半导体装置及具备该半导体装置的半导体模块制造方法及图纸

本发明专利技术的目的在于，提供使并联地搭载的半导体元件的个数增加，且抑制了搭载半导体元件的绝缘基板的形状横向变长的半导体装置及具备该半导体装置的半导体模块。本发明专利技术涉及的半导体装置(100)具备：绝缘基板(1)；连续的金属图案(2)，其与绝缘基板(1)的一个主面接合；以及多个开关元件(31、32、33、41、42、43)，它们接合于金属图案(2)上的与绝缘基板(1)相反侧的面，多个开关元件在金属图案(2)上配置为行的数量以及列的数量分别大于或等于2的矩阵状。

【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置及具备该半导体装置的半导体模块
本专利技术涉及半导体装置及具备该半导体装置的半导体模块，特别是涉及在半导体装置搭载的开关元件的配置。
技术介绍
当前，在电力控制中使用半导体功率模块(例如参照专利文献1)。在半导体功率模块中使用功率器件。作为功率器件的一个例子，举出绝缘栅型双极晶体管(IGBT；InsulatedGateBipolarTransistor)。IGBT由栅极驱动信号进行通断控制，能够进行高电压、大电流的通断。包含IGBT的半导体功率模块广泛地用于对电动机等进行驱动的逆变器等。专利文献1：日本特开2013－12560号公报
技术实现思路
作为对IGBT模块的要求之一，举出额定电流的大容量化。例如，在使用额定900A的IGBT模块对额定电流1800A的负载进行驱动的情况下，需要将2台额定900A的IGBT模块并联连接而使用。另一方面，如果是额定1800A的IGBT模块，则能够以1台对上述负载进行驱动，不需要将IGBT模块并联连接而使用。为了增大单台IGBT模块的额定电流，需要将在绝缘基板上搭载的半导体元件的并联数量增加。例如，如果针对在1片绝缘基板上沿横向并联连接有3个本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体装置，其具备：绝缘基板；连续的金属图案，其与所述绝缘基板的一个主面接合；以及多个开关元件，它们接合于所述金属图案上的与所述绝缘基板相反侧的面，所述多个开关元件在所述金属图案上配置为行的数量以及列的数量分别大于或等于2的矩阵状。

【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其具备：绝缘基板；连续的金属图案，其与所述绝缘基板的一个主面接合；以及多个开关元件，它们接合于所述金属图案上的与所述绝缘基板相反侧的面，所述多个开关元件在所述金属图案上配置为行的数量以及列的数量分别大于或等于2的矩阵状。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其中，所述多个开关元件分别具备：第1主电极，其设置在与所述金属图案接合侧的一个主面；第2主电极，其设置在与所述一个主面相反侧的另一个主面；以及至少1个栅极电极，其设置于所述另一个主面，在行方向或列方向中的一个方向上，相邻地配置的所述开关元件间的所述第2主电极通过至少1根主电流用导线电连接。3.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，在行方向或列方向中的一个方向上，相邻地配置的所述开关元件间的所述栅极电极通过栅极用导线接合。4.根据权利要求2所述的半导体装置，其中，所述栅极电极设置在与所述另一个主面的相对的2边距离相等的位置，所述相对的2边是与所述一个方向平行的2边。5.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，所述至少1个栅极电极是2个，各个所述栅极电极是与所述另一个主面的相对的2边各自相接而设置的，在行方向或列方向中的一个方向上，以相邻地配置的所述开关元件间的所述栅极电极相对的方式配置所述多个开关元件。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其中，在所述另一个主面，在2个所述栅极电极之间配置所述第2主电极，所述主电流用导线与所述第2主电极连接。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其中，所述主电流用导线的高度高于所述栅极用导线的高度。8.根据权利要求3所述的半导体装置，其中，在行方向或列方向中的一个方向上，相邻地配置的所述开关元件间的所述栅极电极...

【专利技术属性】
技术研发人员：长谷川滋，梅嵜勋，津田亮，林田幸昌，伊达龙太郎，
申请(专利权)人：三菱电机株式会社，
类型：发明
国别省市：日本,JP