管一和N沟道增强型绝缘栅型场效应管二两者的源极均接地。N沟道增强型绝缘栅型场效应管一和N沟道增强型绝缘栅型场效应管二工作时交替导通,使天线上的低压端接地。所述信号输入线一和信号输入线二之间连接有电容二。本专利技术可通过改变或替换电容二来实现其参数的改变,从而改变天线的谐振频率。本专利技术工作时,当天线上的电压高于整流电压输出线输出的电压时,同时会有两条支路电流流向整流电压输出线,一条支路是P沟道增强型绝缘栅型场效应管一和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二处于正常导通时的沟道电流,另一条支路是由于P沟道增强型绝缘栅型场效应管一和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二的漏极与衬底之间的PN结正偏产生的衬底电流;当天线上的电压低于整流电压输出线的输出电压时,P沟道增强型绝缘栅型场效应管一和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二处于截止状态,同时P沟道增强型绝缘栅型场效应管一和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二的漏极和衬底处于反偏状态,不会产生衬底电流,因此能够很好地关闭P沟道增强型绝缘栅型场效应管一和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二。与现有技术相比,本专利技术具有以下有益效果:本专利技术整体结构简单,便于实现,在天线上的电压低于整流电压输出线的输出电压时,本专利技术可通过关断P沟道增强型绝缘栅型场效应管一和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二,从而避免电容一上积聚的电荷发生泄漏,有助于提高整流效率;本专利技术中天线上的电压与整流电压输出线的输出电压之间的差值不再由PMOS管的阈值决定,而是由漏极与衬底构成的二极管两端的压降决定,这更进一步提高了本专利技术的整流效率。附图说明图1为本专利技术实施例的结构示意图。附图中附图标记所对应的名称为:C1—电容一,C2—电容二,P1—P沟道增强型绝缘栅型场效应管一,P2—P沟道增强型绝缘栅型场效应管二,N1—N沟道增强型绝缘栅型场效应管一,N2—N沟道增强型绝缘栅型场效应管二,ANT1—信号输入线一,ANT2—信号输入线二,1—整流电压输出线。具体实施方式下面结合实施例及附图对本专利技术作进一步的详细说明,但本专利技术的实施方式不限于此。实施例:如图1所示,对讲机的信号处理电路,包括电容一C1、整流电压输出线1及四个MOS管,其中,四个MOS管分别为P沟道增强型绝缘栅型场效应管一P1、P沟道增强型绝缘栅型场效应管二P2、N沟道增强型绝缘栅型场效应管一N1及N沟道增强型绝缘栅型场效应管二N2。整流电压输出线1用于输出整流后的直流电压,P沟道增强型绝缘栅型场效应管一P1和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二P2两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线1上,电容一C1一端与整流电压输出线1连接且连接位置靠近整流电压输出线1的输出端头位置,其另一端接地。P沟道增强型绝缘栅型场效应管一P1的源极连接有信号输入线一ANT1,P沟道增强型绝缘栅型场效应管二P2的源极连接有信号输入线二ANT2,信号输入线一ANT1和信号输入线二ANT2之间连接有电容二C2。N沟道增强型绝缘栅型场效应管一N1漏极连接在信号输入线一ANT1上,N沟道增强型绝缘栅型场效应管二N2漏极连接在信号输入线二ANT2上,N沟道增强型绝缘栅型场效应管一N1栅极与信号输入线二ANT2和N沟道增强型绝缘栅型场效应管二N2漏极之间的线路连接,N沟道增强型绝缘栅型场效应管二N2栅极与信号输入线一ANT1和N沟道增强型绝缘栅型场效应管一N1漏极之间的线路连接,N沟道增强型绝缘栅型场效应管一N1和N沟道增强型绝缘栅型场效应管二N2者的源极均接地。以上所述的具体实施方式,对本专利技术的目的、技术方案和有益效果进行了进一步详细说明,所应理解的是,以上所述仅为本专利技术的具体实施方式而已,并不用于限定本专利技术的保护范围,凡在本专利技术的精神和原则之内,所做的任何修改、等同替换、改进等,均应包含在本专利技术的保护范围之内。本文档来自技高网...
对讲机的信号处理电路

【技术保护点】
对讲机的信号处理电路,其特征在于:包括电容一(C1)、P沟道增强型绝缘栅型场效应管一(P1)、P沟道增强型绝缘栅型场效应管二(P2)及整流电压输出线(1),所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管一(P1)和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二(P2)两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线(1)上,所述电容一(C1)一端与整流电压输出线(1)连接,其另一端接地;所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管一(P1)的源极连接有信号输入线一(ANT1),所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管二(P2)的源极连接有信号输入线二(ANT2)。

【技术特征摘要】
1.对讲机的信号处理电路,其特征在于:包括电容一(C1)、P沟道增强型绝缘栅型场效应管一(P1)、P沟道增强型绝缘栅型场效应管二(P2)及整流电压输出线(1),所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管一(P1)和P沟道增强型绝缘栅型场效应管二(P2)两者的漏极、栅极及衬底均连接在整流电压输出线(1)上,所述电容一(C1)一端与整流电压输出线(1)连接,其另一端接地;所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管一(P1)的源极连接有信号输入线一(ANT1),所述P沟道增强型绝缘栅型场效应管二(P2)的源极连接有信号输入线二(ANT2)。2.根据权利要求1所述的对讲机的信号处理电路,其特征在于:还包括N沟道增强型绝缘栅型场效应管一(N1)和N沟道增强型绝缘栅型场效应管二(...

【专利技术属性】
技术研发人员:曾国春
申请(专利权)人:曾国春
类型:发明
国别省市:四川,51

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