用于调理水位检测终端检测信号的模块制造技术
【技术实现步骤摘要】
用于调理水位检测终端检测信号的模块
本专利技术涉及水位检测技术，具体是用于调理水位检测终端检测信号的模块。
技术介绍
目前人们常常通过对江河、湖泊、水库、河口、渠道、船闸及各种水工建筑物处水位进行测量，来实现对水文系统的监测。具体检测时由传感器采集数据，并上传至汇集中心站，中心站根据汇集的数据进行模型演算进行预警服务。现有水位检测终端应用时，其受检测距离的影响，检测到的电压信号会在较大范围内波动，而电压过大时易对水位检测终端内部元器件造成损伤，因此，将将检测到的电压信号限制在一定范围之内尤其必要。最简单直接的限压措施是降低耦合系数，现今人们常常通过调整水位检测终端的输入电容来降低耦合系数，然而，改水位检测终端的输入电容，即是改变谐振频率，降低耦合系数，水位检测终端中传送的功率也会降低，在大规模集成电路设计中电容的实现会占用较大的芯片面积，而且电容的参数浮动相对较大。
技术实现思路
本专利技术的目的在于克服现有技术的不足，提供了一种便于操作控制，结构简单，且在进行电压限压时不会影响传送功率的用于调理水位检测终端检测信号的模块。本专利技术的目的主要通过以下技术方案实现：用...
【技术保护点】
用于调理水位检测终端检测信号的模块，其特征在于：包括NMOS管一（N1）、NMOS管二（N2）、NMOS管三（N3）、NMOS管四（N4）、第五电阻（R5）、电容一（C1）、电容二（C2）及多个串联的P沟道增强型场效应管，NMOS管三（N3）、NMOS管四（N4）及多个P沟道增强型场效应管均为二极管连接的MOS管，所述NMOS管三（N3）的漏极和源极分别与NMOS管四（N4）漏极和NMOS管一（N1）漏极连接，NMOS管二（N2）的漏极与NMOS管四（N4）源极连接，NMOS管一（N1）源极和NMOS管二（N2）源极均接地，所述多个串联的P沟道增强型场效应管的串联支路两端分...
【技术特征摘要】
1.用于调理水位检测终端检测信号的模块，其特征在于：包括NMOS管一（N1）、NMOS管二（N2）、NMOS管三（N3）、NMOS管四（N4）、第五电阻（R5）、电容一（C1）、电容二（C2）及多个串联的P沟道增强型场效应管，NMOS管三（N3）、NMOS管四（N4）及多个P沟道增强型场效应管均为二极管连接的MOS管，所述NMOS管三（N3）的漏极和源极分别与NMOS管四（N4）漏极和NMOS管一（N1）漏极连接，NMOS管二（N2）的漏极与NMOS管四（N4）源极连接，NMOS管一（N1）源极和NMOS管二（N2）源极均接地，所述多个串联的P沟道增强型场效应管的串联支路两端分别串联电阻三（R3）和电阻四（R4）后与电容一（C1）并联构成串并联线路，该串并联线路一端与NMOS管三（N3）漏极和NMOS管四（N4）漏极之间的线...
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